十銓稱已成功開發(fā)DDR5 SO-SIMM內(nèi)存，希望率先與Intel、AMD的新平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證合作
去年底，TEAMGROUP（十銓）宣布正開發(fā)DDR5內(nèi)存條（U-DIMM，用于臺(tái)式機(jī)）?，F(xiàn)在，SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了，筆記本、迷你機(jī)、NAS等將因此受益。
十銓稱已成功開發(fā)出DDR5 SO-SIMM內(nèi)存，希望率先與Intel、AMD的新平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證合作。
規(guī)格方面，首批DDR5 SO-SIMM內(nèi)存單條16GB容量，頻率4800MHz，電壓低至1.1V，也就是說(shuō)，新一代筆記本在速度提升的同時(shí)，還能不犧牲續(xù)航甚至是獲得更長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。
根據(jù)DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），新一代DDR5內(nèi)存的頻率將從4800MHz起跳，單條可很輕松做到16GB，最大能摸到512GB。另外，DDR5支持芯級(jí)ECC糾錯(cuò)。
看十銓這意思，Intel Alder Lake、AMD Zen 4等有望年內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)桌面、筆記本等平臺(tái)的全覆蓋，大幅推動(dòng)DDR5的商用進(jìn)程。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
amd
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
5708瀏覽量
140448 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3511瀏覽量
191671 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
3238瀏覽量
76525
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
德明利推出CKD DDR5內(nèi)存條 為AI PC提供穩(wěn)定高頻內(nèi)存解決方案
德明利推出CKD DDR5內(nèi)存條，為AI PC提供穩(wěn)定高頻內(nèi)存解決方案 （高頻帶寬釋放性能潛力）
立锜科技推出完整DDR5服務(wù)器內(nèi)存電源解決方案
隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)，及 AI 應(yīng)用的快速發(fā)展，服務(wù)器內(nèi)存對(duì)電源系統(tǒng)提出了更高要求。高精度、低噪聲、高可靠性和高能效已成為 DDR5 時(shí)代的基本標(biāo)準(zhǔn)。
Altera面向DDR5與LPDDR5的FPGA解決方案現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付
隨著行業(yè)加速?gòu)?DDR4 向 DDR5 和 LPDDR5 遷移，內(nèi)存選型正成為決定系統(tǒng)壽命、性能表現(xiàn)與持續(xù)供應(yīng)保障的關(guān)鍵因素。
深度解析：DDR4、DDR5 與 LPDDR6 內(nèi)存的驗(yàn)證要點(diǎn)與挑戰(zhàn)
如果你正在進(jìn)行高速內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)或驗(yàn)證，一定很清楚 DDR 技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，相關(guān)挑戰(zhàn)也不斷升級(jí)。每一代標(biāo)準(zhǔn)都帶來(lái)更高的帶寬、更低的功耗，同時(shí)也讓設(shè)計(jì)容錯(cuò)空間變得更小。 目前
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
TE Connectivity DDR5 DIMM插槽技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TE Connectivity DDR5 DIMM插槽是專為高性能計(jì)算和服務(wù)器平臺(tái)設(shè)計(jì)的下一代內(nèi)存硬件產(chǎn)品。這些插槽支持高達(dá)6.4GT/s（每秒千兆傳輸）的帶寬，并提供空間間距特性，可在元件之間獲得
力旺電子榮獲臺(tái)積公司2025年度開放創(chuàng)新平臺(tái)合作伙伴獎(jiǎng)
力旺電子今年再度榮獲臺(tái)積公司開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）年度合作伙伴獎(jiǎng)，這也是力旺連續(xù)第16年獲得此一殊榮。該獎(jiǎng)肯定了力旺電子在嵌入式內(nèi)存硅智財(cái)?shù)某掷m(xù)創(chuàng)新與杰出表現(xiàn)、對(duì)臺(tái)積公司長(zhǎng)期穩(wěn)健的技術(shù)支持，及能隨市場(chǎng)需求變化提供可靠服務(wù)的承諾。
DDR5 設(shè)計(jì)指南（一）：DDR5 VS LPDDR5
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5
比DDR5速率快兩倍以上！DDR6已進(jìn)入平臺(tái)驗(yàn)證
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達(dá)等CPU/GPU廠商共同推進(jìn)平臺(tái)
臺(tái)式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺(tái)式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 07-14 14:49
?8次下載
漲價(jià)！部分DDR4與DDR5價(jià)差已達(dá)一倍！
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的4
上海貝嶺推出全新DDR5 SPD芯片BL5118
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長(zhǎng)，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR
AI PC內(nèi)存升級(jí)，這顆DDR5 PMIC一馬當(dāng)先
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中
DDR4漲價(jià)20%，DDR5上調(diào)5%！
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)
Cadence推出DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案
業(yè)內(nèi)對(duì)于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗(yàn)證且非常成功的
評(píng)論