2020年9月28日上午,蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通,安徽省科技廳羅平廳長(zhǎng)、安徽省經(jīng)信廳劉一成巡視員、清華大學(xué)微納電子系主任&微電子學(xué)研究所所長(zhǎng)吳華強(qiáng),蕪湖市委書記潘朝暉、市長(zhǎng)單向前、副書記馮克金、常務(wù)副市長(zhǎng)寧波、高新區(qū)黨工委書記&主任黃維群、啟迪控股常務(wù)副總裁趙東和來(lái)自全國(guó)各地的200余位嘉賓出席了激動(dòng)人心的產(chǎn)線啟動(dòng)儀式,儀式由啟迪控股副總裁、啟迪新材料集團(tuán)董事長(zhǎng)、啟迪半導(dǎo)體董事長(zhǎng)趙清主持。
產(chǎn)線啟動(dòng)儀式現(xiàn)場(chǎng)
蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動(dòng)建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作,在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會(huì)以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)信局等相關(guān)部門的大力支持下,歷時(shí)三年多,完成了2.3萬(wàn)平方米的廠房,8200平米的潔凈間建設(shè),以及360余臺(tái)套核心工藝設(shè)備的采購(gòu)、安裝和調(diào)試,終于迎來(lái)了全線貫通的歷史性時(shí)刻!
與此同時(shí),蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心匯聚了眾多化合物半導(dǎo)體工藝研發(fā)和生產(chǎn)的精英,形成了一支超過(guò)200人的包含外延材料、器件研發(fā)、工藝、設(shè)備、質(zhì)量控制等方向的全方位人才隊(duì)伍,其中科研人員占比達(dá)70%。團(tuán)隊(duì)已申請(qǐng)專利超80項(xiàng),掌握了以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的核心技術(shù)。
羅平在講話中說(shuō),近年來(lái),蕪湖市深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,全力推進(jìn)國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)和國(guó)家創(chuàng)新型城市建設(shè),努力在下好創(chuàng)新“先手棋”上走在前列,在全省乃至長(zhǎng)三角創(chuàng)新版圖中的優(yōu)勢(shì)地位進(jìn)一步鞏固。第三代半導(dǎo)體工程中心是科技之花結(jié)出產(chǎn)業(yè)之果的典型示范,是“政產(chǎn)學(xué)研用”創(chuàng)新模式的典型實(shí)踐。此次通線的碳化硅器件線、氮化鎵器件線,必將為蕪湖市新能源汽車、航空、5G通信等新產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。面向“十四五”,省科技廳將一如既往地支持蕪湖科技創(chuàng)新事業(yè)發(fā)展,支持蕪湖打造“四個(gè)名城”、建設(shè)長(zhǎng)三角城市群中具有更高能級(jí)的現(xiàn)代化大城市,在加快建設(shè)美好安徽上作出更大貢獻(xiàn)。
單向前指出,作為蕪湖市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)和代工生產(chǎn)的公共平臺(tái),第三代半導(dǎo)體工程中心承載了蕪湖從傳統(tǒng)制造走向智能制造的厚望,是信息產(chǎn)業(yè)的基石,智能互聯(lián)的核芯。產(chǎn)線貫通后將步入新的歷史階段,蕪湖市政府將搶抓長(zhǎng)三角一體化發(fā)展機(jī)遇,全力推動(dòng)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈集群化發(fā)展,努力打造智造名城、創(chuàng)新名城、開放名城、生態(tài)名城,加快建設(shè)長(zhǎng)三角城市群中具有更高能級(jí)的現(xiàn)代化大城市。
吳華強(qiáng)表示,第三代半導(dǎo)體是支撐未來(lái)5G通訊、航空航天、物聯(lián)網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、大數(shù)據(jù)等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“核芯”,對(duì)支撐新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力、實(shí)現(xiàn)新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換具有重大的戰(zhàn)略意義。蕪湖市和啟迪從2017年開始建設(shè)第三代半導(dǎo)體工程中心,具有極高的前瞻性和戰(zhàn)略眼光。相信蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心將會(huì)為蕪湖第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集發(fā)展打下良好基礎(chǔ),在蕪湖乃至安徽創(chuàng)造出一個(gè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的新增長(zhǎng)點(diǎn)。清華大學(xué)微納電子系將全力支持工程中心建設(shè),為蕪湖第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更多的人才和技術(shù)支撐。
清華大學(xué)微電子學(xué)研究所吳華強(qiáng)所長(zhǎng)參觀
產(chǎn)線全面貫通后,蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心將具備從材料、芯片到模塊封裝與測(cè)試的整體化解決能力,可年產(chǎn)5萬(wàn)片碳化硅和氮化鎵晶圓,成為蕪湖市第三代半導(dǎo)體科技創(chuàng)新和研發(fā)制造高地。該中心將攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)共同打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展集群,輻射帶動(dòng)汽車功率電子、充電樁、5G基站設(shè)施等產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大。
9月28日下午,啟迪半導(dǎo)體主辦了2020中國(guó)(蕪湖)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇,邀請(qǐng)了張清純教授、于坤山秘書長(zhǎng)在內(nèi)的10位嘉賓從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀趨勢(shì)、芯片設(shè)計(jì)思路、材料器件的研發(fā)、裝備國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)、產(chǎn)線運(yùn)作模式、電力電子應(yīng)用、服務(wù)平臺(tái)打造、人才培養(yǎng)與合作等方面共議發(fā)展。啟迪半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體工程中心希望通過(guò)此次發(fā)展論壇,進(jìn)一步加強(qiáng)業(yè)界互動(dòng)交流與協(xié)同合作,促進(jìn)人才積聚,整合核心資源,擴(kuò)大應(yīng)用場(chǎng)景,推進(jìn)“材料、工藝、裝備一體化”發(fā)展,加快裝備國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全面突破,共同打造科技創(chuàng)新和制造研發(fā)高地,用“芯”構(gòu)筑未來(lái)。
張清純教授分享《碳化硅半導(dǎo)體材料與器件:技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)》
責(zé)任編輯:lq
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31316瀏覽量
266964 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3881瀏覽量
70225 -
GaN器件
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
52瀏覽量
8301
原文標(biāo)題:蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心產(chǎn)線全面貫通
文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”
一文看懂 | 中國(guó)華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動(dòng)態(tài)【上】
氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟?b class='flag-5'>器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)
上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案
材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通
評(píng)論