GD5F4GM5系列現(xiàn)已量產(chǎn)，容量高達4Gb，開啟國產(chǎn)SLC NAND Flash 24nm時代。

兆易創(chuàng)新今日正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了從設計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標志著國內SLC NAND Flash產(chǎn)品正式邁入24nm先進制程工藝時代。該創(chuàng)新技術產(chǎn)品有助于進一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲類產(chǎn)品線，為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲解決方案。

如今各類電子設備的功能日趨復雜，在一些新興的、甚至緊湊型應用中都需要預裝嵌入式操作系統(tǒng)，對存儲容量的需求在不斷提升。高可靠、大容量的代碼存儲需求成為業(yè)界廣泛訴求。SLC NAND在市場兼具性價比的同時，能夠提供給客戶更大的容量選擇。基于此，兆易創(chuàng)新在確保高可靠性的同時，成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顧容量和性能的提升，更好地服務于代碼存儲領域，致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通、安防，以及包括可穿戴式設備在內的消費類應用場景提供大容量、具備成本優(yōu)勢的解決方案。

目前，GD5F4GM5系列已全面量產(chǎn)，代表了國產(chǎn)SPI NAND Flash工藝技術量產(chǎn)的最高水準。該產(chǎn)品采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，在集成了存儲陣列和控制器的同時，還帶有內部ECC糾錯算法，擦寫次數(shù)可達5萬次，提高可靠性的同時延長產(chǎn)品使用壽命。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND產(chǎn)品，大大提升了讀寫速度，最高時鐘頻率達到120MHz，數(shù)據(jù)吞吐量可達480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，能夠滿足客戶對不同供電電壓的需求；同時提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

GD5F4GM5系列產(chǎn)品特性

兼容1.8V/3.3V供電電壓

支持4KB Cache隨機讀取

四通道SPI接口，Quad IO數(shù)據(jù)吞吐量可達480Mbit/s

內置8bit ECC糾錯技術

支持標準WSON8，TFBGA24封裝

支持工業(yè)級-40~85℃溫度范圍

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