據(jù)臺媒自由時報報道，恩智浦半導體（NXP）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，這是美國境內(nèi)專注于5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠。

恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產(chǎn)品將持續(xù)推出上市，預計2020年底將達到產(chǎn)能滿載。

恩智浦指出，此全新工廠結合恩智浦射頻功率領導者的專業(yè)與大規(guī)模量產(chǎn)技術，代表實現(xiàn)創(chuàng)新，有助支持5G基站與先進通信基礎設施在工業(yè)、航空航天和國防市場的擴展。

恩智浦半導體總裁兼首席執(zhí)行官Kurt Sievers在演講中表示，今日象征著恩智浦的重要里程碑。通過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才，讓恩智浦能夠更聚焦于發(fā)展氮化鎵技術，將其作為推動下一代5G基站基礎建設的一部分。

隨著5G的發(fā)展，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數(shù)級增長，但仍需保持相同的機箱尺寸，并降低功耗。氮化鎵功率晶體管已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準，能夠大幅提高功率密度和效率。

同時，恩智浦半導體執(zhí)行副總裁兼無線電功率業(yè)務部總經(jīng)理Paul Hart表示，恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。
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