來源：羅姆半導體社區(qū)

在電源中噪聲是不可避免的一個問題，噪聲重要與否，取決于它對目標電路工作的影響程度。例如在電源的中5MHz時具有顯著的輸出電壓紋波，如果它為之供電的電路僅有幾Hz的帶寬，如溫度傳感器等，則該紋波可能不會產生任何影響。但是，如果該電源為RF鎖相環(huán)(PLL)供電，結果可能大不相同。

噪聲源都可以分為兩大類：內部噪聲和外部噪聲。內部噪聲好比是您頭腦中的噪聲，外部噪聲則好比是來自外面不和諧的噪聲，如飛機引擎聲。各種噪聲都有自己的特性，但影響比較大的主要有以下幾種，熱噪聲、1/f噪聲、散粒噪聲、爆裂或爆米花噪聲。

學過物理的知道，電流會生熱，在絕對零度以上的任何溫度，生熱則會使導體或半導體中的載流子（電子和空穴）會發(fā)生擾動，這就是熱噪聲（亦稱約翰遜噪聲或白噪聲）的來源。熱噪聲功率與溫度成比例。它具有隨機性，因而不隨頻率而變化。這個會使器件的一些電壓電流偏移，一般稱之為溫度漂移。這個也有一個計算公式來表示。與溫度電阻、帶寬相關。

1/f 噪聲來源于半導體的表面缺陷，聲功率與器件的偏置電流成正比，并且與頻率成反比，這一點與熱噪聲不同。即使頻率非常低，該反比特性也成立，然而，當頻率高于數kHz時，關系曲線幾乎是平坦的。1/f 噪聲也稱為粉紅噪聲，因為其權重在頻譜的低端相對較高

1/f 噪聲主要取決于器件幾何形狀、器件類型和半導體材料，因此，要創(chuàng)建其數學模型極其困難，通常使用各種情況的經驗測試來表征和預測1/f噪聲。

一般而言，具有埋入結的器件，如雙極性晶體管和JFET等，其1/f 噪聲往往低于MOSFET等表面器件。

散粒噪聲發(fā)生在有勢壘的地方，例如PN結中。半導體器件中的電流具有量子特性，電流不是連續(xù)的。當電荷載子、空穴和電子跨過勢壘時，就會產生散粒噪聲。像熱噪聲一樣，散粒噪聲也是隨機的，不隨頻率而變化。

低頻噪聲，爆米花噪聲是一種低頻噪聲，似乎與離子污染有關。爆米花噪聲表現為電路的偏置電流或輸出電壓突然發(fā)生偏移，這種偏移持續(xù)的時間很短，然后偏置電流或輸出電壓又突然返回其原始狀態(tài)。這種偏移是隨機的，但似乎與偏置電流成正比，與頻率的平方成反比(1/f2)。

爆裂噪聲，幾乎已被消除

爆裂噪聲和爆米花噪聲相同，也是一種低頻噪聲，似乎與離子污染有關。但由于現代半導體工藝技術的潔凈度非常高，爆裂噪聲幾乎已經被消除，不再是器件噪聲的一個主要因素。

審核編輯 黃昊宇