美日聯(lián)手研發(fā)半導體，計劃2025年生產2nm制程技術
為了減小對臺積電的依賴，美日雙方開始聯(lián)手研發(fā)半導體技術，近日據報道稱，日本計劃最早在2025年啟動半導體制造基地，并與美國聯(lián)手生產2nm制程技術。
目前全球半導體加工領域最先進的企業(yè)是中國臺灣的臺積電以及韓國的三星，均已經掌握了4nm制程技術，3nm制程技術也將很快被研發(fā)出來，而2nm制程技術將會在2024年或者2025年研發(fā)完成并實現(xiàn)量產。
雖然日本沒有芯片巨頭企業(yè)，但是在芯片供應的流程中，他們還是有著較為豐富的經驗，例如制造芯片所需的光刻膠大多都來源于日本，并且在ASML成名之前，日本的佳能在光刻機領域還是排名相當靠前的，EUV光照檢驗設備也幾乎全部來源于日本，而美國也擁有諸多半導體加工設備企業(yè)，這么一看，貌似日本還真有可能在2nm制程技術上做出不錯的成績。
不過臺積電之前也發(fā)言稱，半導體行業(yè)不是簡簡單單靠人力、財力就能發(fā)展起來的，因此沒人知道目前美日合作的半導體計劃能走到什么地步，但毋庸置疑的是，本次合作將帶動日本本土的半導體產業(yè)發(fā)展。
綜合整理自 芯智訊 半導體行業(yè)聯(lián)盟 21ic電子網
審核編輯 黃昊宇
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