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納維科技將在蘇州建設氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地

我快閉嘴 ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2021-01-27 15:07 ? 次閱讀
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據蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。

該項目位于蘇州納米城,總用地面積14000平方米,總建筑面積約34000平方米,將建設氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地與高端產品生產基地,預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

資料顯示,蘇州納維科技成立于2007年5月,致力于第三代半導體產業(yè)核心關鍵材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的產業(yè)化開發(fā)。

據介紹,蘇州納維科技完成了從材料生長設備的自主研發(fā)到氮化鎵單晶襯底的開發(fā)和產業(yè)化,率先實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發(fā)、突破了6英寸產品的關鍵核心技術,能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶。

蘇州納維科技董事長徐科表示,此次奠基的總部大樓將重點承擔蘇州納維科技在生產、研發(fā)等方面的需求,標志著公司在市場、生產、研發(fā)等方面全面發(fā)力。
責任編輯:tzh

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