日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導體組合式可靠性檢查的IC設計驗證解析

電子設計 ? 來源:電子技術設計 ? 作者:電子技術設計 ? 2021-04-17 11:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

雖然產(chǎn)品可靠性一直以來都是半導體行業(yè)的一個重要因素,但隨著交通運輸、醫(yī)療設備和 通信等領域越來越多地使用電子設備,對于能夠在設計的產(chǎn)品壽命期內(nèi)按預期工作的集成 電路 (IC) 的需求已呈現(xiàn)出指數(shù)級增長趨勢。然而,盡管對于精準的可靠性驗證的需求已顯 著增長,但使用現(xiàn)有的驗證技術確保 IC 可靠性一直是 IC 設計公司面臨的重大挑戰(zhàn)之一。技 術節(jié)點尺寸的縮減加上不同類型的設計應用的快速增長,讓該問題變得更加復雜,增加了 需要的可靠性檢查數(shù)量及其復雜性。所有這些因素都在有力地推動對于準確的自動化芯片 可靠性驗證方法的需求。如今,Calibre? PERC? 可靠性平臺 [1] 等全新的電子設計自動化 (EDA) 工具應運而生,為設計人員提供了強大的功能來實施可靠性檢查,讓他們能夠利用 拓撲、電壓傳播 [2] 和邏輯驅(qū)動的版圖 (LDL) 功能快速、準確地驗證各種可靠性問題。

許多晶圓代工廠現(xiàn)在提供可靠性規(guī)則集來驗證 IC 設計選定的可靠性,其中最常見的是評估靜 電放電 (ESD) 保護和閂鎖效應 (LUP) 事件 [3]。臺積電 (TSMC) 是全球最大的晶圓代工廠之一, 該公司基于 Calibre PERC 可靠性平臺提供完整的 ESD/LUP 規(guī)則檢查覆蓋 [4]。TSMC ESD/LUP 套件通過使用拓撲、點對點 (P2P) 電阻、電流密度 (CD) 和基于版圖的 LUP 檢查提供可靠性驗 證 [5,6]。也可以從其他晶圓代工廠獲取可靠性規(guī)則集,例如 GLOBALFOUNDRIES [7]、 Samsung [8]、UMC [9] 和 TowerJazz [10]。

晶圓代工廠規(guī)則集提供了可靠的可靠性基準,在評估總體可靠性時應始終用作一線參考。 設計人員可利用這些規(guī)則集深入了解晶圓代工廠所重視的 Sign-off 標準。但每家設計公司 通常也會根據(jù)其產(chǎn)品的獨特需求和用途提出額外的可靠性要求。當今的產(chǎn)品設計周期很 短,這也鼓勵設計公司根據(jù)自身產(chǎn)品的應用開發(fā)自定義的檢查作為晶圓代工廠可靠性驗證 流程的補充,以確保徹底驗證可靠性要求。這些自定義的預編碼檢查可提供額外的有針對 性的可靠性覆蓋,以支持取得市場成功。

不止于晶圓代工廠規(guī)則集:自定義可靠性檢查

為確保滿足公司的所有可靠性驗證需求,創(chuàng)建自定義檢查是一種有用而且往往很有必要的 手段。但隨著不同應用的可靠性檢查數(shù)量以及這些檢查的復雜性日益增加,設計人員需要 一種驗證流程,方便其快速、輕松地選擇和配置這類預編碼檢查,而無需在運行期間管理 檢查的復雜性問題。

通過在簡單易用的流程中包含精心編寫的預編碼檢查,設計人員可以運行這些檢查,而無 需在運行時進行自定義檢查編碼。為確保設計人員能夠根據(jù)需要覆蓋不同的可靠性方面, 該流程必須允許他們組合多項檢查,對目標設計、知識產(chǎn)權 (IP) 模塊或全芯片運行驗證, 這一點也很重要。提供允許設計人員輕松配置和運行自定義檢查及檢查組合的流程,有助 于設計公司在進行芯片設計和驗證時,滿足當今日益苛刻的產(chǎn)品上市時間表。

組合多項檢查

不同的 IC 設計具有不同的可靠性要求和關注點,在驗證期間必須使用各種可靠性檢查對其 進行評估。通常可通過選擇和利用規(guī)則檢查的組合來滿足多種驗證需求,其中每項檢查集 中處理一個特定的方面,從而實現(xiàn)完整的可靠性驗證覆蓋。

作為說明,我們來看兩項設計應用,一項為多電源域設計,另一項為模擬設計。這些應用 描述了應如何運用不同的可靠性檢查,針對不同的設計提供全面的可靠性驗證覆蓋。在實 際設計流程中,可能還需要額外的檢查才能實現(xiàn)所需的全面、嚴格的可靠性驗證。

多電源域應用

具有多個電源域的設計存在電氣過應力 (EOS) 的風險。當電參數(shù)超過設計參數(shù)時便會發(fā)生 EOS。EOS 事件可能造成廣泛的后果,導致不同程度的性能下降,甚至是 IC 永久失效的災 難性損壞 [2]。圖 1 顯示了一種器件級 EOS

條件,其中的一個 PMOS 晶體管的管腳被 連接到不同的電源域。在此示例中,如果 vcc2 被連接到 3.3v,并且柵極切換電壓為 1.8v (vcc1 = 1.8v),則此組合將會在 m2 柵極 產(chǎn)生氧化應力。這種特殊版圖構成一種微 妙的設計錯誤,會隨著時間的推移導致失效,而不會導致立即失效。

pIYBAGB6TUGAZucrAAB1uGI6BgI503.png

圖 1:器件級 EOS 風險。

復雜的片上系統(tǒng) (SoC) 設計具有更多的模擬和數(shù)字電路,需要不同的電壓來支持芯片上的 各個電源域。具有多個電源域的設計包含須從一個電源域跨越到另一個電源域的信號網(wǎng) 絡,而這些跨越點經(jīng)常成為故障點或損傷點。因此需要采用保護方案來控制這些跨域接口處的電壓。設計人員必須插入一個電平轉(zhuǎn)換器模 塊,完成從一個電源/電壓域到另一個電源/電 壓域的轉(zhuǎn)換(圖 2)。如果某個信號網(wǎng)絡從低壓域 轉(zhuǎn)移到高壓域而未使用低電平到高電平轉(zhuǎn)換器, 則該信號網(wǎng)絡將無法驅(qū)動高壓域電路工作。如果 某個信號網(wǎng)絡從高壓域轉(zhuǎn)移到低壓域而未使用高

o4YBAGB6TVKAKahLAACQjPogwrA617.png

圖 2:在兩個不同電源域的信號網(wǎng)絡之間連接的電平轉(zhuǎn) 換器電路。

電平到低電平轉(zhuǎn)換器,則該信號將會過驅(qū)低壓域 電路,長期下去器件將會受損。因此,缺失電平轉(zhuǎn)換器會帶來可靠性風險。設計人員不僅必須驗證各個域接口部署了適當?shù)碾娖睫D(zhuǎn)換器, 還要確認連接正確。

驗證這些類型的設計需要運行 EOS 檢查來檢測連接到不同電壓的器件,還需要運行電平轉(zhuǎn) 換器檢查來檢測電平轉(zhuǎn)換器是否存在并且已正確安裝。沒有這兩項檢查,可靠性驗證便不 完整。

模擬設計性能和老化

模擬電路通常對版圖設計技術、工作條件和工藝變化的改變非常敏感。在常見的電流鏡等 模擬電路中,器件之間的比率對于實現(xiàn)正確的設計性能至關重要。模擬設計的挑戰(zhàn)之一是 實現(xiàn)并保持準確的比率。此外,模擬設計也很容易受制造工藝中的變化的影響,這可能表 現(xiàn)為制造電路中的意外后果。所有這些版圖挑戰(zhàn)往往會對電路的可靠性和穩(wěn)健性產(chǎn)生負面 影響,導致難以設計出在預期的產(chǎn)品壽命期內(nèi)可靠工作的電路。

需要使用版圖約束,最大限度減小應具備相似行為的器件組(例如差分 對或電流鏡)中存在的這類變化 [11]。例如,器件之間的對稱檢查可確 保器件全部具有相對水平/垂直軸或中心的對稱形狀。對于一系列器 件,檢查器件形狀之間的匹配以及所有器件之間是否具有相同的間距, 可以確保陣列的均勻性。圖 3 顯示了一幅對稱不匹配的快照。

圖 3:相對垂直軸的對稱 不匹配。

模擬設計的另一個重要版圖方面是阱區(qū)鄰近效應 (WPE)。阱區(qū)鄰近是指 器件與其所在阱區(qū)的邊緣之間的距離。為使器件對稱地老化,阱區(qū)中的 所有器件都必須與阱區(qū)邊緣具有相同的間距。器件與阱區(qū)邊緣之間的距 離即使存在細小的差異,也會導致器件出現(xiàn)老化差異,從而導致性能下 降,最終縮短產(chǎn)品壽命 [12]。圖 4 顯示了一種 WPE 情形,其中的器件 A、B 和 C 與阱區(qū)邊緣具有不同的間隔距離。

為了充分驗證模擬版圖的可靠性,設計人 員通常必須進行多項檢查,包括版圖對稱 性、器件匹配、WPE、器件之間的間距一 致性,等等。

CALIBRE PERC 組合式檢查流程

通過使用 Calibre PERC 組合式檢查框 架,設計人員可以快速、輕松地將多 項可靠性檢查組合到一次運行中,進 行設計的可靠性驗證(圖 5)。利用 該框架可以輕松地選擇和配置預編碼 檢查,最大限度地提高易用性和減少 運行時設置。

pIYBAGB6TYCAJypRAACX0asDRFs800.png

圖 4:WPE 導致器件老化差異,從而造成長期的性 能下降。

pIYBAGB6TZCAPCIyAADIrmsdILo414.png

圖 5:Calibre PERC 組合式檢查流程。

組合式檢查流程的輸入是一個用戶配置文件,設計人員可根據(jù)設計需要在其中選擇檢查項 并配置每項檢查的參數(shù)。此輸入約束文件由封裝管理器處理,它會訪問檢查數(shù)據(jù)庫并創(chuàng)建 一個規(guī)則文件,其中包含了所有選定的檢查以及將在指定的設計上運行的正確配置參數(shù)。

可靠性覆蓋和可供設計使用的特定檢查的性質(zhì),取決于所參考的特定檢查數(shù)據(jù)庫中包含的 檢查。參考的庫可能包含全套可用的可靠性檢查,也可能僅包含專門針對特定設計要求的 子集。特定檢查庫中可能包含的檢查示例包括:

■ 器件計數(shù)(所有類型和特定類型)

■ 電氣過應力

■ 電平轉(zhuǎn)換器檢測

■ 查找設計中的圖形

■ 串擾易感性

■ 熱載流子注入效應 (HCI)

■ 拓撲感知的閂鎖

■ 電壓感知的閂鎖

■ 電壓感知的設計規(guī)則檢查 (DRC)

■ IO 環(huán)檢查

■ 靜態(tài)供電分析和識別

■ 熱結點識別

■ 阱區(qū)鄰近效應易感性(器件老化)

■ 差分對對稱

■ 模擬約束檢查

– 對稱性、器件匹配、器件的公共質(zhì)心、間 距檢查、參數(shù)匹配、集群、器件對齊、虛 擬器件存在

與 Calibre PERC 可靠性平臺中運行的其他規(guī)則集一樣,每次檢查都會生成并報告結果。雖然 組合式檢查可以更輕松地選擇和組合檢查,但在組合中運行多項檢查也會改變結果的顯示 方式。圖 6 顯示了使用 Calibre PERC 組合式檢查流程的 EOS、電平轉(zhuǎn)換器和器件計數(shù)檢查結 果,其中 EOS 和電平轉(zhuǎn)換器檢查報告了錯誤結果,器件計數(shù)檢查則報告了信息性結果。設 計人員可以使用 Calibre RVE 結果查看器來對這些結果(包括錯誤和信息性結果)進行調(diào)試。

o4YBAGB6TaSAGViaAAHkfx3-Xxc193.png

圖 6:Calibre RVE 快照 顯示了使用 C alibr e PERC 組合式檢查流程 時的 EOS、電平轉(zhuǎn)換器 和器件計數(shù)檢查結果。

總結

隨著設計復雜性的增加以及對 IP 到全芯片的各級芯片設計可靠性的高度關注,針對 IC 設計 中的不同可靠性問題提供準確且完整的驗證覆蓋至關重要。要確保設計在產(chǎn)品的使用壽命 內(nèi)按預期工作,可能需要進行晶圓代工廠和自定義的可靠性檢查。利用 Calibre PERC 組合 式檢查流程,設計人員可以自行或在 CAD 或可靠性團隊的指導下,快速、輕松地選擇、配 置和組合多種預編碼檢查。隨后,組合式檢查管理器只需要極少的設置,便可根據(jù)所選檢 查自動生成一個規(guī)則文件,并啟動 Calibre PERC 運行,將選定的檢查應用于版圖。然后生 成任何錯誤結果,以便在版圖查看器中查看并進行調(diào)試和更正。由于設計人員可以使用 Calibre PERC 組合式檢查流程來選擇和組合檢查,而不必擔心需要針對任何復雜的設置或 運行時間進行編碼,因此能夠更加輕松、快速和一致地運行可靠性驗證,這有助于縮短設 計周期時間,同時保障產(chǎn)品可靠性。

編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 模擬電路
    +關注

    關注

    126

    文章

    1611

    瀏覽量

    105853
  • IC設計
    +關注

    關注

    38

    文章

    1406

    瀏覽量

    108436
  • 電平轉(zhuǎn)換器

    關注

    1

    文章

    268

    瀏覽量

    21198
  • 晶圓代工
    +關注

    關注

    6

    文章

    883

    瀏覽量

    49829
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    半導體封裝級可靠性的測試挑戰(zhàn)和解決方案

    1. 基本介紹 在半導體制造中,過程可靠性(Process Reliability)是指通過測試特定的結構,來評估制造工藝本身是否能保證器件在長期使用中的穩(wěn)定性。封裝級可靠性(Package
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:33 ?129次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>封裝級<b class='flag-5'>可靠性</b>的測試挑戰(zhàn)和解決方案

    合式過電壓保護器也叫三相組合式過電壓保護器組合式避雷器

    合式過電壓保護器(又稱三相組合式 / TBP、復合式避雷器),它是 35kV 及以下中壓電網(wǎng)的全能型過電壓防護設備,可同時抑制雷電與操作過電壓(尤其相間 + 相地雙重保護,彌補傳統(tǒng)避雷器短板)。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:21 ?206次閱讀
    復<b class='flag-5'>合式</b>過電壓保護器也叫三相<b class='flag-5'>組合式</b>過電壓保護器<b class='flag-5'>組合式</b>避雷器

    什么是高可靠性?

    一、什么是可靠性? 可靠性指的是“可信賴的”、“可信任的”,是指產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力。對于終端產(chǎn)品而言,可靠度越高,使用保障就越高。 PCB可靠性是指
    發(fā)表于 01-29 14:49

    芯片可靠性(RE)性能測試與失效機理分析

    2025年9月,國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布了六項半導體可靠性測試國家標準,為中國芯片產(chǎn)業(yè)的質(zhì)量基石奠定了技術規(guī)范。在全球芯片競爭進入白熱化的今天,可靠性已成為衡量半導體產(chǎn)品核心價值的關鍵
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:02 ?1394次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>可靠性</b>(RE)性能測試與失效機理分析

    SiC功率半導體可靠性全面解析:失效的本質(zhì)、缺陷控制手段、失效率測試兩種方法

    以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術EE」知識星球-關于SiC功率半導體可靠性全面解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-文字原創(chuàng),素材來源:英飛凌,網(wǎng)絡-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球
    的頭像 發(fā)表于 12-19 08:00 ?545次閱讀
    SiC功率<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>可靠性</b>全面<b class='flag-5'>解析</b>:失效的本質(zhì)、缺陷控制手段、失效率測試兩種方法

    多通道組合式可編程電源系統(tǒng)拓撲結構、技術發(fā)展趨勢

    多通道組合式可編程電源系統(tǒng)拓撲結構、技術發(fā)展趨勢及碳化硅 MOSFET 應用價值深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 08:17 ?699次閱讀
    多通道<b class='flag-5'>組合式</b>可編程電源系統(tǒng)拓撲結構、技術發(fā)展趨勢

    關于半導體器件可靠性的詳解;

    【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”,系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言:真知不問出處,所分享的內(nèi)容
    的頭像 發(fā)表于 12-02 08:33 ?1234次閱讀
    關于<b class='flag-5'>半導體</b>器件<b class='flag-5'>可靠性</b>的詳解;

    賦能高效電池制造:圓柱電芯組合式雙面自動點焊技術

    圓柱鋰電池因其結構穩(wěn)定、能量密度高,被廣泛應用于各種電子產(chǎn)品與電動汽車中。在電池制造過程中,焊接是連接電芯與外部組件的重要環(huán)節(jié)。圓柱電芯的組合式雙面自動化焊接技術,通過自動點焊設備實現(xiàn)高效、可靠
    的頭像 發(fā)表于 10-16 10:08 ?634次閱讀

    傾佳電子代理的基本半導體驅(qū)動IC及電源IC產(chǎn)品力深度解析報告

    傾佳電子代理的基本半導體驅(qū)動IC及電源IC產(chǎn)品力深度解析報告 I. 報告執(zhí)行摘要:基本半導體產(chǎn)品力總覽 1.1 核心價值定位:SiC驅(qū)動生態(tài)
    的頭像 發(fā)表于 09-30 17:53 ?3157次閱讀
    傾佳電子代理的基本<b class='flag-5'>半導體</b>驅(qū)動<b class='flag-5'>IC</b>及電源<b class='flag-5'>IC</b>產(chǎn)品力深度<b class='flag-5'>解析</b>報告

    傾佳電子功率半導體驅(qū)動電路設計深度解析:SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn)

    傾佳電子功率半導體驅(qū)動電路設計深度解析:SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工
    的頭像 發(fā)表于 09-14 22:59 ?1296次閱讀
    傾佳電子功率<b class='flag-5'>半導體</b>驅(qū)動電路設計深度<b class='flag-5'>解析</b>:SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與<b class='flag-5'>可靠性</b>實現(xiàn)

    半導體可靠性測試恒溫箱模擬嚴苛溫度環(huán)境加速驗證進程

    ,加速驗證半導體可靠性測試恒溫箱具備強大的環(huán)境模擬能力,可準確控制溫度、濕度等參數(shù),模擬出高溫、低溫、高溫高濕、低溫低濕等復雜自然環(huán)境。通過這種模擬,能加速芯片的
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:15 ?1486次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>可靠性</b>測試恒溫箱模擬嚴苛溫度環(huán)境加速<b class='flag-5'>驗證</b>進程

    可靠性設計的十個重點

    專注于光電半導體芯片與器件可靠性領域的科研檢測機構,能夠?qū)ED、激光器、功率器件等關鍵部件進行嚴格的檢測,致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務,為光電產(chǎn)品在各種高可靠性場景中的穩(wěn)定應用提供堅實的質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 08-01 22:55 ?1231次閱讀
    <b class='flag-5'>可靠性</b>設計的十個重點

    半導體芯片的可靠性測試都有哪些測試項目?——納米軟件

    本文主要介紹半導體芯片的可靠性測試項目
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:28 ?1634次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>芯片的<b class='flag-5'>可靠性</b>測試都有哪些測試項目?——納米軟件

    半導體測試可靠性測試設備

    半導體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測試設備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”,通過模擬各類嚴苛環(huán)境,對半導體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進行評估,確保其在實際使用中能穩(wěn)定運行。以下為你詳細介紹常見的
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:43 ?1536次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>測試<b class='flag-5'>可靠性</b>測試設備

    提供半導體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

    隨著半導體工藝復雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術通過直接在未封裝晶圓上施加加速應力,實現(xiàn)快速
    發(fā)表于 05-07 20:34
    肇源县| 呼伦贝尔市| 财经| 达日县| 城市| 厦门市| 雅江县| 南岸区| 介休市| 和硕县| 会宁县| 犍为县| 东乌珠穆沁旗| 若尔盖县| 法库县| 广州市| 连城县| 兴业县| 永春县| 科技| 大冶市| 阿克陶县| 罗山县| 浦东新区| 临猗县| 彰化市| 瑞丽市| 诏安县| 曲松县| 林西县| 永兴县| 玛曲县| 临猗县| 阿勒泰市| 法库县| 壶关县| 定襄县| 会宁县| 定安县| 台南市| 宾阳县|