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數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

西西 ? 來(lái)源:博客園 ? 作者:The Pisces ? 2020-07-20 16:46 ? 次閱讀
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CMOS電路因其在在功耗、抗干擾能力方面具有不可替代的優(yōu)勢(shì),以及在設(shè)計(jì)及制造方面具有簡(jiǎn)單易集成的優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。如今,在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路特別是數(shù)字電路中早已普遍采用CMOS工藝來(lái)來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造。

一、CMOS門(mén)電路設(shè)計(jì)規(guī)則

靜態(tài)的CMOS電路的設(shè)計(jì)有著一定的規(guī)則,而正是這些規(guī)則使得其電路的設(shè)計(jì)變得非常簡(jiǎn)單。如圖所示,COMS電路中最主要的部分是上拉網(wǎng)絡(luò)PUN(Pull Up Net)和下拉網(wǎng)絡(luò)PDN(Pull Down Net),這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部結(jié)構(gòu)是對(duì)稱互補(bǔ)的,或者說(shuō)是對(duì)偶的。所謂的對(duì)稱互補(bǔ),即是指下拉網(wǎng)絡(luò)中全是NMOS,而上拉網(wǎng)絡(luò)中全是PMOS,兩者數(shù)量相同;并且,下拉網(wǎng)絡(luò)中組成“與”邏輯的MOS管,在上拉網(wǎng)絡(luò)中對(duì)應(yīng)的為“或”邏輯,在下拉網(wǎng)絡(luò)中組成“或”邏輯的MOS管,在上拉網(wǎng)絡(luò)中對(duì)應(yīng)的為“與”邏輯。由于互補(bǔ),上拉網(wǎng)絡(luò)與下拉網(wǎng)絡(luò)不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

由于結(jié)構(gòu)是互補(bǔ)對(duì)稱的,CMOS電路的功能可以由下拉網(wǎng)絡(luò)或者上拉網(wǎng)絡(luò)單獨(dú)來(lái)確定。對(duì)于下拉網(wǎng)絡(luò),先根據(jù)各個(gè)NMOS的串并聯(lián)關(guān)系列出表達(dá)式,最后整體取反一下(取反是因?yàn)橄吕W(wǎng)絡(luò)為真時(shí)輸出是低電平0);對(duì)于上拉網(wǎng)絡(luò),先將各個(gè)輸入取反,再根據(jù)各個(gè)PMOS的串并聯(lián)關(guān)系寫(xiě)出表達(dá)式。其中,串聯(lián)為與,并聯(lián)為或。

設(shè)計(jì)的過(guò)程則剛好反過(guò)來(lái),先根據(jù)功能確定邏輯表達(dá)式,再選擇下拉網(wǎng)絡(luò)或者上拉網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)作為切入點(diǎn),根據(jù)與或關(guān)系確定MOS管的串并聯(lián),將其中一個(gè)網(wǎng)絡(luò)畫(huà)出來(lái),最后根據(jù)互補(bǔ)關(guān)系畫(huà)出另外一個(gè)網(wǎng)絡(luò)。

二、CMOS異或門(mén)的設(shè)計(jì)舉例

下面以異或門(mén)為例,討論一下CMOS異或門(mén)的設(shè)計(jì)方法以及其中的一些技巧。

(1)確定功能??梢愿鶕?jù)真值表、時(shí)序圖等來(lái)確定。下表為異或門(mén)的真值表,當(dāng)兩輸入信號(hào)相同時(shí),輸出為低電平;輸入不同時(shí),輸出為高電平。

(2)確定邏輯表達(dá)式。異或門(mén)的邏輯表達(dá)式 :

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

(3)畫(huà)出下拉或上拉網(wǎng)絡(luò)。以下拉網(wǎng)絡(luò)為切入點(diǎn),這時(shí)要先對(duì)表達(dá)式處理一下,變?yōu)槟硞€(gè)式子的非的形式,因?yàn)橄吕W(wǎng)絡(luò)算出來(lái)的表達(dá)式最后要取反一下:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

這樣,就可以根據(jù)大非號(hào)下面的式子來(lái)搭建PDN電路:

如圖所示,由于A和B是與的關(guān)系,所以連接A和B的MOS管NM3和NM4要串聯(lián),和也是如此。由于與是或的關(guān)系,所以由NM3、NM4組成的串聯(lián)和NM5和NM6組成的串聯(lián)最后要并聯(lián)在一起。至此下拉網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)完成。

(4)根據(jù)互補(bǔ)關(guān)系確定另外一個(gè)網(wǎng)絡(luò)。

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

這一步就比較簡(jiǎn)單了,在PDN中A和B對(duì)應(yīng)的MOS管是串聯(lián)的,那么在PUN中就變成并聯(lián)的,即PM3和PM4;和同樣;最終將兩個(gè)并聯(lián)組合串聯(lián)起來(lái)。

(5)將PDN和PUN組合起來(lái),加上電源和地,如圖:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

圖中左側(cè)是兩個(gè)反相器,用于產(chǎn)生非信號(hào)。

為了便于分析,圖中的連線都是用標(biāo)號(hào)代替的,下圖是一個(gè)完整的電路:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

至此,一個(gè)完整的CMOS異或門(mén)電路設(shè)計(jì)完成。當(dāng)然,后續(xù)還會(huì)有MOS管寬長(zhǎng)比、摻雜等方面的設(shè)計(jì),這些不在這里討論。

三、另一種設(shè)計(jì)思路

以上是根據(jù)表達(dá)式:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)的,對(duì)上式進(jìn)行變換可以得到:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

根據(jù)這個(gè)式子可以設(shè)計(jì)出與上例不同的電路:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

該電路與前一種電路實(shí)現(xiàn)相同功能,只是在結(jié)構(gòu)上PUN和PDN與前一種電路互換了一下,沒(méi)有本質(zhì)上的區(qū)別。

四、優(yōu)化設(shè)計(jì)

下面介紹一種優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。

繼續(xù)對(duì)異或門(mén)的邏輯表達(dá)式進(jìn)行變換,得到:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

這里,將A與B的非作為一個(gè)整體,用一個(gè)獨(dú)立的與非門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn),電路圖如圖所示:

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

可以看到,前面兩種電路都用了12個(gè)MOS管,而這個(gè)電路只用了10個(gè)MOS管就實(shí)現(xiàn)了異或門(mén)的功能??蓜e小看減下來(lái)的這兩個(gè)MOS管,在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中,這種門(mén)電路的使用是非常普遍的,若是一個(gè)系統(tǒng)中能有百十個(gè)這樣的門(mén)電路,那這種優(yōu)化在減小芯片面積和降低成本方面將會(huì)為產(chǎn)品帶來(lái)非常大的優(yōu)勢(shì)。

下面分析一下這樣優(yōu)化的原理。前兩種電路中,邏輯表達(dá)式都包含了A、B、A非、B非四種信號(hào),但是電路的原始輸入只有A和B兩種,因此要搭建產(chǎn)生A非和B非的電路,也就是搭建兩個(gè)非門(mén)。而每個(gè)非門(mén)需要兩個(gè)MOS管,所以產(chǎn)生A非和B非需要額外的四個(gè)MOS管。加上實(shí)現(xiàn)邏輯表達(dá)式功能的8個(gè)MOS管,一共12個(gè)。

而在第三種電路中,變化邏輯表達(dá)式消去了A非和B非,用A與B的非來(lái)代替,只需額外設(shè)計(jì)一個(gè)與非門(mén),4個(gè)MOS管。由于A與B的非作為一個(gè)信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算,相當(dāng)于邏輯表達(dá)式中只有三個(gè)輸入,一共需要6個(gè)管子,加起來(lái)一共10個(gè)。

也就是說(shuō),在邏輯表達(dá)式中,若果能夠?qū)⑿盘?hào)合并使得輸入端出現(xiàn)盡可能少的信號(hào)種類(lèi),那么就有可能減少整個(gè)門(mén)電路的MOS管個(gè)數(shù)。

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