據(jù)韓國媒體《Infostock Daily》11月18日引述消息人士報道，三星電子已決定在美國建立完全采用EUV（極紫外光）生產(chǎn)設(shè)備的LSI（Large－scale integrated circuit，大規(guī)模集成電路）工廠。

同一天，美國亞利桑那州鳳凰城的市議會，以9：0投票結(jié)果一致同意批準(zhǔn)了與臺積電達(dá)成投資協(xié)議。

晶圓代工業(yè)界前兩大廠商前后腳確認(rèn)、推進(jìn)在美國設(shè)廠事宜，還真是值得關(guān)注。

據(jù)《Infostock Daily》消息，三星擬投資100億美元，在美國德克薩斯州奧斯汀市建立一座12吋晶圓新廠——這是三星在美國的第二座生產(chǎn)基地，產(chǎn)能為70K。臺灣聯(lián)合新聞網(wǎng)文章引述業(yè)界解讀稱，三星在美國將擴(kuò)大7nm以下，甚至更先進(jìn)的3nm先進(jìn)制程工藝的布局，意在緊追臺積電在美國投資腳步。

韓媒稱，三星這座預(yù)計全部采用EUV生產(chǎn)設(shè)備的新廠，將是三星在韓國以外第一個使用EUV生產(chǎn)的廠區(qū)。這樣做的目的也是加快拉近與臺積電差距。這座工廠啟用后將生產(chǎn)非存儲芯片，以及系統(tǒng)整合芯片（system LSI）。不過，韓國媒體的報道未提及三星將在奧斯汀設(shè)立的這座新工廠是否已經(jīng)通過美國政府的審查或已進(jìn)入最終階段。

根據(jù)三星官方信息，今年5月，三星在韓國平澤啟動建設(shè)5nm的EUV工廠，而華城廠區(qū)則已量產(chǎn)5nm。在韓國本土，三星共計有六大生產(chǎn)基地，在美國，此前僅有在德州設(shè)有12吋廠生產(chǎn)65nm乃至14nm制程工藝的產(chǎn)品。

類比臺積電，三星也有可能可以獲利美國政府的產(chǎn)業(yè)補(bǔ)助。不過業(yè)界推測，三星要在美國設(shè)立的新廠如果確實要爭取美國補(bǔ)助，那么時間上可能不會很快，預(yù)料仍要一段時間，最快明年才會有新進(jìn)展。

臺積電方面，依據(jù)鳳凰城與臺積電的協(xié)議，這個計劃中共計120億美元的投資項目，鳳凰城將為其提供基礎(chǔ)設(shè)施方面2．05億美元的市政建設(shè)資金。其中，包括6，100萬美元用于鋪設(shè)3英里的道路建設(shè)，3，700萬美元用于水力建設(shè)，以及1．07億美元用于廢水處理設(shè)施。（詳見OFweek昨日文章《臺積電美國設(shè)廠最新進(jìn)展：落地鳳凰城，美方先補(bǔ)貼2．05億美元》）

11月20日，臺積電還公布了最新消息，其在美國的兩家子公司取得了加州圣何塞當(dāng)?shù)?，423坪不動產(chǎn)使用權(quán)，將持續(xù)擴(kuò)大在美國市場的布局。

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