肖特基二極管因?yàn)閹缀鯖]有反向恢復(fù)trr。因此，可以在很高開關(guān)頻率下運(yùn)行，而VF又非常小，受到電源工程師的廣泛青睞。不過，因?yàn)榉聪蚵╇娏鱅R大，如下圖1 所示，所以不適合用作高耐壓元件，通常最高耐壓可達(dá)200V。

圖1：不同二極管的靜態(tài)輸出特性

瑞能半導(dǎo)體新推出第三代G3 肖特基二極管，電壓范圍覆蓋45V/65V/100V/150V，產(chǎn)品組合豐富，多種封裝 TO220/TO220F/ DPAK 可供客戶選用。

G3 肖特基二極管，采用新一代的 TMBS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)超低VF和較小IR的完美組合，可以廣泛應(yīng)用于高頻 SMPS 電源，PC適配器，照明，車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

G3 肖特基二極管的市場應(yīng)用

高頻 SMPS 電源

適配器

照明

車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

G3 肖特基二極管的性能和優(yōu)勢

TMBS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合

低IR，最高結(jié)溫可達(dá)150℃

低VF，帶來更低的功率損耗，提高系統(tǒng)的效率

較強(qiáng)的正向浪涌沖擊能力

覆蓋 45V/65V/100V/150V 的工作電壓范圍

豐富的產(chǎn)品組合，提供有多種封裝可供選擇：TO220/TO220F/DPAK

靜態(tài)特性對比

圖2：G3 SBD 在125℃的IF-VF特性

圖2 給出了G3 SBD 在125℃的IF-VF特性。我們選擇了一款市面上通用的45V 30A 肖特基二極管競品A，作為瑞能 WN3S3045C 的對比對象。

在125℃，15A的電流條件下，競品A的導(dǎo)通壓降為0.53V，而瑞能第三代肖特基 WN3S3045C導(dǎo)通壓降僅為0.47V。

和競品A相比，WN3S3045C 降低了11.1%的導(dǎo)通壓降，帶來更低的功率損耗，提升系統(tǒng)的效率。

效率測試

圖3：DC/DC電源在不同負(fù)載條件下效率對比

我們在一款 DC/DC 電源上進(jìn)行了對比測試。在效率對比測試中，除了更換測試用的肖特基二極管，其他的條件均不變。測試環(huán)境采用DC/DC 電源，輸入電壓為310VDC ，輸出電壓 （VOUT） 為3.3VDC，最大輸出功率： 65W，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：反激式電路，載波頻率：100kHz。測試環(huán)境溫度為25 ℃。

圖3 給出了 DC/DC 電源在不同負(fù)載條件下效率對比。分別測試了25%負(fù)載到100%負(fù)載的系統(tǒng)效率以及系統(tǒng)損耗。從圖3 可以看出，和競品A相比，瑞能半導(dǎo)體的 G3 SBD WN3S3045C 在100%負(fù)載條件下，效率達(dá)到73.3%，效率顯著提升。

圖4：滿載條件下

WN3S3045C的溫升

圖5：滿載條件下

競品A的溫升

圖4 和圖5 給出了滿載條件下， WN3S3045C 和競品A 的溫升的情況，對比可以看出，在滿載情況下，WN3S3045C 的溫升比競品A 降低了7℃，這主要得益于瑞能 G3 SBD 優(yōu)異的超低導(dǎo)通壓降VF的特性。

結(jié)論

瑞能G3 SBD 肖特基二極管，采用最新的 TMBS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合，更低的正向?qū)▔航礦F，意味著更低的功率損耗，提升系統(tǒng)的效率，更低的漏電流，最高的結(jié)溫可達(dá)150℃，并具有較強(qiáng)的正向浪涌沖擊能力。

多種封裝結(jié)構(gòu)如采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO220 封裝，TO220F，DPAK 可以滿足眾多工程師不同設(shè)計(jì)的需求，并且所有封裝類型均按照瑞能半導(dǎo)體高品質(zhì)高標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行測試，廣泛滿足工業(yè)應(yīng)用要求，特別適合高頻SMPS，電源適配器，照明電源，車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。