12月22日，江蘇宏微科技股份有限公司（以下簡稱“宏微股份”）的科創(chuàng)板申報(bào)材料獲得上交所受理，公司擬募資5.58億元，分別投向新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及償還銀行貸款及補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目。

宏微股份采取的是Fabless模式，其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體器件，主要包括IGBT、FRED芯片、單管及模塊等產(chǎn)品，報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入分別為2.09億元、2.62億元、2.6億元、1.42億元。

記者梳理發(fā)現(xiàn)，除了擁有芯片自研技術(shù)外，宏微股份還存在每年向其同行業(yè)公司英飛凌大筆采購芯片的情況，且在報(bào)告期內(nèi)，公司每年外購芯片的金額要高于其采購自研芯片所需金額。

并且記者還注意到，國產(chǎn)IGBT廠商斯達(dá)半導(dǎo)同樣存在外購芯片的情況，其背后存在著怎樣的原因？兩家公司對(duì)此又是如何解釋？

英飛凌是第一大供應(yīng)商

宏微股份的產(chǎn)品中，單管主要是指將一個(gè)IGBT芯片單獨(dú)或與FRED芯片、MOSFET芯片通過芯片焊接和鋁絲鍵合至銅框架基板上，接入電極，并通過塑封外殼封裝而成；而模塊中除芯片以外，主要由DBC基板、鋁線或銅線等材料組成。

可以看出的是，不論上述哪款產(chǎn)品，芯片都是其中的核心零部件。

記者從招股書中獲悉，宏微股份是國內(nèi)少數(shù)可以自主研發(fā)IGBT、FRED芯片的公司。但除了由芯片代工供應(yīng)商生產(chǎn)的自研芯片外，宏微股份還存在對(duì)外采購芯片的情況。

報(bào)告期內(nèi)，宏微股份向英飛凌采購的芯片金額分別為：2216.73萬元、4159.39萬元、5159.20萬元以及1423.25萬元，占當(dāng)期采購總額的比重分別為14.89%、21.01%、28.43%和13.49%。而自2018年起，英飛凌就持續(xù)穩(wěn)居宏微股份第一大供應(yīng)商的位置。

值得注意的是，英飛凌的身份不僅是宏微股份的供應(yīng)商，同時(shí)也是宏微股份在功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的國外競爭對(duì)手，根據(jù)IHS Markit 2018年報(bào)告，2017年其全球市場占有率為22.40%，在低電壓、中電壓和高電壓IGBT領(lǐng)域，英飛凌均占據(jù)領(lǐng)先地位。

從另一個(gè)角度看，2017年至2020年1-6月，公司芯片（外購）的采購金額分別為：3776.68萬元、5367.51萬元、6200.62萬元以及2307.7萬元；而前述各期，公司對(duì)自研芯片的采購金額分別為：739.97萬元、1477.97萬元、2382.00萬元以及1734.93萬元。

需要說明的是，外購芯片是指向芯片生產(chǎn)商直接采購芯片成品，而自研是由公司提供芯片光刻版圖設(shè)計(jì)和工藝流程，代工企業(yè)自行采購硅片等原材料加工后向公司交付芯片，屬于原材料采購，公司采購的芯片成本中已經(jīng)包含了代工成本。

上述的數(shù)據(jù)反映出兩個(gè)情況：其一是公司除了向英飛凌外購芯片外，也有向其他廠商外購芯片；其二，公司對(duì)于外購芯片的金額顯著高于自研芯片所需原材料的采購金額。

外購芯片的原因

進(jìn)一步來看，招股書中提到，外購芯片主要包含IGBT芯片、FRED芯片、整流二極管芯片等，各類芯片價(jià)格差異較大，其中IGBT芯片單價(jià)相對(duì)較高；而宏微股份的自研芯片主要為IGBT芯片。

對(duì)于外購芯片的原因，宏微股份未在招股書中具體提及，但公司在解釋主營業(yè)務(wù)毛利率低于同行業(yè)可比公司平均水平時(shí)提到：“公司部分客戶指定要求使用進(jìn)口芯片，進(jìn)口芯片價(jià)格相對(duì)較高，導(dǎo)致部分IGBT模塊毛利率相對(duì)偏低”。

不過由于外購芯片的品種較多，因此在報(bào)告期內(nèi)，宏微股份外購芯片的平均采購單價(jià)低于自研芯片。

此外，除了宏微股份存在外購芯片的情況外，記者注意到，其同行業(yè)公司斯達(dá)半導(dǎo)也存在類似的情形。

斯達(dá)半導(dǎo)在今年1月披露的招股書中稱，公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)的IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片已經(jīng)量產(chǎn)；但同時(shí)，公司仍然存在外購芯片的情況，包括英飛凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH等公司。

除了2019年1-6月外，2016年至2018年，斯達(dá)半導(dǎo)各期外購芯片的金額均超過其采購自主研發(fā)芯片的金額。

為此，在此前監(jiān)管層向公司發(fā)送的“反饋意見”中，監(jiān)管層要求公司說明，外購芯片的原因及合理性，外購芯片的主要采購對(duì)象，公司自主芯片在IGBT模塊產(chǎn)品的重要程度；自主芯片與外購芯片的區(qū)別、聯(lián)系、功能是否可相互替代，公司是否對(duì)外購芯片尤其是進(jìn)口芯片形成重大依賴，自主芯片的核心零部件是否依賴進(jìn)口。

斯達(dá)半導(dǎo)在招股書中稱，其自主研發(fā)設(shè)計(jì)的最新一代FS Trench芯片，具備替代進(jìn)口芯片的能力，公司對(duì)外購芯片不存在重大依賴。而對(duì)外采購芯片的原因是：由于客戶對(duì)公司自研芯片的批量化使用需要一定的驗(yàn)證時(shí)間，因此在正常情況下，公司自主研發(fā)的芯片完全取代進(jìn)口芯片需要一定過程。

就技術(shù)角度而言，斯達(dá)半導(dǎo)稱，其已實(shí)現(xiàn)了IGBT芯片國產(chǎn)化，具備替代進(jìn)口IGBT模塊的能力。宏微股份在招股書中則提到，其最新研發(fā)成功的宏微第四代IGBT M4i 750V 280A芯片，在擊穿耐壓、短路極限時(shí)間方面與英飛凌芯片基本相同，在損耗、電流密度方面與英飛凌芯片相接近。
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