日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化鎵與硅相比有何優(yōu)勢?

我快閉嘴 ? 來源:賢集網(wǎng) ? 作者:賢集網(wǎng) ? 2020-10-22 10:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵(GaN)為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的臺式AC-DC電源。氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。當(dāng)在電源中使用時,GaN比傳統(tǒng)的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅晶體管的損耗有兩類,傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。功率晶體管是開關(guān)電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損耗,GaN晶體管(取代舊的硅技術(shù))的發(fā)展一直受到電力電子行業(yè)的關(guān)注。

氮化鎵在關(guān)鍵領(lǐng)域比硅顯示出顯著的優(yōu)勢,這使得電源制造商能夠顯著提高效率。當(dāng)電流流過晶體管時,開關(guān)損耗發(fā)生在開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程中。在給定的擊穿電壓下,GaN提供比硅更小的電阻和隨后的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,因此GaN適配器可以達(dá)到95%的效率。

氮化鎵對比硅具有的優(yōu)勢

由于GaN器件比硅具有更好的熱導(dǎo)率和更高的溫度,因此,電源的整體尺寸可能顯著減小,可以減少對熱管理組件的需求,如大型散熱器、機(jī)架或風(fēng)扇。移除這些內(nèi)部元件,以及增加的開關(guān)頻率,使得電源不僅更輕,而且更緊湊。

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此,工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案,以實現(xiàn)和優(yōu)化GaN提供的各種系統(tǒng)優(yōu)勢。

GaN AC-DC臺式電源適配器

意識到GaN技術(shù)的好處,CUI公司推出了第一款GaN驅(qū)動的桌面適配器SDI200G-U和SDI200G-UD系列。

緊湊型新動力車型比非GaN同類產(chǎn)品輕32%,提供200瓦連續(xù)功率,設(shè)計用于各種便攜式工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品。重量的下降已經(jīng)看到了從820克大幅減少到560克,適配器提供了更高的開關(guān)頻率,這也使他們的體積減少了一半以上。這將功率密度從每立方英寸5.3瓦增加到11.4瓦/立方英寸。

SDI200G-U系列提供了一個三叉(C14)進(jìn)氣口,而SDI200G-UD具有一個雙管腳(C8)進(jìn)氣口。尺寸為5.91 x 2.13 x 1.3英寸(150 x 54 x 33毫米),SDI200G-U和SDI200G-UD符合UL/EN/IEC 62368-1和60950-1的要求。

這些臺式機(jī)適配器的特點(diǎn)是功率密度增加了250%,空載功耗低至210兆瓦,通用輸入電壓范圍為90至264伏交流電壓。SDI200G-U和SDI200G-UD為用戶提供了一個緊湊、高效的桌面適配器,適用于便攜式電源和產(chǎn)品美觀的應(yīng)用。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    19001

    瀏覽量

    264695
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10449

    瀏覽量

    148739
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1917

    瀏覽量

    120181
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2387

    瀏覽量

    84715
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    從替代到必需:氮化正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

    的電源系統(tǒng)。它不再只是“更好的替代品”,而正在成為下一代電源設(shè)計的“必需品”。一、氮化VS傳統(tǒng)電源芯片的核心材料是,它已經(jīng)服務(wù)了電子行業(yè)幾十年。但
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:36 ?2277次閱讀
    從替代到必需:<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少? 在快充充電器等應(yīng)用中,非對稱半橋(AHB)拓?fù)鋺{借高效率、低EMI等優(yōu)勢,正受到越來越多工程師的青睞。 AHB 本質(zhì)上是在傳統(tǒng)反激思路上進(jìn)一步優(yōu)化而來
    發(fā)表于 04-18 10:35

    意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    從快充充電器到工業(yè)自動化,氮化正成為高功率密度電源設(shè)計的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件,持續(xù)推動氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-11 16:17 ?3763次閱讀
    意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片氮化
    發(fā)表于 02-04 08:56

    為什么說氮化是快充領(lǐng)域顛覆者

    自從氮化(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:27 ?1815次閱讀
    為什么說<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>是快充領(lǐng)域顛覆者

    相比MCU同行產(chǎn)品,芯源的MCU產(chǎn)品優(yōu)勢和劣勢呢?

    相比MCU同行產(chǎn)品,芯源的MCU產(chǎn)品優(yōu)勢和劣勢?
    發(fā)表于 01-08 07:50

    六邊形戰(zhàn)士——氮化

    產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”,綜合性能全面,而射頻應(yīng)用作為氮化的“王牌分支”,憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn),在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 12-24 10:23 ?6994次閱讀
    六邊形戰(zhàn)士——<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>

    GaN(氮化)與基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號

    中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強(qiáng)度(3.3 MV/cm)是的 10 倍以上,相同面積下可承受更
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:23 ?5216次閱讀

    請問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    氮化(GaN)黑科技來襲!你的電源該“瘦身”了

    氮化行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
    發(fā)布于 :2025年10月11日 16:57:30

    基技術(shù)在電源模塊中的優(yōu)勢

    盡管市場越來越看好氮化(GaN),仍然在許多電源模塊應(yīng)用中表現(xiàn)強(qiáng)勁,包括專門處理高算力AI工作負(fù)載的數(shù)據(jù)中心。
    的頭像 發(fā)表于 09-19 11:03 ?3720次閱讀

    淺談氮化器件的制造難點(diǎn)

    制造氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?5060次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的制造難點(diǎn)

    氮化器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    氮化(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?1820次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件在高頻應(yīng)用中的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化技術(shù)

    摘要 本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案,可提供必要的功能,打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外,本文還建議將
    發(fā)表于 06-11 10:07

    氮化GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)

    氮化充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率,實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī),還是筆記本電腦、平板電腦,氮化
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:21 ?1234次閱讀
    绥中县| 法库县| 合水县| 衡南县| 象州县| 丹寨县| 鄯善县| 黄骅市| 灵台县| 景德镇市| 辰溪县| 承德市| 班玛县| 蕉岭县| 卓尼县| 溆浦县| 万载县| 昌吉市| 西和县| 新余市| 新津县| 泗洪县| 丰原市| 泰来县| 大姚县| 抚松县| 枞阳县| 江孜县| 九龙城区| 五寨县| 敦化市| 清流县| 双桥区| 东兰县| 沾益县| 鄂州市| 云梦县| 陵水| 宿松县| 大荔县| 青阳县|