電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）Power-SOI主要構(gòu)造為單晶頂層硅片（mono-crystal top material），中間氧化埋層（buried oxide）及底層的硅基底（silicon base）。由于Power-SOI晶圓加厚Buried Oxide結(jié)構(gòu)，能夠有效克服高電壓可能穿透元件的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)功率元件使用上的穩(wěn)定性。因此，Power-SOI主要應(yīng)用于BCD（BIPOLAR-CMOS-DMOS）功率集成電路制造技術(shù)中的高壓元件集成。據(jù)法國(guó)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商Soitec的內(nèi)部估算，在Power-SOI汽車(chē)領(lǐng)域，2021年大概每臺(tái)車(chē)?yán)锩嬗?00mm2面積的用量。預(yù)計(jì)三到五年內(nèi)該用量將從200mm2提高到300mm2。

Power-SOI的結(jié)構(gòu)示意圖

Power-SOI的主要市場(chǎng)

智能駕駛、ADAS系統(tǒng)促使Power-SOI器件需求的增加，之所以Power-SOI受到青睞一個(gè)關(guān)鍵因素是Power-SOI能夠滿足功能安全（FuSa）的嚴(yán)苛要求，賦能關(guān)鍵汽車(chē)應(yīng)用。在最近對(duì)Soitec公司Specialty-SOI事業(yè)部業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理林展鵬的采訪中，他詳細(xì)分析了Power-SOI的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)機(jī)會(huì)。



當(dāng)前Power-SOI主要應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療市場(chǎng)。其中最大的市場(chǎng)來(lái)自于汽車(chē)，其次是工業(yè)，再是醫(yī)療。Soitec的Power-SOI已經(jīng)在車(chē)載網(wǎng)絡(luò)IVN、柵極驅(qū)動(dòng)器、電源管理系統(tǒng)BMS方面占有較大市場(chǎng)份額，新應(yīng)用主要聚焦在智能電機(jī)控制和智能電源管理領(lǐng)域。工業(yè)類(lèi)的Power-SOI也基本上與汽車(chē)類(lèi)的相同，不同是工業(yè)類(lèi)應(yīng)用還有以太網(wǎng)供電PoE等。醫(yī)療類(lèi)的Power-SOI集中應(yīng)用在PMIC、柵極驅(qū)動(dòng)器、超聲脈沖發(fā)生器IC和專(zhuān)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品電機(jī)控制器等。

車(chē)載和工業(yè)用 Power-SOI的趨勢(shì)

在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域有四大趨勢(shì)推動(dòng)Power-SOI市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)。

第一是48V電氣系統(tǒng)的應(yīng)用。隨著混動(dòng)汽車(chē)的流行，48V的電氣系統(tǒng)也愈發(fā)受到關(guān)注。48V的電氣系統(tǒng)主要是代替以前12V電氣系統(tǒng)。林展鵬分析，當(dāng)電氣系統(tǒng)電壓提高到48V時(shí)，對(duì)于用BCD制程做高集度的IC，它的工作電壓需求從60V提高到200V。200V正在成為新的BCD制程工藝的主流。在這一趨勢(shì)下，Power-SOI的使用率會(huì)越來(lái)越高，BCD工作電壓提高到120V以上時(shí)，Power-SOI 能夠讓晶圓片的面積顯著減小，最多可以節(jié)省接近40倍。



另外，“傳統(tǒng)48V轉(zhuǎn)12V，它的效率大概在95%。當(dāng)它從12V轉(zhuǎn)3.3V或者1.05V的時(shí)候，大概是90%的效率。綜合來(lái)看，它的效率大概最多只能達(dá)到80%。如果把它直接從48V轉(zhuǎn)1.05V，它的效率可以輕而易舉達(dá)到88%以上?！绷终郭i說(shuō)道，48V的電氣系統(tǒng)有效地提升了能效的轉(zhuǎn)換和利用。

第二是FuSa（Functional Safety，功能安全）。它的應(yīng)用范圍主要是汽車(chē)和工業(yè)，包括汽車(chē)的自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和工業(yè)4.0等。其中，汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)為ISO26262，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為IEC61508。

要達(dá)到FuSa認(rèn)證，那么IC內(nèi)部對(duì)數(shù)字電路和NVM（非易失性存儲(chǔ)器）有明顯增加。對(duì)低 FIT （故障率）有更高的集成需求，要實(shí)現(xiàn)低FIT，最好的方法是將整個(gè)系統(tǒng)的IC數(shù)量減少，實(shí)現(xiàn)更高的集成度。此外，F(xiàn)uSa有著更嚴(yán)格的制程和更強(qiáng)的穩(wěn)定性的要求。



第三是純電動(dòng)車(chē)和混動(dòng)車(chē)對(duì)汽車(chē)規(guī)格的認(rèn)證比如AEC-Q100C的需求很高。尤其是純電動(dòng)車(chē)適用的AEC-Q100C Grade 0認(rèn)證，對(duì)IC結(jié)溫（junctiontemperature）的要求是必須大于175攝氏度。這對(duì)傳統(tǒng)體硅（bulk silicon）是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，而Power-SOI可以輕松實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。

另一方面，隨著汽車(chē)排放標(biāo)準(zhǔn)要求的不斷提升，模組需要更高的功率密度和更優(yōu)性能，那么整個(gè)模組變輕變小后，車(chē)輛可以行駛更長(zhǎng)的路程，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的排放。

第四是工業(yè)4.0和狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)新需求。對(duì)工業(yè)規(guī)格的智能功率集成IC和附有狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)功能的IC而言，它們對(duì)于可編程功能、診斷性功能、智能功率管理功能的需求也日益提高。這些應(yīng)用也會(huì)像FuSa一樣，需要大量數(shù)字電路和存儲(chǔ)器以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。同時(shí)智能功率IC也對(duì)集成度有更高要求，例如把小型MCU加入在同一個(gè)功率IC上面。

基于這四大趨勢(shì)，Power-SOI以良好的性能表現(xiàn)將成為越來(lái)越多功率半導(dǎo)體的選擇。

Power-SOI的特性

具體來(lái)看，Power-SOI襯底有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，來(lái)滿足汽車(chē)和工業(yè)等領(lǐng)域的需求。

林展鵬分析，首先是高溫環(huán)境下，例如AEC-Q100C Grade 0的規(guī)格認(rèn)證達(dá)到了175攝氏度的要求，Power-SOI由于漏電流很低，能夠在高溫環(huán)境下操作。漏電流低，則不需要外接的溫度補(bǔ)償電路，可以讓IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)化，從而加速上市時(shí)間。

其次，對(duì)于高可靠性和高耐抗性的需求。由于Power-SOI主要強(qiáng)調(diào)無(wú)閂鎖效應(yīng)（latch-up free），SOI本身不會(huì)有傳統(tǒng)體硅制程產(chǎn)生的附生晶體管和附生二極管。如果制程沒(méi)有閂鎖，更容易達(dá)到ASIL認(rèn)證的C和D級(jí)別。此外在一些新應(yīng)用上它的開(kāi)關(guān)頻率變高，需要支持超過(guò)或低于的電壓需求，Power-SOI可以不用外加任何電路實(shí)現(xiàn)。Power-SOI還有很高的抗噪能力，減少串?dāng)_，以及加強(qiáng)EMC/EMI和ESD。

再者，在高性能方面，Power-SOI具有更低的功耗和更高的效率；更小的功率晶體管、導(dǎo)通電阻和溫度依賴(lài)性；更高的開(kāi)關(guān)頻率和更快的反向恢復(fù)；以及更高的功率密度等特性。

此外，Power-SOI利用DTI做到電氣隔離，支持高達(dá) 1,200V 的工作電壓?？梢园褬O高和極低的電壓整合在同一塊晶圓片上，從而實(shí)現(xiàn)更小的芯片尺寸。

FuSa認(rèn)證要求 助推功率器件從8寸向12寸擴(kuò)展

雖然當(dāng)前功率器件仍然以8寸晶圓為主流，不過(guò)對(duì)于新開(kāi)的產(chǎn)能，很多IDM或晶圓代工廠都會(huì)有意轉(zhuǎn)向12寸。

林展鵬認(rèn)為原因主要是兩方面，一是現(xiàn)在基本買(mǎi)不到8寸的設(shè)備，即便是二手設(shè)備，價(jià)格也非常高；二是近幾年功率器件在高端應(yīng)用上的普及化，令12寸變得不那么難生產(chǎn)。當(dāng)然，現(xiàn)在市場(chǎng)的缺貨也是轉(zhuǎn)向12寸產(chǎn)線的原因。

但更多的因素還是在于未來(lái)趨勢(shì)。因?yàn)楣δ馨踩?、智?a target="_blank">電源、數(shù)字電路和存儲(chǔ)器增加等因素，使得晶圓面積在大于50%的時(shí)候，很多廠商會(huì)考慮使用更先進(jìn)的制程。例如從傳統(tǒng)的180nm轉(zhuǎn)成90nm及以下。同時(shí)對(duì)于90nm以下的制程，如果使用8寸晶圓會(huì)非常昂貴且不合理，因此，大部分12寸的應(yīng)用都會(huì)是針對(duì)FuSa要求比較高的應(yīng)用。例如，電源管理IC、系統(tǒng)基礎(chǔ)IC、SBC等要求比較多的數(shù)字電路，那么很多廠商會(huì)考慮用65nm，此時(shí)12寸就是一個(gè)很好的選擇。一些客戶(hù)在做未來(lái)產(chǎn)品規(guī)劃時(shí)，希望同時(shí)有12寸跟8寸兩個(gè)平臺(tái)，且制程逐漸同步化。

小結(jié)：

綜合來(lái)看，隨著智能駕駛、ADAS以及工業(yè)4.0的發(fā)展，在應(yīng)對(duì)48伏電氣系統(tǒng)、FuSa功能安全認(rèn)證等新需求方面，具有優(yōu)勢(shì)的Power-SOI無(wú)論是從技術(shù)還是供應(yīng)方面都在不斷提升與之相適應(yīng)。

Soitec公司在SOI市場(chǎng)擁有豐富的技術(shù)積累和完善的供應(yīng)體系，在國(guó)內(nèi)與上海新傲科技合作向中國(guó)客戶(hù)穩(wěn)定供貨，并持續(xù)投資提升產(chǎn)能。作為晶圓襯底供應(yīng)商，Soitec專(zhuān)業(yè)的FAE和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)為客戶(hù)新產(chǎn)品的集成和優(yōu)化提供支持，縮短測(cè)試時(shí)間，賦能更快的上市時(shí)間。

本文為電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)文章，作者黃晶晶，微信號(hào)kittyhjj，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流，請(qǐng)?zhí)砑游⑿舉lecfans999，投稿發(fā)郵件到huangjingjing@elecfans.com。