NP60P02G 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP60P02G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
較低的門
電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。
?VDS = -20v id
R
= -60
DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS
R
= -4.5 v
DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS
?為超低R設(shè)計(jì)的高密度電池
= -2.5 v
?充分描述雪崩電壓和電流
DS(上)
?穩(wěn)定性好，均勻性好，E值高
?優(yōu)秀的包裝，良好的散熱
作為
應(yīng)用程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?- 252 - 2 - l
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
2:設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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