據(jù)外媒New Atlas報道，得克薩斯大學的工程師們創(chuàng)造了有史以來最小的記憶存儲設備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個原子的運動來工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。

這種新設備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻（Memristors），它使用電阻開關存儲數(shù)據(jù)。從本質上講，當某種材料暴露在一定的電壓下時，其電阻可以切換，變得更強或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫入設備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數(shù)據(jù)。

在這種情況下，這種電阻開關是通過單原子移入和移出納米級孔來處理的，這將改變材料的導電性。有關材料是二硫化鉬，盡管該團隊表示，這一概念也應該適用于一系列類似的材料。

“縮放的科學圣杯是下降到一個原子控制記憶功能的水平，這就是我們在新研究中完成的，”該研究的相應作者Deji Akinwande說。

該團隊表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個原子。如果要擴大規(guī)模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運行所需的能量也更少。

“這項工作取得的成果為開發(fā)未來一代應用鋪平了道路。..。..如超密集存儲、神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)、射頻通信系統(tǒng)等。”美國陸軍研究辦公室項目經(jīng)理Pani Varanasi說。

該研究成果發(fā)表在《自然-納米技術》雜志上。
責編AJX