電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）

最近，高通與Soitec達成協(xié)議，Soitec將為高通的射頻濾波器大規(guī)模生產(chǎn)POI襯底，以用于智能手機射頻前端模塊。今年初高通發(fā)布的ultraSAW濾波器技術正是基于SoitecPOI襯底。

什么是POI襯底？

Soitec濾波器業(yè)務經(jīng)理Christophe Didier在近期的媒體說明會上，對包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內的行業(yè)媒體詳解了POI襯底的技術和市場前景。

POI襯底在最頂層是一層大概幾百納米厚的單晶的壓電層，在它之下是一層氧化埋層，大概也是幾百納米厚度，在最底下基底的部分是高電阻率硅材料。

來源：Soitec

POI用的壓電材料和當前一般使用在SAW（聲表面波）濾波器用的材料一樣，主要包括兩種材料，分別是鉭酸鋰和鈮酸鋰。而這里的氧化埋層相當于溫度補償層，作用是抑制壓電材料，因為壓電材料在溫度變化的時候可能會擴張或者收縮，從而影響到頻率，因而需要氧化埋層抑制壓電材料，即器件層的鉭酸鋰或鈮酸鋰。

而底層的高電阻率硅的作用是減少損耗。能夠在極薄的壓電層限制波能等效。而由于能很好地控制整個壓電層，可以在壓電層獲得更好的等效的波傳播。

因此，主要的射頻前端生產(chǎn)商已經(jīng)開始生產(chǎn)以POI為襯底的濾波器，主要采用的規(guī)格是直徑150毫米的POI，此款POI產(chǎn)品作為第一個使用Smart CutTM技術生產(chǎn)非硅類材料的優(yōu)化襯底，目前在Soitec法國貝寧3廠已實現(xiàn)量產(chǎn)。

從未來的技術發(fā)展來看，Soitec計劃使用鈮酸鋰代替鉭酸鋰，從而更好地把握濾波器的帶寬，同時也在開發(fā)直徑200毫米的POI襯底，以降低總體成本。

POI襯底SAW可取代TC-SAW和BAW

濾波器有不同的類型，包括SAW、BAW、XBAR等，而POI襯底的SAW以其獨特的性能優(yōu)勢在5G架構上能夠取代TC-SAW（溫度補償型SAW）和BAW。

Christophe Didier解析，SAW對溫度過于敏感，溫度變化會影響頻率，但這種溫度的敏感是可以改善的，這種溫度帶來的變化叫做TCF，衡量單位是ppm.K，改善方法就是通過TC-SAW（溫度補償型SAW）加上一層溫度補償層。

來源：Soitec

另外一項濾波器技術BAW（體聲波），它的過程特別復雜，需要很多步驟才能搭建一個聲學上需要的“腔”。

通過對比可以看到，基于POI襯底的SAW技術優(yōu)勢就是能源效率更高，比TC-SAW的能源損耗更小。所以它相對于SAW和TC-SAW，獲得了更高頻率、更廣帶寬。相對BAW來說，這種基于POI襯底的SAW工藝流程更簡單且成本更低。因為可以將很多個濾波器集成在同一個芯片上，所以面積也更小。從生產(chǎn)角度來講，它的生產(chǎn)流程跟SAW是相似的，但是比TC-SAW和BAW都要簡單很多。

通過幾組測試數(shù)據(jù)來看基于POI襯底的SAW性能與優(yōu)勢：

第一個系數(shù)是品質系數(shù)，采用Bode Q來測量中頻段的諧振器的參數(shù)，測出來的參數(shù)是大于4000。

第二個參數(shù)是耦合系數(shù)，耦合系數(shù)涉及到可以實現(xiàn)更廣帶寬的濾波功能，這里耦合系數(shù)k2測出來是大于8%。

第三個參數(shù)是TCF（頻率溫度系數(shù)），這是跟溫度相關的、導致頻率變化的一個系數(shù)，我們測得的TCF是小于10 ppm.K-1。

相較于TC-SAW一般用于低頻段和中頻段的濾波技術，BAW則一般用于中頻段和高頻段，POI襯底的SAW可以解決中頻段和高頻段這兩個頻段的技術難題，在5G濾波器方面成為取代TC-SAW和BAW的更優(yōu)解決方案。

市場前景

濾波器在5G智能手機上是非常關鍵的組件，鑒于5G的MIMO、載波聚合等技術的使用，預計智能手機在5G時代的前端模塊的濾波器面積將會增加50%。

根據(jù)Yole Development的數(shù)據(jù)，射頻濾波器未來的市場規(guī)模從2018年的31億美元有望上升到2025年的約51億美元。就POI襯底的價值而言，Christophe Didier認為POI襯底將會成為未來幾年的一項行業(yè)標準。到2024年預計POI襯底的可服務市場規(guī)模將達到100萬片的晶圓。

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