在PCB的EMC設(shè)計考慮中，首先涉及的便是層的設(shè)置；單板的層數(shù)由電源、地的層數(shù)和信號層數(shù)組成；在產(chǎn)品的EMC設(shè)計中，除了元器件的選擇和電路設(shè)計之外，良好的PCB設(shè)計也是一個非常重要的因素。 PCB的EMC設(shè)計的關(guān)鍵，是盡可能減小回流面積，讓回流路徑按照我們設(shè)計的方向流動。而層的設(shè)計是PCB的基礎(chǔ)，如何做好PCB層設(shè)計才能讓PCB的EMC效果最優(yōu)呢？

1、PCB層的設(shè)計思路：PCB疊層EMC規(guī)劃與設(shè)計思路的核心就是合理規(guī)劃信號回流路徑，盡可能減小信號從單板鏡像層的回流面積，使得磁通對消或最小化。 1、單板鏡像層 鏡像層是PCB內(nèi)部臨近信號層的一層完整的敷銅平面層（電源層、接地層）。主要有以下作用： （1）降低回流噪聲：鏡像層可以為信號層回流提供低阻抗路徑，尤其在電源分布系統(tǒng)中有大電流流動時，鏡像層的作用更加明顯。 （2）降低EMI：鏡像層的存在減少了信號和回流形成的閉合環(huán)的面積，降低了EMI； （3）降低串?dāng)_：有助于控制高速數(shù)字電路中信號走線之間的串?dāng)_問題，改變信號線距鏡像層的高度，就可以控制信號線間串?dāng)_，高度越小，串?dāng)_越??； （4）阻抗控制，防止信號反射。

2、鏡像層的選擇 （1）電源、地平面都能用作參考平面，且對內(nèi)部走線有一定的屏蔽作用； （2）相對而言，電源平面具有較高的特性阻抗，與參考電平存在較大的電勢差，同時電源平面上的高頻干擾相對比較大； （3）從屏蔽的角度，地平面一般均作了接地的處理，并作為基準(zhǔn)電平參考點(diǎn)，其屏蔽效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于電源平面； （4）選擇參考平面時，應(yīng)優(yōu)選地平面，次選電源平面。 2、磁通對消原理： 根據(jù)麥克斯韋方程，分立的帶電體或電流，它們之間的一切電的及磁的作用都是通過它們之間的中間區(qū)域傳遞的，不論中間區(qū)域是真空還是實(shí)體物質(zhì)。在PCB中磁通總是在傳輸線中傳播的，如果射頻回流路徑平行靠近其相應(yīng)的信號路徑，則回流路徑上的磁通與信號路徑上的磁通是方向相反的，這時它們相互疊加，則得到了通量對消的效果。 3、磁通對消的本質(zhì)就是信號回流路徑的控制，具體示意圖如下：

4、如何用右手定則來解釋信號層與地層相鄰時磁通對消效果，解釋如下： （1）當(dāng)導(dǎo)線上有電流流過時，導(dǎo)線周圍便會產(chǎn)生磁場，磁場的方向以右手定則來確定。 （2）當(dāng)有兩條彼此靠近且平行的導(dǎo)線，如下圖所示，其中一個導(dǎo)體的電流向外流出，另一個導(dǎo)體的電流向內(nèi)流入，如果流過這兩根導(dǎo)線的電流分別是信號電流和它的回流電流，那么這兩個電流是大小相等方向相反的，所以它們的磁場也是大小相等，而方向是相反的，因此能相互抵消。

5、六層板設(shè)計實(shí)例

1、對于六層板，優(yōu)先考慮方案3；

分析： （1）由于信號層與回流參考平面相鄰，S1、S2、S3相鄰地平面，有最佳的磁通抵消效果，優(yōu)選布線層S2，其次S3、S1。 （2）電源平面與GND平面相鄰，平面間距離很小，有最佳的磁通抵消效果和低的電源平面阻抗。 （3）主電源及其對應(yīng)的地布在4、5層，層厚設(shè)置時，增大S2-P之間的間距，縮小P-G2之間的間（相應(yīng)縮小G1-S2層之間的間距），以減小電源平面的阻抗，減少電源對S2的影響。 2、在成本要求較高的時候，可采用方案1；

分析： （1）此種結(jié)構(gòu)，由于信號層與回流參考平面相鄰，S1和S2緊鄰地平面，有最佳的磁通抵消效果； （2）電源平面由于要經(jīng)過S3和S2到GND平面，差的磁通抵消效果和高的電源平面阻抗； （3）優(yōu)選布線層S1、S2，其次S3、S4。 3、對于六層板，備選方案4

分析： 對于局部、少量信號要求較高的場合，方案4比方案3更適合，它能提供極佳的布線層S2。 4、最差EMC效果，方案2

分析： 此種結(jié)構(gòu)，S1和S2相鄰，S3與S4相鄰，同時S3與S4不與地平面相鄰，磁通抵消效果差。 6、總結(jié)PCB層設(shè)計具體原則： （1）元件面、焊接面下面為完整的地平面(屏蔽)； （2）盡量避免兩信號層直接相鄰； （3）所有信號層盡可能與地平面相鄰； （4）高頻、高速、時鐘等關(guān)鍵信號布線層要有一相鄰地平面。

原文標(biāo)題：PCB多層板 : 磁通對消法有效控制EMC

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