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電子發(fā)燒友網報道（文/章鷹）近日，全球最大的存儲芯片制造商三星電子發(fā)布截至到2022年9月30日的第三季度財報，財報顯示，第三季度三星電子營收為76萬億韓元（約合538億美元），同比增長2.73%；營業(yè)利潤為10.8萬億韓元（約合77億美元），同比下降31.7%。三星出現(xiàn)了2019年以來的首次利潤下降，預計第三季度營業(yè)利潤降幅將高達32%。業(yè)界分析，最主要的原因是存儲芯片行業(yè)正急劇下滑。三星電子將世界半導體銷售額第一名讓給了半導體代工領域居領導地位的臺積電。集邦咨詢資深分析師敖國鋒對媒體表示，2022年，受到手機和筆記本電腦需求大幅衰退影響，2022年閃存需求年增長率只有23個點左右，這是近8年來最低的一個年成長比。由于庫存增加，多家存儲芯片制造商警告，在個人電腦、手機、需求進一步疲軟后，數(shù)據(jù)中心和消費科技客戶的訂單正在減少。彭博情報分析師Masahiro Wakasugi表示：“三星第三季度和第四季度來自DRAM和NAND芯片的收入可能會減少，此前美光和Kioxia報告稱銷售和前景疲軟，工廠產量降低。除非智能手機和個人電腦的需求復蘇，否則三星看起來可能會在2023年減少資本支出?！痹诖鎯π袠I(yè)處于寒冬之季，未來會有哪些需求帶動存儲成長？西部數(shù)據(jù)產品營銷總監(jiān)張丹帶來了專業(yè)的分析。

云+數(shù)據(jù)中心、汽車和游戲，成為驅動未來5年存儲成長三大引擎

西部數(shù)據(jù)產品營銷總監(jiān)張丹談道，近期存儲市場下行壓力很大，存儲行業(yè)正在集體越冬。不過這也是周期性的調整，因為存儲行業(yè)的需求勢能——數(shù)據(jù)生成，仍呈現(xiàn)出持續(xù)增長的勢頭。她指出，存儲行業(yè)大跨步邁進了ZB時代（10萬億億比特），云/數(shù)據(jù)中心、汽車、游戲三大應用領域驅動NAND Flash持續(xù)在ZB時代高速增長。張丹分析說，云與數(shù)據(jù)中心的應用是驅動NAND Flash持續(xù)增長的重要引擎?！斑@是一個增長迅速，并且在上百G EB高速增長的領域。未來5到10年間，這個領域會保持兩位數(shù)的復合增長率，預計在2021年末會超過0.5億 EB的規(guī)模。多個創(chuàng)新應用在驅動云端應用，包括IoT、VR/AR和XR元宇宙等?！?/span>她以一個智慧樓宇為例，分析了存儲需求的變化?！斑@個樓宇里面有27個工作站，1萬4千個傳感器，每天產生50TB數(shù)據(jù)量，數(shù)據(jù)會被用來計算、處理和存儲，云服務是支撐這類場景的最佳方案?！?/span>

圖：電子發(fā)燒友截圖自線上會議第二大驅動力來自汽車，全球汽車相關NAND應用，2021年汽車存儲市場超過0.1億EB的規(guī)模，未來3到5年內，汽車存儲會保持30%以上的復合增長率。中國作為全球汽車保有量最大的市場和新車銷售市場，汽車領域的數(shù)據(jù)增長非常顯著。驅動汽車領域增長的一個方向，是智能化和網聯(lián)化的部署。此外，和自動駕駛相關的一些細分場景的出現(xiàn)，也會驅動數(shù)據(jù)的顯著增長。張丹認為，自動駕駛地圖，還有與自動駕駛相關的顯著增加的傳感器數(shù)量和精度等，都會驅動汽車行業(yè)數(shù)據(jù)的增長。比如汽車傳感器配置會在10到30個左右，智能汽車對于傳感器的數(shù)量和精度要求提高，在工作狀態(tài)下每小時可能會產生1.4TB到19TB不等的數(shù)據(jù)規(guī)模。未來10年，汽車存儲需求會顯著提升，傳感器數(shù)據(jù)在單車上會達到1TB或1.5TB存儲容量。車內娛樂系統(tǒng)、控制系統(tǒng)主要是NAND FLASH應用場景，隨著它的數(shù)據(jù)規(guī)模和應用場景的豐富會顯著增加，我們預估它會從今天的32GB到64GB為主的數(shù)據(jù)體量，增加到未來128GB或256GB為主的配置規(guī)模，中長期會增加到200GB的體量。隨著汽車智能化、網聯(lián)化和合規(guī)需求的進一步深入，車載NAND FLASH會長期作為一個數(shù)據(jù)領域增長的引擎。第三大驅動力是游戲領域。游戲領域也是數(shù)據(jù)增長顯著的領域，以一款游戲《使命召喚》為例，這個游戲2003年發(fā)布，在多個平臺發(fā)布了20多個版本，以PC版本為例，這個游戲最早預裝存儲需求只有1.4GB，到今天它的預裝需求已達到175個GB，增長了125倍。張丹指出，與游戲相關的平臺的平均容量也是保持著兩位數(shù)左右的增速。預計到2026年，與游戲相關的平臺數(shù)據(jù)容量會超過2TB。

一圖看懂NAND FlASH工藝演進路線

面對數(shù)據(jù)發(fā)展的需求，NAND FLASH工藝和技術在過去和未來都將持續(xù)演進。2017年開始，閃存行業(yè)整體邁入3D時代，張丹指出，行業(yè)都在受益于Charge Trap（電荷捕獲技術）的發(fā)明，這個技術是未來3D NAND持續(xù)演進的核心和引擎。

3D NAND不僅持續(xù)在堆疊的層數(shù)上提升，而且在每一代產品演進過程中，保持著20%的性能提升。據(jù)悉，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出第六代162層3D閃存技術。3D NAND的演進不應該是單一指標層數(shù)，應該是多維度的。西部數(shù)據(jù)認為，未來可以從結構，橫向，縱向和邏輯等維度，持續(xù)拓展NAND Flash技術。隨著層數(shù)的增加，面對的挑戰(zhàn)越來越大，業(yè)內必須引入新材料、新工藝和新流程，才能獲得性能的提升。最后，張丹分享了西部數(shù)據(jù)發(fā)明的OptiNAND技術，在硬盤產品中整合了NAND Flash，融合出一種全新的閃存增強型硬盤架構，其開發(fā)、設計、測試和驗證等流程都是可以垂直整合的，提升了整體的創(chuàng)新效率和穩(wěn)定性。