日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Cadence最新的N4P和N3E數(shù)字全流程認證

Cadence楷登 ? 來源:Cadence楷登 ? 作者:Cadence楷登 ? 2022-10-27 11:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

內容提要

雙方攜手推進移動、汽車、人工智能和超大規(guī)模計算設計創(chuàng)新

雙方的共同客戶現(xiàn)可使用基于經(jīng)認證的 N4P 和 N3E 流程的增強型 PDK 進行設計

針對 N4P 和 N3E PDK 進行優(yōu)化的 Cadence 流程,為工程師提供輕松實現(xiàn)模擬遷移、最佳 PPA 和更快的上市時間

中國上海,2022 年 10 月 27 日 —— 楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,Cadence 數(shù)字和定制/模擬設計流程已獲得臺積電最新 N4P 和 N3E 工藝認證,支持新的設計規(guī)則手冊(DRM)和 FINFLEX 技術。通過持續(xù)的合作,兩家公司還提供了相應的 N4P 和 N3E 工藝設計套件(PDKs),可加快移動、人工智能和超大規(guī)模計算先進節(jié)點設計創(chuàng)新。客戶已開始使用最新的臺積電工藝技術和經(jīng)過認證的 Cadence 流程來實現(xiàn)最佳的功率、性能和面積(PPA)目標,并縮短上市時間。

最新的 N4P 和 N3E 數(shù)字全流程認證

Cadence 和臺積電研發(fā)團隊緊密合作,確保數(shù)字流程符合臺積電的 N4P 和 N3E 先進工藝認證要求。Cadence 完整的 RTL-to-GDS 流程包括 Innovus Implementation System、Quantus Extraction Solution、Quantus FS Solution、Tempus Timing Signoff Solution 和 ECO Option、Pegasus Verification System、Liberate Characterization Solution、Voltus IC Power Integrity Solution 以及 Voltus-Fi Custom Power Integrity Solution。Cadence Genus Synthesis Solution 和預測性 iSpatial 技術也支持臺積電 N4P 和 N3E 工藝技術。

數(shù)字全流程提供了支持臺積電 N4P 和 N3E 工藝技術的幾個關鍵功能,包括從合成到簽核工程變更單(ECO)的原生混合高度單元行優(yōu)化,可實現(xiàn)更好的 PPA;基于標準單元行的放置;與簽核有良好相關性的實施結果,可加快設計收斂;增強的過孔支柱支撐,可提高設計性能;包含大量多高度、電壓閾值(VT)和驅動強度單元的大型庫;時序穩(wěn)健性單元表征和分析;使用老化感知的 STA 進行可靠性建模;以及 CCSP 模型改進,為通過 Voltus IC Power Integrity Solution 進行的分析提供更好的準確性和簡化表征。

最新的 N4P 和 N3E 定制/模擬流程認證

Cadence Virtuoso Design Platform 包括 Virtuoso Schematic Editor、Virtuoso ADE Product Suite 和 Virtuoso Layout Suite,以及 Spectre Simulation Platform 包括 Spectre X Simulator、Spectre Accelerated Parallel Simulator(APS)、Spectre eXtensive Partitioning Simulator (XPS)和 Spectre RF Option,均已獲得臺積電 N4P 和 N3E 工藝認證。Virtuoso Design Platform 與 Innovus Implementation System 緊密集成,通過一個共用的數(shù)據(jù)庫來改善混合信號設計的實施方法。

定制設計參考流程(CDRF)也已經(jīng)過優(yōu)化,可支持最新的 N4P 和 N3E 工藝技術。Virtuoso Schematic Editor、Virtuoso ADE Suite 和集成的 Spectre X Simulator 幫助客戶有效管理物理角仿真、統(tǒng)計分析、設計中心化和電路優(yōu)化。Virtuoso Layout Suite 已經(jīng)過調優(yōu),利用基于行的實現(xiàn)方法,實現(xiàn)高效布局,具有放置、布線、填充和虛擬插入功能;增強的模擬遷移和布局復用功能;集成的寄生參數(shù)提取和 EM-IR 檢查;以及集成的物理驗證功能。

“我們繼續(xù)與 Cadence 密切合作,確??蛻艨梢苑判牡厥褂梦覀冏钕冗M的 N4P 和 N3E 技術以及經(jīng)過認證的 Cadence 數(shù)字和定制/模擬流程,”臺積電設計基礎設施管理部門負責人 Dan Kochpatcharin 表示,“這一聯(lián)合可以使臺積電的先進技術與 Cadence 領先的設計解決方案相結合,有助于我們的共同客戶滿足嚴格的功耗和性能要求,并迅速向市場推出他們的下一代硅創(chuàng)新產品。”

“通過與臺積電的長期合作,我們繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新,使我們的共同客戶實現(xiàn)他們的 PPA 和生產力目標,”Cadence 公司資深副總裁兼數(shù)字和簽核事業(yè)部總經(jīng)理 Chin-Chi Teng 博士表示,“我們與臺積電的最新合作成果再次印證了我們的承諾,即利用我們的流程和臺積電的先進技術幫助客戶實現(xiàn)卓越的設計,他們的創(chuàng)新產品總是令人驚訝不已?!?/p>

Cadence 數(shù)字和定制/模擬先進節(jié)點解決方案已針對臺積電 N4P 和 N3E 工藝技術進行了優(yōu)化,支持 Cadence 智能系統(tǒng)設計(Intelligent System Design)戰(zhàn)略。該戰(zhàn)略可助力客戶實現(xiàn)卓越的系統(tǒng)級芯片(SoC)設計。

關于 Cadence

Cadence 在計算軟件領域擁有超過 30 年的專業(yè)經(jīng)驗,是電子系統(tǒng)設計產業(yè)的關鍵領導者。基于公司的智能系統(tǒng)設計戰(zhàn)略,Cadence 致力于提供軟件、硬件和 IP 產品,助力電子設計從概念成為現(xiàn)實。Cadence 的客戶遍布全球,皆為最具創(chuàng)新能力的企業(yè),他們向超大規(guī)模計算、5G 通訊、汽車、移動設備、航空、消費電子、工業(yè)和醫(yī)療等最具活力的應用市場交付從芯片、電路板到完整系統(tǒng)的卓越電子產品。Cadence 已連續(xù)八年名列美國財富雜志評選的 100 家最適合工作的公司。如需了解更多信息,請訪問公司網(wǎng)站 cadence.com。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • Cadence
    +關注

    關注

    68

    文章

    1031

    瀏覽量

    147403
  • 人工智能
    +關注

    關注

    1821

    文章

    50376

    瀏覽量

    267090

原文標題:Cadence 數(shù)字和定制/模擬設計流程獲得臺積電最新 N4P 和 N3E 工藝認證

文章出處:【微信號:gh_fca7f1c2678a,微信公眾號:Cadence楷登】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深入解析 NTMFS0D8N02P1E 功率 MOSFET:特性、參數(shù)與應用

    深入解析 NTMFS0D8N02P1E 功率 MOSFET:特性、參數(shù)與應用 引言 在電子電路設計中,功率 MOSFET 是至關重要的元件,它廣泛應用于各種電源管理和功率轉換電路中。今天我們要
    的頭像 發(fā)表于 04-13 15:35 ?250次閱讀

    探索 onsemi NTTFD4D1N03P1E MOSFET:高效設計之選

    探索 onsemi NTTFD4D1N03P1E MOSFET:高效設計之選 在電子設計領域,MOSFET 一直是至關重要的元件,對于電源管理和功率控制等應用起著關鍵作用。今天我們要探討
    的頭像 發(fā)表于 04-10 11:15 ?180次閱讀

    NTTFD1D8N02P1E:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選

    NTTFD1D8N02P1E:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電子設計領域,功率MOSFET作為關鍵元件,其性能對整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關重要的作用。今天,我們就來深入了解一款來自
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:35 ?265次閱讀

    深入解析 onsemi NTTFD2D8N03P1E 功率 MOSFET

    深入解析 onsemi NTTFD2D8N03P1E 功率 MOSFET 在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,廣泛應用于各種電路中。今天,我們來深入探討 onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:35 ?285次閱讀

    Onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET:高性能單通道N溝道MOSFET解析

    Onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET:高性能單通道N溝道MOSFET解析 在電子設計領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是一種至關重要的元件,廣泛應用
    的頭像 發(fā)表于 04-09 17:25 ?688次閱讀

    Onsemi NTTFS1D2N02P1E MOSFET:高性能與緊湊設計的完美結合

    Onsemi NTTFS1D2N02P1E MOSFET:高性能與緊湊設計的完美結合 在電子設計領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是不可或缺的關鍵元件,廣泛應用于各種電源
    的頭像 發(fā)表于 04-09 17:15 ?781次閱讀

    NVTFS4C25N單通道N溝道功率MOSFET解析

    NVTFS4C25N單通道N溝道功率MOSFET解析 作為電子工程師,在設計電路時,功率MOSFET的選擇至關重要,它直接影響著電路的性能、效率和穩(wěn)定性。今天就來深入探討安森美(onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:20 ?197次閱讀

    深入解析NTTFSS1D1N02P1E:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

    深入解析NTTFSS1D1N02P1E:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討一款高性能的單
    的頭像 發(fā)表于 04-08 10:55 ?313次閱讀

    Onsemi FCP190N60E與FCPF190N60E MOSFET深度解析

    Onsemi FCP190N60E與FCPF190N60E MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天我們就來深入探討Onsemi推出的兩款N溝道
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:20 ?397次閱讀

    功率半導體的NP摻雜濃度技術探討

    - 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3 P- 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3 03 N 典型摻雜范圍 1015~1018/cm3
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:20 ?498次閱讀
    功率半導體的<b class='flag-5'>N</b>和<b class='flag-5'>P</b>摻雜濃度技術探討

    選擇N-MOS還是P-MOS?

    (1)從電路結構上看,低壓側開關選N-MOS,高壓側開關選P-MOS; (2)從成本和便利性上看,N溝道MOSFET選擇的型號多,物料成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,物料成
    發(fā)表于 12-24 07:00

    新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM? 3模塊 - FP75R17N3E4_B20

    新品搭載2.2kV整流器的EconoPIM3模塊-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模塊,采用TRENCHSTOPIGBT4
    的頭像 發(fā)表于 12-08 17:04 ?849次閱讀
    新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM? <b class='flag-5'>3</b>模塊 - FP75R17<b class='flag-5'>N3E4</b>_B20

    ?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術分析

    安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
    的頭像 發(fā)表于 11-24 13:40 ?832次閱讀
    ?基于NTTFD1D8<b class='flag-5'>N02P1E</b> <b class='flag-5'>N</b>通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術分析

    Cadence攜手臺積公司,推出經(jīng)過其A16和N2P工藝技術認證的設計解決方案,推動 AI 和 3D-IC芯片設計發(fā)展

    :CDNS)近日宣布進一步深化與臺積公司的長期合作,利用經(jīng)過認證的設計流程、經(jīng)過硅驗證的 IP 和持續(xù)的技術協(xié)作,加速 3D-IC 和先進節(jié)點技術的芯片開發(fā)進程。作為臺積公司 N2P、
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:40 ?2048次閱讀

    西門子與臺積電合作推動半導體設計與集成創(chuàng)新 包括臺積電N3P N3C A14技術

    西門子和臺積電在現(xiàn)有 N3P 設計解決方案的基礎上,進一步推進針對臺積電 N3C 技術的工具認證。雙方同時就臺積電新的 A14 技術的設計支持展開合作,為下一代設計奠定基礎。
    發(fā)表于 05-07 11:37 ?1633次閱讀
    昂仁县| 海安县| 闸北区| 尉犁县| 海兴县| 资阳市| 抚远县| 稷山县| 比如县| 清水县| 应城市| 油尖旺区| 文昌市| 文成县| 河间市| 南雄市| 个旧市| 高雄县| 大方县| 南投市| 新巴尔虎右旗| 尼勒克县| 花莲县| 麻江县| 新泰市| 怀来县| 寿光市| 峨眉山市| 三明市| 淮阳县| 勐海县| 宽甸| 大悟县| 襄垣县| 葫芦岛市| 淮滨县| 体育| 临沧市| 内丘县| 隆尧县| 临颍县|