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Si24R2E超低功耗2.4G無線發(fā)射芯片介紹

h1654156079.3603 ? 來源:HDN13544288622 ? 作者:h1654156079.3603 ? 2022-03-31 14:31 ? 次閱讀
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Si24R2E是一顆工作在2.4GHz ISM頻段,專為低功耗有源RFID應(yīng)用場合設(shè)計(jì),集成嵌入式發(fā)射基帶的無線發(fā)射芯片、128次可編程NVM存儲(chǔ)器以及自動(dòng)發(fā)射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz,共有126個(gè)1MHz帶寬的信道。

當(dāng)打開啟自動(dòng)發(fā)射功能,內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC工作時(shí),芯片睡眠狀態(tài)下待機(jī)電流僅為700nA。當(dāng)內(nèi)部Timer定時(shí)到時(shí),自動(dòng)發(fā)射控制器自動(dòng)完成數(shù)據(jù)從NVM的裝載與發(fā)射,數(shù)據(jù)發(fā)射完成后,芯片立即進(jìn)入睡眠狀態(tài),因此Si24R2E的平均功耗非常低,對于電池供電應(yīng)用,可以非常容易實(shí)現(xiàn)五年以上的待機(jī)時(shí)間。

Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部MCU,可以自動(dòng)完成數(shù)據(jù)裝載與發(fā)射。NVM存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容,掉電后不會(huì)丟失,數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下,無需外部高壓,外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程,芯片最大可編程次數(shù)為128次,芯片支持NMV加鎖,防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀,保證用戶數(shù)據(jù)安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要額外接口,外部微控制器(MCU)通過SPI接口對芯片少數(shù)幾個(gè)寄存器配置即可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)射,芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能,在不打開自動(dòng)發(fā)射功能時(shí),芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本,可以不需要外部MCU,僅少量外圍無源器件即可以組成一個(gè)無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源,保證1.9-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

主要特性:

內(nèi)置128次可編程N(yùn)VM存儲(chǔ)器

3.3V編程電壓

超低功耗自動(dòng)發(fā)射功能

內(nèi)置硬件Watchdog

內(nèi)置3KHZ RCOSC

內(nèi)置低電壓自動(dòng)報(bào)警功能

超低關(guān)斷功耗:0.7uA

寬電源電壓范圍:1.9-3.6V

超低待機(jī)功耗:<15uA

數(shù)字IO電壓:3.3V/5V

發(fā)射電流(2Mbps):13.5mA(0dBm)

內(nèi)部集成高PSRR LDO

最高發(fā)射功率:7dBm (23mA)

10MHz四線SPI模塊

調(diào)制方式:GFSK/FSK

收發(fā)數(shù)據(jù)硬件中斷輸出

數(shù)據(jù)速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps

完全兼容Si24R2

快速啟動(dòng)時(shí)間:<130uS

完全兼容Si24R1發(fā)射功能

低成本晶振:16MHz±60ppm

QFN20封裝或COB封裝

Si24R2E超低功耗2.4G無線發(fā)射芯片介紹

SI24R2E封裝圖

審核編輯:湯梓紅

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