臺(tái)積電2nm工藝最新消息 臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候上市
臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上宣布推出了先進(jìn)工藝制程2nm，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年的時(shí)候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)計(jì)劃。
據(jù)臺(tái)媒體報(bào)道，臺(tái)積電為了擴(kuò)大2nm芯片的產(chǎn)能，將在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)，預(yù)計(jì)投入1萬(wàn)億新臺(tái)幣，約等于2290億元人民幣。
臺(tái)積電在2nm制程上帶來(lái)了如高遷移率組件和全新的2D材料、Nanosheet / Nanowire的晶體管架構(gòu)等新技術(shù)，而采用的2d材料更將用到除了石墨烯之外的新材料。臺(tái)積電的2nm制程相比較3nm制程來(lái)看，在性能方面能夠提升10—15%，功耗則會(huì)降低23—30%。
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