描述
NP1205MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -12v, id = -5a
RDS(上)(Typ) = 27 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?SOT-23-3L

訂購(gòu)信息

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

熱特性

A.將設(shè)備安裝在1in2上測(cè)量RθJA的值
FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與
TA = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。
B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。
C.重復(fù)額定值,脈寬受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責(zé)
審核編輯 黃昊宇
-
單片機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
6078文章
45596瀏覽量
674085 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10839瀏覽量
235109
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
Onsemi NTMC083NP10M5L雙溝道MOSFET:設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
XZ1801H內(nèi)置 650V MOSFET 輸出12V/18V 0.6A恒壓調(diào)節(jié)器芯片
深入解析onsemi FQB12P20 P-Channel MOSFET
深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET
SGM42210NQ:12V汽車應(yīng)用的高性能單通道高端驅(qū)動(dòng)器
探索SGMTC28412:12V雙N溝道WLCSP封裝MOSFET的卓越性能
SGMTC27412:12V 雙 N 溝道 WLCSP 封裝 MOSFET 解析
深入解析CSD13383F4 12V N-Channel FemtoFET? MOSFET
CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 深度解析
CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET 詳細(xì)解析
MAX16840:適用于MR16及其他12V AC輸入燈具的集成MOSFET LED驅(qū)動(dòng)器
MAX31840:集成控制MOSFET和深度調(diào)光功能的MR16 LED驅(qū)動(dòng)器
PROFET? +2 12V 演示板快速入門指南
選型手冊(cè):VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
矽力杰新一代12V鋰電功能安全AFE SA63654
NP1205MR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
評(píng)論