DDR4-3200內(nèi)存將限制11代酷睿核顯性能
日前，NBcheck對(duì)聯(lián)想ThinkBook 14s Yoga ITL商務(wù)翻轉(zhuǎn)本進(jìn)行評(píng)測(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn)，核顯性能出現(xiàn)受限的情況。
這款本本的處理器是酷睿i7-1165G7，16GB內(nèi)存，512GB SSD。
測(cè)試中，在Fire Strike和Time Spy中，比其它本本的成績低了20%到25%。
考慮到核顯都是Iris Xe（96個(gè)EU單元），這樣的結(jié)果有些讓人意外。
進(jìn)一步探究發(fā)現(xiàn)，之前測(cè)試的筆記本采用的是LPDDR4X-4267 RAM，問題就出在這里。我們知道，帶有圖形單元的處理器，GPU沒有獨(dú)立顯存，需要占用系統(tǒng)內(nèi)存來存儲(chǔ)部分渲染數(shù)據(jù)，由此可能造成了速度表現(xiàn)上的差異。
報(bào)道稱，DDR4-3200比LPDDR4X-4267的成本低。
如果你特別在意核顯性能，在選購本本時(shí)要注意內(nèi)存類型和頻率了。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3511瀏覽量
191683 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
3239瀏覽量
76529 -
酷睿
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
445瀏覽量
37247
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
深入解析TPS51116EVM評(píng)估模塊：DDR內(nèi)存供電的理想之選
）的TPS51116EVM評(píng)估模塊，為DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存模塊提供了一個(gè)完整的電源解決方案。接下來，我們將詳細(xì)探討這個(gè)評(píng)估模塊的特
X3D續(xù)命，棘蛇再推高端新品，DDR4時(shí)代真的結(jié)束了嗎？
過去幾年，隨著DDR5內(nèi)存逐漸普及，新平臺(tái)也相繼退出對(duì)前代內(nèi)存的支持，“DDR4時(shí)代已經(jīng)結(jié)束”成為了主流聲音。但站在2026年這個(gè)節(jié)點(diǎn)，我們
探索LTM4632：DDR - QDR4內(nèi)存的完美電源解決方案
探索LTM4632：DDR - QDR4內(nèi)存的完美電源解決方案 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)DDR - QDR4
重磅測(cè)評(píng)！軟硬雙修升級(jí)，酷睿Ultra 200S Plus漂亮反殺！
? 今年3月11日，Intel正式發(fā)布了代號(hào)Arrow Lake Refresh的酷睿Ultra 200S Plus桌面處理器，目前包含四款產(chǎn)品，分別是酷
性能再越級(jí)！英特爾推出全新酷睿Ultra 200HX Plus系列移動(dòng)處理器
英特爾酷睿Ultra 200HX Plus系列登場(chǎng)，全新酷睿 Ultra 9 290HX Plus和酷睿
釋放極致游戲性能！英特爾酷睿Ultra 200S Plus發(fā)布
英特爾酷睿Ultra 200S Plus的內(nèi)容創(chuàng)作性能至高可達(dá)同類產(chǎn)品的兩倍，游戲性能平均提升 15%。其中，酷
輕薄、AI、數(shù)日續(xù)航、性能強(qiáng)勁，第三代英特爾酷睿Ultra新品重磅上市
今日，英特爾在上海舉辦了第三代英特爾酷睿Ultra處理器新品分享會(huì)。作為全球首款基于Intel 18A工藝打造的計(jì)算平臺(tái)，第三代英特爾酷
18核/24核雙旗艦！英特爾酷睿Ultra 200S Plus發(fā)布，游戲性能大漲15%
在桌面處理器領(lǐng)域，英特爾開啟了新品發(fā)布。3月11日晚間，英特爾發(fā)布全新英特爾酷睿Ultra 200S plus系列，包含270K Plus和 250K Plus。新款 Plus 處理器沿用了現(xiàn)有
深度解析：DDR4、DDR5 與 LPDDR6 內(nèi)存的驗(yàn)證要點(diǎn)與挑戰(zhàn)
如果你正在進(jìn)行高速內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)或驗(yàn)證，一定很清楚 DDR 技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，相關(guān)挑戰(zhàn)也不斷升級(jí)。每一代標(biāo)準(zhǔn)都帶來更高的帶寬、更低的功耗，同時(shí)也讓設(shè)計(jì)容錯(cuò)空間變得更小。 目前 DDR 技術(shù)
使用AXI4接口IP核進(jìn)行DDR讀寫測(cè)試
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測(cè)試，讀寫的內(nèi)存大小是
基于FPGA的DDR控制器設(shè)計(jì)
Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運(yùn)行性能與更
發(fā)表于 10-21 14:30
FPGA搭建DDR控制模塊
Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
發(fā)表于 10-21 10:40
【新品體驗(yàn)】上海晶珩(EDATEC) 睿莓1 開發(fā)板試用體驗(yàn)
睿莓1是一款性能優(yōu)異且極具性價(jià)比，專為多種應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)的單板計(jì)算機(jī)。搭載Amlogic S905X4四核處理器，支持多種內(nèi)存和存儲(chǔ)配置，配備
發(fā)表于 07-11 16:48
DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來發(fā)展
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR
AI PC內(nèi)存升級(jí)，這顆DDR5 PMIC一馬當(dāng)先
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR
評(píng)論