NP1207DR 12V p通道增強模式MOSFET
描述
NP1207DR采用先進的戰(zhàn)壕技術提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵在極低電壓的情況下進行充電和操作1.8 v。該裝置適用于負載開關或在PWM應用中。
一般特征
?VDS = -12v, id = -7a
RDS(上)(Typ) = 25米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 34米Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關包
?DFN2 * 2-6L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗
審核編輯：符乾江
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
單片機
+關注
關注
6078文章
45596瀏覽量
674082 -
PWM
+關注
關注
116文章
5895瀏覽量
226762
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Onsemi NTMC083NP10M5L雙溝道MOSFET：設計與應用的理想之選
雙溝道MOSFET，集成了N溝道和P溝道，采用SO8封裝。它的耐壓能力出色，N溝道的V(BR)DSS可達100V，P溝道為 -100
XZ1801H內置 650V MOSFET 輸出12V/18V 0.6A恒壓調節(jié)器芯片
概述
XZ1801H 是一款內置 650V MOSFET，高效低成本離線式恒壓調節(jié)器，主要用于 Buck 和 Buck- Boost 拓撲。XZ1801H 默認 12V輸出電壓，外圍器件少，降低
發(fā)表于 04-15 11:37
深入解析onsemi FQB12P20 P-Channel MOSFET
深入解析onsemi FQB12P20 P-Channel MOSFET 在電子設計領域，MOSFET 是不可或缺的元件，廣泛應用于各類電路中。今天我們來詳細探討 onsemi 推出
深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET
： NTTBC070NP10M5L-D.PDF 產(chǎn)品概述 NTTBC070NP10M5L 是一款雙溝道 MOSFET，集成了 N 溝道和 P 溝道，具有 100
SGM42210NQ：12V汽車應用的高性能單通道高端驅動器
SGM42210NQ：12V汽車應用的高性能單通道高端驅動器 在汽車電子領域，對于高性能、高可靠性的驅動器需求日益增長。SGM42210NQ作為一款專為12V汽車應用設計的單通道高端驅
探索SGMTC28412：12V雙N溝道WLCSP封裝MOSFET的卓越性能
探索SGMTC28412：12V雙N溝道WLCSP封裝MOSFET的卓越性能 在電子設計領域，MOSFET作為關鍵元件，其性能直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們將深入探討SGMICRO推出
SGMTC27412：12V 雙 N 溝道 WLCSP 封裝 MOSFET 解析
SGMTC27412：12V 雙 N 溝道 WLCSP 封裝 MOSFET 解析 在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵元件，廣泛應用于各類電路中。今天，我們就來詳細解析 SGMICRO 推出
深入解析CSD13383F4 12V N-Channel FemtoFET? MOSFET
深入解析CSD13383F4 12V N-Channel FemtoFET? MOSFET 在電子設計的世界里，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）猶如一顆璀璨的明星，廣泛應用
CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 深度解析
CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 深度解析 在電子工程師的日常設計工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件。今天，我們就來深入了解一款性
CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 詳細解析
CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 詳細解析 在電子設計領域，功率 MOSFET 是非常關鍵的元件，它們在各類電路中發(fā)揮著重要作用。今天我們要深入
選型手冊：VSP020P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側開
選型手冊：VS3508AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電
PROFET? +2 12V 演示板快速入門指南
完成應用設置。這個過程主要是將通用主板（MB）和 PROFET? +2 12V 子板（DB，有 1 通道、2 通道或 4 通道可選）連接起來進行臺架測試。需要注意的是，
選型手冊：VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
矽力杰新一代12V鋰電功能安全AFE SA63654
而生。矽力杰新一代12V模擬前端SA63654，提供12V鋰電運行模式功能安全QM至ASILD平臺以及休眠模式功能安全ASILB平臺的解決方案。SA63654強芯賦
評論