日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

芯片設(shè)計過程中可能會出現(xiàn)的有關(guān)功耗的關(guān)鍵考量因素

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 作者:新思科技 ? 2021-03-05 17:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在芯片設(shè)計領(lǐng)域,功耗始終是最重要的考量因素之一。芯片設(shè)計開發(fā)者們一直在努力優(yōu)化功耗和性能目標(biāo),“低功耗”已然成為人們一直掛在嘴邊的口號。然而高性能計算 (HPC) 和人工智能AI) 等應(yīng)用需要更復(fù)雜的芯片,這也將成為改變功耗的影響因素之一。

在這篇文章中,我們將會探討今年在芯片設(shè)計過程中可能會出現(xiàn)的有關(guān)功耗的關(guān)鍵考量因素。

2019年底Cerebras 推出了世界上最大的芯片,晶圓級引擎 (WSE),面積為 46,225mm2,集成了 1.2 萬億個晶體管和 40萬個經(jīng)過 AI 優(yōu)化的內(nèi)核,并已成為該公司 Cerebras CS-1 深度學(xué)習(xí)系統(tǒng)的核心元件。如果考慮面積超過 800mm2 芯片的物理特性,我們會發(fā)現(xiàn),只有小心翼翼地管理功耗,才能獲得同等的性能優(yōu)勢。由于 AI 所需的海量計算力會持續(xù)增長,芯片規(guī)模也會不斷變大,攜帶更多晶體管,或變成垂直架構(gòu)。

溫度是限制芯片性能的關(guān)鍵因素之一。

一個晶圓上分布著大量的晶體管,如此高的密度使得結(jié)溫升高,從而導(dǎo)致芯片性能下降。由于功率會嚴(yán)重限制芯片性能,設(shè)計人員因此必須考慮熱失控問題。EDA公司越來越重視溫度因素,并將其視為與PPA(性能、功耗、面積)同等重要的芯片設(shè)計目標(biāo)。

垂直架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)之一是不必將所有晶圓置于同一幾何層面,設(shè)計人員因此可以在各個給定的晶圓中,運(yùn)用最適合現(xiàn)有任務(wù)的工藝節(jié)點(diǎn),更加合理地管理整體功耗。但3DIC仍然面臨著一個難題,即如何在不損耗電壓的情況下,為設(shè)備上的所有部件輸送電力。

因此,保持電源完整性并擁有高效的電力輸送網(wǎng)絡(luò)變得尤為關(guān)鍵,尤其是對于那些規(guī)模較大的芯片來說。設(shè)計人員在從 A 點(diǎn)向 B 點(diǎn)輸送電壓時,都會竭力減少壓降。

然而在較低的幾何層面,總電容還是會升高。當(dāng)柵極電容升高時,動態(tài)功耗就會隨之增加,所以設(shè)計人員需要從功能角度出發(fā),研究并尋求更加出色的監(jiān)控以及動態(tài)和靜態(tài) IR 壓降。

動態(tài) IR 壓降是另一個難題,因為它和芯片行為密切相關(guān)。

如何獲得一個正確的向量來代表它在現(xiàn)場實體系統(tǒng)中的行為方式,大都取決于其正在執(zhí)行的功能。然而向量的質(zhì)量是進(jìn)行動態(tài)功耗分析和優(yōu)化的首要因素,為此,基于仿真的功耗分析提供了一種解決方案。

比如,在真正的SoC設(shè)計系統(tǒng)上運(yùn)行某一實際應(yīng)用時,業(yè)內(nèi)最快的仿真系統(tǒng)ZeBu Server 4 可以準(zhǔn)確定位到右側(cè)窗口/向量,從而為功耗分析提供支持。設(shè)計人員從而能夠更加準(zhǔn)確地判定 SoC 的功耗,并相應(yīng)地調(diào)整 RTL。

管理物聯(lián)網(wǎng)IoT) 設(shè)計中的功耗

雖然用于AI等應(yīng)用的芯片越來越大,但另一方面,電池供電的IoT設(shè)備卻越來越多。這些設(shè)備的芯片不斷縮小,且低功耗是延長電池使用壽命和提高設(shè)備性能的關(guān)鍵。

這些應(yīng)用的芯片越來越多地采用更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)(例如 7nm、5nm 或 3nm 節(jié)點(diǎn))和遍布整個架構(gòu)的柵極,因此漏電問題需要格外重視。

當(dāng)運(yùn)行電壓較低時,設(shè)計人員則需要多加關(guān)注晶體管之間的差異以及時序問題。

時鐘門控歷經(jīng)多年發(fā)展取得了明顯進(jìn)步,由簡單的時鐘門控發(fā)展為自門控,繼而實現(xiàn)順序時鐘門控,多年來,時鐘門控都是降低功耗最為得心應(yīng)手的法寶。

而動態(tài)電壓調(diào)節(jié) (DVS) 也是非常常見的降耗技術(shù),許多設(shè)計都開始改用這種更先進(jìn)的自適應(yīng)電壓頻率調(diào)節(jié) (AVFS) 方法。2020 年 11 月,新思科技收購 Moortec,這是一家專門提供工藝、電壓和溫度 (PVT) 傳感器芯片監(jiān)控技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。

Moortec 傳感器是新思科技硅生命周期管理 (Silicon Lifecycle Management, SLM) 平臺的重要組件,它能夠提供芯片數(shù)據(jù),幫助設(shè)計人員在其設(shè)計成果的時鐘網(wǎng)絡(luò)上更加從容地控制電壓。

這一特點(diǎn)也為開展分析工作創(chuàng)造了重大機(jī)遇,由于它能夠評估各個芯片的構(gòu)成,并在設(shè)備的整個生命周期內(nèi)不斷測量動態(tài)條件,因此也使得在芯片和整個產(chǎn)品級別同時實現(xiàn)功耗優(yōu)化成為可能。

新思科技提供了一個軟件驅(qū)動的低功耗平臺,包括架構(gòu)分析,模塊 RTL 功耗分析,以及SoC 功耗分析和優(yōu)化的各種功能。該平臺具體包括:

● 新思科技 Platform ArchitectTM Ultra,用于多核 SoC 架構(gòu)的早期性能和功耗分析及優(yōu)化;全面展示功耗趨勢以便作出更加合理的決策,為指定設(shè)計選擇合適的架構(gòu)和 IP

● 新思科技 VCS 功能驗證解決方案

● 新思科技 SpyGlass Power,用于 RTL 功耗優(yōu)化;快速得出結(jié)果,可及時編輯 RTL

● 新思科技 RTL Architect(物理感知 RTL 分析、優(yōu)化及簽核)和 PrimePower RTL( RTL 功耗估算),為更加成熟的 RTL 代碼提供準(zhǔn)確性保障

● 新思科技 DesignWare IP,具有功耗感知內(nèi)核及經(jīng)過功耗優(yōu)化的元件庫

● 新思科技 ZeBu Server 4 仿真系統(tǒng)

● 新思科技 Fusion Compiler RTL-to-GDSII 數(shù)字實現(xiàn)解決方案,能夠從前端到后端全面優(yōu)化設(shè)計的功耗

● 新思科技 RedHawk Analysis Fusion,集成新思科技 IC Compiler II 和 Fusion Compiler,能夠提供in-design電源完整性分析和修復(fù)功能

● 新思科技 TestMAX 系列測試自動化解決方案能夠生成節(jié)能型向量,確保在自動化測試設(shè)備 (ATE) 上測試 SoC

● PrimePower 門級功耗分析和金牌功耗簽核

這一低功耗平臺可以涵蓋 SoC 設(shè)計流程的每一步,使得設(shè)計人員能夠從流程之初就開始考量并優(yōu)化功耗。

AI 等應(yīng)用的芯片越來越大,而 IoT 的芯片卻越來越小。這些趨勢極其明確地告訴我們,功耗考量需要未雨綢繆。

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54475

    瀏覽量

    469791
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10446

    瀏覽量

    148713
  • 功耗
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    844

    瀏覽量

    33349

原文標(biāo)題:新思出品 | 2021年,功耗那些事

文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶圓檢測過程中產(chǎn)生的異物去除方案

    在晶圓制造過程中,particle(顆粒、微塵埃等污染物)是影響芯片良率的核心因素之一,這類顆粒可能來自環(huán)境、設(shè)備、工藝材料或人員操作,一旦附著在晶圓表面,會導(dǎo)致光刻圖形缺陷、薄膜沉積
    的頭像 發(fā)表于 01-15 15:25 ?391次閱讀

    請問如何解決CW32L083系列微控制器在通信過程中可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯誤問題?

    如何解決CW32L083系列微控制器在通信過程中可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯誤問題?
    發(fā)表于 12-16 08:01

    BMS設(shè)計如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實踐

    MOSFET時需要綜合考慮多個因素,以確保其滿足BMS的高效和穩(wěn)定運(yùn)行要求。本文將介紹在BMS設(shè)計過程中選擇MDD的MOSFET時需要重點(diǎn)關(guān)注的關(guān)鍵因素和最佳實踐。一、MO
    的頭像 發(fā)表于 12-15 10:24 ?584次閱讀
    BMS設(shè)計<b class='flag-5'>中</b>如何選擇MOSFET——<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>考慮<b class='flag-5'>因素</b>與最佳實踐

    深入解析灌封膠:固化原理、過程關(guān)鍵影響因素

    有機(jī)硅灌封膠的固化過程是其應(yīng)用的核心環(huán)節(jié),直接決定了最終產(chǎn)品的性能與可靠性。施奈仕團(tuán)隊將為您系統(tǒng)解讀有機(jī)硅灌封膠的固化原理、過程演進(jìn)及影響固化效果的關(guān)鍵因素。一、固化原理:交聯(lián)反應(yīng)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 15:14 ?755次閱讀
    深入解析灌封膠:固化原理、<b class='flag-5'>過程</b>與<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>影響<b class='flag-5'>因素</b>

    NVIDIA DGX Spark系統(tǒng)恢復(fù)過程與步驟

    在使用 NVIDIA DGX Spark 的過程中,可能會出現(xiàn)配置故障,而導(dǎo)致開發(fā)中斷的問題,本篇教程將帶大家了解如何一步步完成系統(tǒng)恢復(fù)。
    的頭像 發(fā)表于 11-28 09:46 ?6015次閱讀
    NVIDIA DGX Spark系統(tǒng)恢復(fù)<b class='flag-5'>過程</b>與步驟

    大電流起弧過程中電弧聲壓/超聲波信號的特征提取與故障診斷

    接觸不良、絕緣破損、元件老化等故障時,電弧的燃燒狀態(tài)會發(fā)生改變,相應(yīng)的聲壓超聲波信號也會出現(xiàn)異常變化。因此,通過提取這些信號關(guān)鍵特征,并結(jié)合特征變化規(guī)律進(jìn)行分析,就能實現(xiàn)對大電流起弧過程中
    的頭像 發(fā)表于 09-29 09:27 ?747次閱讀
    大電流起弧<b class='flag-5'>過程中</b>電弧聲壓/超聲波信號的特征提取與故障診斷

    靜力水準(zhǔn)儀在測量過程中遇到誤差如何處理?

    靜力水準(zhǔn)儀在測量過程中遇到誤差如何處理?靜力水準(zhǔn)儀在工程沉降監(jiān)測中出現(xiàn)數(shù)據(jù)偏差時,需采取系統(tǒng)性處理措施。根據(jù)實際工況,誤差主要源于環(huán)境干擾、設(shè)備狀態(tài)、安裝缺陷及操作不當(dāng)四類因素,需針對性解決。靜力
    的頭像 發(fā)表于 08-14 13:01 ?1089次閱讀
    靜力水準(zhǔn)儀在測量<b class='flag-5'>過程中</b>遇到誤差如何處理?

    使用AURIX進(jìn)行調(diào)試的過程中,如果進(jìn)入某個函數(shù)的時候出現(xiàn)問題,是配置項的問題還是函數(shù)的變量的問題?

    在使用AURIX進(jìn)行調(diào)試的過程中,如果進(jìn)入某個函數(shù)的時候出現(xiàn)問題,是配置項的問題還是函數(shù)的變量的問題?
    發(fā)表于 08-11 07:17

    GNSS 模塊選頻關(guān)鍵:u-blox、Sony 芯片推薦頻率與 TCXO 配置指南

    ,就是內(nèi)部使用的晶體振蕩器(TCXO)? GNSS對時鐘源的要求 GNSS模塊通過接收多顆衛(wèi)星的信號進(jìn)行偽距解算,而這一過程中對本地時鐘的穩(wěn)定性提出了較高要求。若使用普通晶振或精度不足的TCXO
    發(fā)表于 07-28 12:34

    三防漆在噴涂過程中出現(xiàn)虹吸現(xiàn)象該怎么解決

    在三防漆噴涂過程中,有時會出現(xiàn)“虹吸現(xiàn)象”——漆料被吸入元器件引腳間隙、芯片底部等狹小空間,導(dǎo)致這些區(qū)域堆積過厚,而周圍板面卻涂覆不足。這種現(xiàn)象看似是“漆料自動流動”,實則與材料特性、工藝參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 07-18 17:13 ?1250次閱讀
    三防漆在噴涂<b class='flag-5'>過程中出現(xiàn)</b>虹吸現(xiàn)象該怎么解決

    Allegro Skill字符功能之設(shè)置字符位置及字體

    在PCB設(shè)計過程中,當(dāng)大量器件被導(dǎo)入到PCB板上時,可能會出現(xiàn)器件絲印字體相互重疊,使得器件位號難以辨認(rèn)的情況。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:46 ?2742次閱讀
    Allegro Skill字符功能之設(shè)置字符位置及字體

    固定式測斜儀在測量過程中遇到誤差如何處理?

    在巖土工程與結(jié)構(gòu)物安全監(jiān)測,固定式測斜儀是捕捉位移變化的核心設(shè)備。然而,實際應(yīng)用可能因環(huán)境、操作或設(shè)備因素導(dǎo)致測量誤差。很多人想要了解固定式測斜儀在測量
    的頭像 發(fā)表于 06-13 12:10 ?803次閱讀
    固定式測斜儀在測量<b class='flag-5'>過程中</b>遇到誤差如何處理?

    選購高低溫試驗箱怕踩雷?這5個關(guān)鍵指標(biāo)幫你避坑省錢

    低溫試驗箱作為評估產(chǎn)品環(huán)境適應(yīng)性的關(guān)鍵設(shè)備,在選型過程中需綜合考量性能、可靠性以及成本等多方面因素。
    的頭像 發(fā)表于 06-10 15:28 ?1145次閱讀
    選購高低溫試驗箱怕踩雷?這5個<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>指標(biāo)幫你避坑省錢

    CYPD5235的CC Pin功能異常,還可能會跟什么有關(guān)?

    /VSYS/VDDD/V5V_P1的電都是正常的。 請教問題: 1。CYPD5235的CC Pin功能異常,還可能會跟什么有關(guān)? 2。去掉的MP8859,會影響CYPD5235的軟件代碼執(zhí)行嗎?如果會
    發(fā)表于 05-30 07:04

    芯片晶圓堆疊過程中的邊緣缺陷修整

    視為堆疊邏輯與內(nèi)存、3D NAND,甚至可能在高帶寬存儲(HBM)的多層DRAM堆疊的關(guān)鍵技術(shù)。垂直堆疊使得芯片制造商能夠?qū)⒒ミB間距從35μm的銅微凸點(diǎn)提升到10μm甚至更小。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:24 ?1891次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>晶圓堆疊<b class='flag-5'>過程中</b>的邊緣缺陷修整
    邻水| 广南县| 黄梅县| 博爱县| 正镶白旗| 扶沟县| 清镇市| 肇东市| 上高县| 纳雍县| 涿鹿县| 永福县| 兰州市| 临江市| 华容县| 桐庐县| 高青县| 九江市| 景谷| 太谷县| 台南市| 呼和浩特市| 漾濞| 彰化市| 体育| 呼伦贝尔市| 皮山县| 松桃| 江口县| 文水县| 东丽区| 永寿县| 宜章县| 贺州市| 文安县| 富平县| 湘乡市| 杭锦后旗| 买车| 普宁市| 武城县|