■ 產(chǎn)品概述

LN8362 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。

LN8362 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)，用以提高轉(zhuǎn)換效率。集成使能關(guān)斷功能，可以同時關(guān)斷 DRVH、DRVL 的輸出。

LN8362 內(nèi)建死區(qū)自適應(yīng)功能，可以適應(yīng)更多規(guī)格MOSFET，同時簡化設(shè)計的繁瑣。

LN8362 采用 SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設(shè)計帶來更多的選擇。

■ 應(yīng)用領(lǐng)域

半橋/全橋轉(zhuǎn)換器

同步降壓、升降壓拓撲

電子煙、無線充 MOSFET 驅(qū)動器

■ 產(chǎn)品特點

電源 VCC 工作范圍：4V~15V

SW 最高電壓：60V

內(nèi)置自舉二極管

固定死區(qū)時間

兼容 3.3V/5V/15V 輸入信號

UVLO 時 EN 端輸出低電平

內(nèi)建死區(qū)自適應(yīng)功能來防止 FET 交叉導通

EN 端可同時關(guān)斷上下兩個 MOSFET

VCC，BST 欠壓保護功能

綠色環(huán)保無鹵，滿足 ROHS 標準

■ 封裝

SOP8/ESOP8

DFN2*2-8

DFN3*3-8

審核編輯：湯梓紅