HMC902LP3E低噪聲放大器介紹
HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置，以降低IDQ。
HMC902LP3E采用無引腳3 mm × 3 mm塑料表貼封裝。
該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信號(hào)增益，1.8 dB的噪聲系數(shù)，28 dBm的輸出IP3，采用3.5 V電源時(shí)功耗僅為80 mA。
16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動(dòng)器。
HMC902LP3E還具有隔直輸入/輸出，內(nèi)部匹配50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電和C頻段甚小孔徑終端(VSAT)應(yīng)用。
應(yīng)用
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電
點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無線電
軍事和太空
測(cè)試儀器儀表
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝，5 - 10 GHz
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