IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

就制造工藝而言，IGBT與普通半導(dǎo)體產(chǎn)品相同。產(chǎn)業(yè)鏈包括規(guī)劃、生產(chǎn)、包裝和測(cè)試。國(guó)內(nèi)企業(yè)正在經(jīng)營(yíng)企業(yè)IGBT技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，產(chǎn)業(yè)化起步較晚，規(guī)劃、測(cè)試、包裝等中心技術(shù)積累不足。IGBT它通常用于高壓和高功率。內(nèi)部結(jié)構(gòu)一旦出現(xiàn)問(wèn)題，能否及時(shí)發(fā)現(xiàn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷？畢竟IGBT應(yīng)用的領(lǐng)域如此重要，不能馬虎對(duì)待。市面上有針對(duì)igbt的檢測(cè)設(shè)備嗎？

當(dāng)然有那就是X-RAY檢測(cè)設(shè)備，X-RAY可以對(duì)IGBT射線可以穿透無(wú)損檢測(cè)和成像IGBT通過(guò)光衰減觀察圖像的局部差異，有效檢測(cè)模塊散熱器。X-RAY檢測(cè)設(shè)備通過(guò)X射線透射原理，能快速準(zhǔn)確的檢測(cè)出IGBT模塊的缺陷。

X-RAY檢測(cè)的最大優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)結(jié)果直觀。圖像顯示IGBT軟件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷的自動(dòng)識(shí)別和判斷。IGBT在生產(chǎn)過(guò)程中，不僅保證了產(chǎn)品的質(zhì)量，而且在生產(chǎn)規(guī)劃階段為改進(jìn)提供了可靠的依據(jù)。

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審核編輯：湯梓紅