基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。

2021年1月18日——基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。

兩個650V常關型GaN晶體管的導通電阻 （RDS（on））分別是150mΩ和225mΩ，每個晶體管都集成一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進的驅(qū)動功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優(yōu)勢。

MasterGaN電力系統(tǒng)級封裝（SiP）系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和配套的高壓柵極驅(qū)動器，并內(nèi)置了所有的必備的保護功能。設計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。

GaN技術(shù)正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%，減重70%，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

內(nèi)置保護功能包括高低邊欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

MasterGaN2現(xiàn)已量產(chǎn)。

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