MOSFET是電路中最基本的元器件，其憑借著開關(guān)速度快、導通電壓低、電壓驅(qū)動簡單等特點，被廣泛應(yīng)用在各個電子領(lǐng)域之中，其中不乏汽車電子領(lǐng)域方面。

眾所周知，汽車電子領(lǐng)域?qū)﹄娮赢a(chǎn)品和元件的把控都有著嚴格的要求，比如，電子產(chǎn)品的抗干擾能力要強，以防止汽車被干擾而導致系統(tǒng)故障；電子產(chǎn)品的體積要盡可能的小，以適應(yīng)汽車體積的限制；在正常運行下自身不可以有過高的噪聲和電磁干擾，以防止干擾汽車上其他電子設(shè)備。

因此，東芝就以上需求推出了一款以小型貼片式TSON Advance（WF）封裝的MOSFET為主導的產(chǎn)品——XPN3R804NC，來解決車載電子領(lǐng)域中設(shè)備體積大，抗干擾能力差，效率低等問題。

電氣特性分析

XPN3R804NC具有以下特點：

采用帶有可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)的小型貼片式TSON Advance（WF）的封裝，尺寸縮小至3.3mm×3.6mm（典型值）；

低導通電阻：RDS（ON）＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）；

低漏電流：IDSS＝10μA（最大值）（VDS＝40V）；

增強型MOS：Vth＝1.5V-2.5V（VDS＝10V，ID＝0.3mA）；

符合AEC-Q101認證。

具體參數(shù)如下：

（Ta＝25℃）

結(jié)構(gòu)特性分析

XPN3R804NC采用的是東芝第8代U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)，是高速溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一，其主要應(yīng)用于AC-DC和DC-DC電源電路設(shè)計方案之中。

U-MOSⅧ-H采用最新的溝槽MOS工藝和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，在導通電阻和電容（如輸入，反向傳輸和輸出電容）之間實現(xiàn)了出色的平衡關(guān)系。而且采用的U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)可以有助于提高電源效率，與之前的舊產(chǎn)品相比，除了降低設(shè)備功耗之外還可以降低輻射噪聲。十分適合應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域之中。

應(yīng)用場景

XPN3R804NC憑借其電源效率高、低功耗、小型貼片式TSON Advance（WF）封裝和抗干擾能力強等優(yōu)勢，可以被應(yīng)用于車載設(shè)備、開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器等汽車電子領(lǐng)域方面的產(chǎn)品中。

作為一家在MOSFET應(yīng)用方面深耕多年的企業(yè)，東芝半導體憑借著對汽車電子市場敏銳的洞察能力和不斷地產(chǎn)品迭代創(chuàng)新的科技力量，致力于為全球客戶提供先進的產(chǎn)品與優(yōu)秀的解決方案。未來，東芝也會堅持在技術(shù)設(shè)計上改進創(chuàng)新，推動車用MOSFET市場發(fā)展。

編輯：jq