5G時(shí)代

過去十幾年中，我國的通訊產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從 2G 到 3G，再由 3G 到 4G 的更新迭代。2019 年，三大運(yùn)營商公布 5G 商用套餐，正式標(biāo)志著中國開始進(jìn)入 5G 商用時(shí)代。5G 時(shí)代的到來，不僅大幅提升了通訊速率和效率，促進(jìn)了數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展及硬件設(shè)備的換代升級(jí)，也對信號(hào)傳輸提出了更高要求。

在無線通訊行業(yè)，射頻芯片被稱為模擬芯片領(lǐng)域“皇冠上的明珠”，在信號(hào)傳輸過程中扮演著十分重要的角色。其作為無線連接的核心，能夠?qū)⑸漕l信號(hào)和數(shù)字信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)化，因此凡是接入移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備均需要射頻前端芯片。具體而言，射頻芯片包括低噪聲放大器（ LNA ）、射頻開關(guān)（ RF Switch ）、功率放大器（ PA ）、濾波器（ Filter ）等多種器件。

伴隨著通信產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展，射頻器件作為無線通訊不可缺少的基礎(chǔ)一環(huán)，市場需求量也在不斷提升，據(jù)Yole的數(shù)據(jù)顯示，2018 年全球移動(dòng)終端射頻前端市場規(guī)模為 150 億美元，而預(yù)計(jì)到 2025 年有望達(dá)到 258 億美元。面對快速增長的市場需求及我國 5G 技術(shù)的高速發(fā)展，實(shí)現(xiàn)射頻芯片本土化替代的需求不斷加快，這也為我國射頻產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的發(fā)展提供了良好的機(jī)遇。

作為中國領(lǐng)先的模擬與分立半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，豪威集團(tuán)旗下韋爾半導(dǎo)體一直致力于高性能射頻器件的研發(fā)，持續(xù)引領(lǐng)射頻新技術(shù)發(fā)展，尤其在低噪放（ LNA ）、射頻開關(guān)（ RF Switch ）、天線調(diào)諧器（ Tuner ）領(lǐng)域，已打造出成熟的產(chǎn)品布局。其射頻產(chǎn)品依靠新設(shè)計(jì)、新工藝和新材料的結(jié)合，突破了傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路，為無線通信領(lǐng)域多元化的產(chǎn)品提供創(chuàng)新動(dòng)力。

在射頻器件中，射頻開關(guān)（ RF Switch ）可用于實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)接收與發(fā)射的切換及不同頻段間的切換。隨著 5G 商業(yè)化落地，不同頻段信號(hào)接收、發(fā)射的需求量不斷增大，對射頻開關(guān)的要求也隨之增加。韋爾半導(dǎo)體最新推出了 HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE 三款 5G 射頻開關(guān)器件，具有低插入損耗，高端口隔離度的特性，可支持高頻 6GHz 應(yīng)用，即使遠(yuǎn)隔千山萬水，也能保障良好的信號(hào)發(fā)射和接收效果。

HWS7804LMA

HWS7804LMA 采用 RF CMOS 絕緣體上硅（ SOI ）技術(shù)，是一顆大功率 MIPI 控制的單刀四擲開關(guān)，適用 0.1G-6GHZ 的寬帶射頻范圍，并針對高性能 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G NR 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有低導(dǎo)通電阻、低關(guān)斷電容和高功率承受能力的特性。該射頻開關(guān)設(shè)置 RFFE2.1 控制接口，并采用 1.1mm×1.1mm 9 引腳進(jìn)行封裝，無需再外加隔直電容。憑借低功耗及小封裝的優(yōu)勢，HWS7804LMA 可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、蜂窩調(diào)制解調(diào)器和 USB 設(shè)備及多模 GSM、EDEG、WCDMA、LTE 和 5G NR 應(yīng)用中。

VWS7802LA

VWS7802LA 是一款高功率的單刀雙擲開關(guān)，對 5G NR 高功率、高線性度進(jìn)行了優(yōu)化，可廣泛應(yīng)用于 5G 射頻前端。

VWS7822LE

VWS7822LE 則是一款具有優(yōu)質(zhì)線性度的雙刀雙擲轉(zhuǎn)換開關(guān)，其優(yōu)質(zhì)的線性度和諧波性能非常適合多模 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE 手機(jī)應(yīng)用。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面，VWS7822LE 采用 1.5mmx1.1mm 10pin 的緊湊封裝尺寸，可在 1.4V-4.2V 的供電電壓范圍內(nèi)工作，適用于多元化平臺(tái)和產(chǎn)品形態(tài)，幫助設(shè)計(jì)人員將其快速集成到多模多頻段系統(tǒng)中，大大滿足市場對射頻開關(guān)復(fù)雜功能的需求。

除上述三款全新產(chǎn)品外， 韋爾半導(dǎo)體還擁有幾乎全系列 LTE 分立接收開關(guān)。其中 WS7810QM （單刀十?dāng)S）和 WS7812QD （雙刀 12 擲）均采用 MIPI 控制，可使射頻前端達(dá)到最優(yōu)布局，具有低插損、高隔離、高線性度等特點(diǎn)，支持到 3.8GHz 高頻應(yīng)用，并具有大量量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，封裝可靠性得到有效保證。兩款產(chǎn)品均為手機(jī)、蜂窩通訊模塊、數(shù)據(jù)卡等應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。

此外，韋爾半導(dǎo)體還在 2019 年分別推出了 WS7854QA 及 WS7872DA 兩款產(chǎn)品。

WS7854QA 是一款帶 ESD 防護(hù)的單刀四擲開關(guān)，針對 3G/4G 射頻路徑和分集應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并具有高線性度、低插入損耗的優(yōu)勢，其工作頻率可高達(dá) 3GHz，可滿足 LTE TRx 的中功率需求，已被廣泛應(yīng)用于 WCDMA/LTE 手機(jī)和數(shù)據(jù)卡應(yīng)用中，可為手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備提供更長的續(xù)航時(shí)間。在產(chǎn)品封裝上， WS7854QA 則采用 1.1x1.1 mm2 緊湊型四方扁平無引線（ QFN ）封裝結(jié)構(gòu)，消除了側(cè)向突出于封裝之外的耗費(fèi)空間大的外部引線，有效改善封裝時(shí)連接可靠性。

WS7872DA 則屬于單刀雙擲（ SPDT ）開關(guān)。該產(chǎn)品工作頻率可高達(dá) 6GHz ， 并具有高線性度、較低的插入損耗、開關(guān)切換時(shí)間快等優(yōu)勢。WS7872DA 采用 1.0 x 1.0 mm2 緊湊型雙扁平無引線（ DFN ）封裝結(jié)構(gòu)，且功耗極低，是 802.11 a/b/g/ 等 WLAN 應(yīng)用的理想選擇。

除射頻開關(guān)產(chǎn)品外，韋爾半導(dǎo)體還擁有一系列低噪音放大器（ LNA ）產(chǎn)品。區(qū)別于控制信號(hào)通道轉(zhuǎn)換作用的射頻開關(guān)，低噪聲放大器（ LNA ）則可將接收到的微弱射頻信號(hào)放大，并盡量降低噪聲的引入，以實(shí)現(xiàn)良好的信噪比。WS7932DE 是韋爾半導(dǎo)體研發(fā)的第 3 代 LTE LNA 產(chǎn)品，采用 COMS 工藝實(shí)現(xiàn)了 18dB 的高增益，有效提升了系統(tǒng)接收靈敏度，并憑借 0.8dB 的低噪聲系數(shù)，大大提高了輸出信噪比。同時(shí)， WS7932DE 采用了業(yè)界通用的 1.1mm X 0.7mm 小尺寸封裝，與主流型號(hào)兼容，方便調(diào)試替換，既為產(chǎn)品設(shè)計(jì)節(jié)省了寶貴的內(nèi)部空間，又利于加速產(chǎn)品上市速度。

如今，人們已逐漸認(rèn)識(shí)到“中國芯”替代在科技競爭中的重要作用，隨著 5G 技術(shù)及通訊產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展，射頻器件的重要性也愈發(fā)凸顯。韋爾半導(dǎo)體憑借前瞻的技術(shù)研發(fā)、基于十余年技術(shù)積累和自主的技術(shù)架構(gòu)工藝創(chuàng)新，已自行研發(fā)出可廣泛覆蓋手機(jī)和通訊模塊市場、 WiFi 路由器市場和通訊基站市場的射頻前端解決方案。面向 5G 時(shí)代，韋爾半導(dǎo)體也將持續(xù)專注于技術(shù)革新，推動(dòng)“中國芯”從跟隨到主導(dǎo)，從國產(chǎn)替代到齊頭并進(jìn)，攜手行業(yè)共同發(fā)力 5G 在中國乃至全球的發(fā)展。

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