描述
NP90P012D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -12v id = -90a
RDS(上)(Typ) = 3.9Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 5.1Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?150℃的工作溫度
?100% ui測試
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
?不間斷電源包
?PDFN5 * 6-8L-A

訂購信息

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

工作結(jié)溫范圍Tj -55-150℃
電特性(除非另有說明,TA=25℃)

熱特性

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評(píng)級(jí)是基于t≤10s熱阻額定值。
B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和
審核編輯:湯梓紅
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MOSFET
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NP90P012D6 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET概述
評(píng)論