最近看到《世界是平的》作者托馬斯·洛倫·弗里德曼一個視頻，在這個視頻中，他對中美芯片領(lǐng)域的競爭未來做了分析，指出美國的打壓只能會逼迫中國建立完整的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，后果也許就是5年后，美國只能賣大豆給中國了！what？

美國的打壓把自己打的從高科技領(lǐng)先變成農(nóng)副產(chǎn)品出口國？

弗里德曼的擔(dān)憂不是沒有道理，高盛就曾在今年7月發(fā)表一個報告稱中芯國際會在2024年推出5nm工藝。高盛認(rèn)為中芯國際2022年可升級到7nm工藝，2024年下半年升級到5nm工藝，2025年毛利率將提升到30%以上。

近期中芯國際的財報也基本印證了高盛的判斷，11月11日，中芯國際公布2020年第三季度財報，財報顯示，公司在第三季度的三個月時間里，銷售額達(dá)到10.825億美元（折合人民幣約71億），創(chuàng)下歷史新高。中芯國際中國市場的營收占比高達(dá)69.7%、28nm工藝和14nm工藝的營收占比上漲至14.6%。 另外據(jù)媒體消息，首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試已經(jīng)完成。FinFET N+1技術(shù)是中芯國際一直在研發(fā)的項目，這一技術(shù)可以在不需要EUV光刻機的情況下，實現(xiàn)類7nm工藝的突破。中芯國際高管梁孟松曾透露，該公司的FinFET N+1先進工藝在穩(wěn)定性和功率上完全可以比肩7nm工藝。此外，F(xiàn)inFET N+1先進工藝芯片的所有IP均為國產(chǎn)，而且功能一次性測試通過，這對于現(xiàn)階段無法買到EUV光刻機的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言具有重要意義。

隨著中國加大修補芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈，我注意到一個有趣的現(xiàn)象：此前在給中國供貨光刻機的ASML的態(tài)度發(fā)生了很大變化，10月14日，ASML首席財務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）在發(fā)布三季報時作出回應(yīng)，“一般而言，從荷蘭向這些客戶運送DUV光刻機系統(tǒng)不需要向美國申請出口許可。而涉及直接從美國運往這些客戶的系統(tǒng)或者零件，則需要獲得出口許可”。顯然他的話是針對兩周前美國對中芯國際采取進一步出口管制而說的，這意味著在光刻機方面，未來不會受到美國的阻攔了。 稍早前，基于對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分析，我寫了《兩年之內(nèi)，中國將實現(xiàn)28nm芯片自主制造！》，現(xiàn)在，我可以進一步判斷：3年后，我們將實現(xiàn)7n芯片自主制造！屆時，也許我們可以看到中國自己制造的一大票高端芯片！也許有人說3年后，臺積電都1nm了，7nm還有用嗎？當(dāng)然有用！很多通信芯片、工業(yè)芯片、服務(wù)器芯片、安防類的芯片、汽車類芯片用7nm足夠了，現(xiàn)在廣泛使用的MCU ，有的還在用0.13um工藝。

因為，在一些高級工藝關(guān)鍵領(lǐng)域，本土產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)獲得突破。1、中微半導(dǎo)體的5nm等離子體刻蝕機已經(jīng)獲得臺積電的采購

這說明在蝕刻領(lǐng)域本土公司已經(jīng)進入世界前列，3年后，也許中微可以生產(chǎn)3nm甚至更高工藝的蝕刻機了。而且中微半導(dǎo)體是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺積電在28nm制程時便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。

2、在光刻機領(lǐng)域上海微電也有潛力做到7nm，近日，有媒體報道上海微電子裝備（集團）股份有限公司（簡稱SMEE）披露，將在2021-2022年交付第一臺28nm工藝的國產(chǎn)沉浸式光刻機。國產(chǎn)光刻機將從此前的90nm工藝一舉突破到28nm工藝！ 有人說這個28nm不是跟7nm還差很遠(yuǎn)嗎？ 不知道大家看到這個報道沒有？在第三屆進博會上，光刻機巨頭ASML也參展了，并且還在自己的展臺上曬出展示了DUV光刻機。

而此次展示的DUV光刻機可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片--業(yè)內(nèi)專家告訴我通過多次曝光技術(shù)，是可以通過DUV實現(xiàn)7nm制程的，所以有了28nm， 7nm也會很快突破！3、中國濺射靶材等材料已經(jīng)滿足5nm芯片使用在上次的文章中，我們可以了解到，在IC制造中，當(dāng)把電路圖刻到了晶圓上，做了各種清洗，注入了離子，有了開關(guān)特性，但是還要把芯片上的電子元件連接起來才行，就像你把所有的元件都擺放好了，然后你要用導(dǎo)線把他們相互連接起來，這就需要用到濺射。濺射主要是制備薄膜材料，是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種。濺射是用離子轟擊靶材，然后靶材上的原子被轟出來，最后掉在單晶硅的基板上，然后形成特定功能的金屬層，從而形成導(dǎo)電層或者阻擋層等，這就是金屬化。 靶材雖然在整個芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)使用量不如硅片、電子特氣等，在整個芯片生產(chǎn)材料中占比僅2.6%，但卻是芯片生產(chǎn)過程中必不可少的材料。目前，國內(nèi)靶材公司江豐電子已經(jīng)進入臺積電、中芯國際、日本三菱等國際一流晶圓加工企業(yè)產(chǎn)品鏈，目前，江豐電子的超高純金屬濺射靶材在7納米技術(shù)節(jié)點已經(jīng)實現(xiàn)批量供貨，5nm技術(shù)節(jié)點靶材樣品正在客戶端驗證中。4、光刻膠也獲得突破了

11月12日，媒體報道寧波南大光電材料有限公司的首條ArF光刻膠生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)。據(jù)報道，按照計劃，該項目總投資6億元，項目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計實現(xiàn)約10億元的年銷售額，年利稅預(yù)計約2億元。目前，該公司研制出的ArF（193nm）光刻膠樣品正在供客戶測試，該光刻膠可以用于90nm~14nm工藝節(jié)點的集成電路制造。按照中國廠商的迭代速度，3年后，迭代到7nm不是特別大的挑戰(zhàn)。 當(dāng)然，要實現(xiàn)7nm自主制造，我們還有很多挑戰(zhàn)也需要解決，但是，只要是工程問題，總有辦法能解決。

加速中國半導(dǎo)體自主產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建，還有兩個最重要的有利因素：一個是市場，我們有全球最大的IC應(yīng)用市場，10月14日，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會常務(wù)副理事長、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院院長張立在IC CHINA 2020在開幕式上指出中國是全球最大和最重要的集成電路應(yīng)用市場。從市場規(guī)模來看，近10年中國集成電路市場規(guī)模年均增速達(dá)到10.3%。2019年中國消費了全球約50%的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長率更是達(dá)到了25.1%，遠(yuǎn)高于全球同期的6.8%！另一個因素是資本！由于中國政府的引導(dǎo)和科創(chuàng)板推出，半導(dǎo)體投資在中國形成完整閉環(huán)，大量資金和公司涌入半導(dǎo)體領(lǐng)域！

據(jù)云岫資本不完全統(tǒng)計，2020年前7個月，半導(dǎo)體股權(quán)投資案例達(dá)128起，投資總金額超過600億元人民幣，已超過去年全年投資額的兩倍；預(yù)計年底將超過1000億元，達(dá)去年全年總額的3倍！另外截至2020年9月1日，今年全國已有9335家企業(yè)變更經(jīng)營范圍，加入半導(dǎo)體、集成電路相關(guān)業(yè)務(wù)，這一數(shù)字比去年同期增加了1.2倍！大量資本和企業(yè)的涌入雖然造成了一定的泡沫，但是可以讓中國半導(dǎo)體構(gòu)建的更完整，也加速了成熟！ 2015年，中國國務(wù)院頒布了實施制造強國戰(zhàn)略第一個十年的行動綱領(lǐng)《中國制造2025》，該計劃指出，中國力求于2020年實現(xiàn)40%的核心基礎(chǔ)零部件和關(guān)鍵基礎(chǔ)材料能夠自主保障，到2025年提升到70%的核心基礎(chǔ)零部件和關(guān)鍵基礎(chǔ)材料能夠自主保障。這也是讓歐美很恐慌的一個計劃 ，美國對中國的制裁很多源于中國將實現(xiàn)核心器件自主制造。 因此，美國刻意打壓中國的高科技企業(yè)，可是他沒有想到，這樣的打壓反而強化了中國自主制造的決心和意志，以目前的速度看，3年后，中國實現(xiàn)完全非美的7nm制造是完全有可能的！

原文標(biāo)題：當(dāng)3年后中國實現(xiàn)7nm自主造，美國只能給中國賣大豆了？

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