DDR5 RDIMM內(nèi)存采用288引腳，有望將芯片運行電壓降至1.1V
根據(jù)消息報道，他們在CES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，規(guī)格達到了DDR5-4800。據(jù)介紹，DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個引腳，但是引腳布局和設計與DDR4有所不同，兩者互不兼容。
消息稱，現(xiàn)在所有DRAM制造商都在與CPU設計人員和其他公司調(diào)整他們的DDR5生產(chǎn)計劃。目前還不清楚首款DDR5平臺將于何時投放市場，很有可能是2021年。第一批確認支持DDR5內(nèi)存的平臺之一是Intel的Xeon Sapphire Rapids，它將部署在Aurora超級計算機上。AMD對DDR5的支持目前還不清楚。
根據(jù)之前的消息，與上一代DDR4內(nèi)存相比，新的DDR5標準提供了巨大的性能提升，DDR5支持到了6400 MT/s，帶寬達到32GB/s，比原來的DDR4的25.6 GB/s帶寬快25%。
另一個改進是DDR5芯片的最高密度，現(xiàn)在達到了64GB每條。此外，DDR5有望將芯片運行所需的電壓降至1.1伏特，比DDR4低8%左右。同樣值得指出的是，DDR5芯片是使用1znm內(nèi)存制造工藝制造的。
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