電子發(fā)燒友網報道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉型，成為了半導體集成電路領域快速發(fā)展的一個縮影，對整個電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。

碳化硅功率器件彌補了硅基功率器件無法觸及的高度，提升了功率器件的性能和應用場景。目前，碳化硅功率器件在電動汽車領域與光伏發(fā)電領域的應用較為普遍，碳化硅功率器件提升了電動汽車的續(xù)航里程，縮短了充電時間，同時提高了光伏發(fā)電的轉換效率。在國家倡導使用清潔能源的政策背景下，碳化硅在國內市場有著廣闊的發(fā)展空間和需求。

據IHS Markit預測，至2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望突破100億美元。隨著電動汽車（EV）、光伏發(fā)電行業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅功率器件的百億賽道正式開啟，國產碳化硅企業(yè)迅速就位。

華潤微國內功率器件龍頭企業(yè)

華潤微是國內功率器件、產品解決方案的主要提供商。擁有多條晶圓產線，具有獨立完成晶圓制造、封裝、芯片測試的能力。在功率器件方面，華潤微掌握了溝槽型SBD先進的功率器件設計技術和生產工藝。據華潤微2021上半年財報顯示，上半年實現營收44.55億元，同比增長45.43%。其中，功率器件是營收增長的主要來源。

從官網信息顯示來看，華潤微的碳化硅功率器件目前只有電壓等級為650V和1200V的碳化硅二極管兩種品類，碳化硅MOSFET還并未正式推出。華潤微650V和1200V的碳化硅二極管均屬于工業(yè)級產品，額定電流覆蓋了2A至40A，可以滿足客戶對不同電壓、電流的需求，產品主要是面向光伏發(fā)電、UPS、汽車充電樁等應用領域。

同時，華潤微官方表示，工業(yè)級的碳化硅二極管也可在車載高壓OBC產品中應用。在產能方面，華潤微的碳化硅二極管是在自有的6英寸晶圓產線進行生產的，出貨量穩(wěn)定，保證了市場貨源的充足。目前，華潤微正在研究的第四代碳化硅二極管產品，在技術上獲得了新的突破，產品綜合性能已經實現與世界水平平齊。

碳化硅MOSFET方面，此前已有媒體報道，華潤微的碳化硅MOSFET將于11月的第一個周末發(fā)布，補齊華潤微在碳化硅領域的產品空缺，但遲遲未見新品的露面。11月11日，據電子發(fā)燒友網記者了解到，原本定于11月，在重慶發(fā)布的碳化硅MOSFET，因疫情影響新品發(fā)布延期，預計新品碳化硅MOSFET將會在12月推出。

碳化硅晶圓產線方面，在其他國內企業(yè)還在積極布局碳化硅產業(yè)時，華潤微的6英寸晶圓產線在2020年下半年就已經進入了投產狀態(tài)，該產線按計劃，月產能在1000片左右。

泰科天潤國內碳化硅功率器件倡導者

泰科天潤，碳化硅功率器件解決方案的主要提供商，近年來不斷融資，擴大碳化硅產業(yè)規(guī)模，推動國內碳化硅在各個領域的發(fā)展。泰科天潤采用的是IDM的生產模式，實現了產線的自主可控。

泰科天潤通過專有的設計技術，利用溝槽結構設計碳化硅肖特基二極管，既保證了阻斷電壓的大小，還增大了二極管陽極區(qū)域的接觸面積。進而降低了二極管的導通電阻，減小了系統(tǒng)損耗。

泰科天潤的碳化硅肖特基二極管有600V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A -50、3300V/0.6A-50A，4個不同電壓等級系列的產品。其中，第四代電壓等級為1200V的碳化硅肖特基二極管通過了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。

同時，泰科天潤第五代650V的碳化硅肖特基二極管G51XT，采用了SOD-123的封裝，厚度只有1mm，是全球首款最小的碳化硅二極管，這款產品很好地解決了寄生電感的問題。因為體積較小的優(yōu)勢，非常適合應用于手機電源適配器等對器件體積要求嚴格的器件中。

泰科天潤的碳化硅功率器件，與同等電壓等級下其他廠商的產品相比，泰科天潤的產品面積更小，在不改變產品面積的前提下，通過優(yōu)化，碳化硅功率器件的抗浪涌能力能達到10倍甚至更高。

在產能方面，泰科天潤目前有兩條晶圓產線，分別為4英寸和6英寸的碳化硅晶圓產線處于運行狀態(tài)，這兩條產線的晶圓制造良率都控制在了90%以上。其中，湖南的6英寸產線計劃年產能6萬片，據預計，將會帶來13億的年產值。

基本半導體國內第三代半導體領軍企業(yè)

基本半導體團隊，有著國內外多位知名高校和研究機構的博士帶隊，該企業(yè)的業(yè)務主要是面向碳化硅功率器件材料的生產、產品的設計、制造以及封測?；景雽w采用IDM的垂直產業(yè)模式，加快企業(yè)在碳化硅領域站穩(wěn)腳步。

在碳化硅二極管方面，基本半導體基于自身在碳化硅外延層的優(yōu)勢，開發(fā)了B1D10K02Q。B1D10K02Q是一款碳化硅PiN二極管，這款二極管的能承受10kV的反向電壓，阻斷電壓為14kV，與傳統(tǒng)的二極管相比，這款芯片的開關頻率更快。

在高壓系統(tǒng)中應用能夠降低元器件的使用數量，降低電路的設計難度，提高系統(tǒng)的可靠性。B1D10K02Q采用的是4英寸的晶圓產線，產品良率可達到90%以上。

為順應市場的需求，基本半導體還推出了，采用SMBF封裝小尺寸的碳化硅肖特基二極管B2D04065V，面積僅為19平方毫米，主要應用于快充電源適配器中。B2D04065V的電壓等級為650V，正向導通電壓為1.35V，為降低碳化硅肖特基二極管的浪涌電壓和高溫工作狀態(tài)的系統(tǒng)損耗問題，采用了襯底減薄工藝。同時該工藝的加入，在晶圓生產過程中還可以減少傳片時晶圓發(fā)生缺口或裂縫等情況，從而提升晶圓制造的良率。

基本半導體的碳化硅MOSFET，大多集中在1200V的電壓等級，額定電流在20A至114A之間?；景雽w1200V的碳化硅MOSFET具有較高的可靠性，主要體現在高柵氧壽命、穩(wěn)定的高擊穿電壓、短路耐受等方面。

基本半導體1200V的碳化硅MOSFET的擊穿場強為10MV/cm，據官方表示，在負關斷電壓為20V的應用中，柵氧壽命在200年以上。同時，1200V碳化硅MOSFET的實際最高耐壓值為1528V，即使在實際應用中出現尖峰電流，對系統(tǒng)的影響也不大。在產品設計時，基本半導體對1200V碳化硅MOSFET進行了優(yōu)化，將產品短路的耐受時間提升至6μs，進一步保護了系統(tǒng)的安全性。

在晶圓產線布局方面，基本半導體的深圳坪山的第三代半導體產業(yè)基地和南京制造基地，在2020年相繼開工，南京基地預計2021年年底開始投產，坪山基地預計2022年投產，這兩個基地均有碳化硅產品的生產，屆時國內碳化硅產能將會有所提升。

結語

如今，碳化硅功率器件市場需求爆發(fā)，國內企業(yè)也抓住了碳化硅發(fā)展的風口，大力發(fā)展碳化硅功率器件。同時，國內很多碳化硅企業(yè)都采用IDM的垂直產業(yè)模式，加速碳化硅功率器件產業(yè)的布局，瓜分市場紅利。

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編輯：jq