日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 作者:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2022-11-03 10:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

宏光半導(dǎo)體有限公司(“宏光半導(dǎo)體”,連同其附屬公司統(tǒng)稱“集團(tuán)”;股份代號(hào):6908.HK)欣然宣布,集團(tuán)近期已開(kāi)始生產(chǎn)其自家6英寸氮化鎵(“GaN”)功率器件外延片(“外延片”)。遠(yuǎn)早于預(yù)期時(shí)間表成功制造外延片為集團(tuán)快速產(chǎn)業(yè)化及量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體鋪路,乃其轉(zhuǎn)型成為第三代半導(dǎo)體GaN供應(yīng)商的重要成果,標(biāo)志著集團(tuán)邁向第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑。

憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)能力,宏光半導(dǎo)體近年積極實(shí)現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團(tuán)之技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用其豐富經(jīng)驗(yàn),在短短三個(gè)月調(diào)試生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù),成功產(chǎn)出達(dá)至國(guó)際大廠的高良率標(biāo)準(zhǔn)之外延片,并陸續(xù)開(kāi)始銷售。集團(tuán)預(yù)期2023年第二季將開(kāi)始芯片試產(chǎn),于2024年初前開(kāi)始投產(chǎn)。此外,集團(tuán)亦已于今年下半年推出GaN相關(guān)之快速充電產(chǎn)品如快充充電器,宏光半導(dǎo)體對(duì)GaN相關(guān)產(chǎn)品制造及銷售的前景充滿信心。

近年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重大轉(zhuǎn)變,在外圍經(jīng)濟(jì)環(huán)境不確定性增加的情況下,全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控預(yù)計(jì)成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展主線。中共二十大報(bào)告亦明確指出科技進(jìn)步和專業(yè)人才對(duì)國(guó)家未來(lái)發(fā)展至關(guān)重要;報(bào)告意味著中央政府將在科技行業(yè)投放大量財(cái)政資源,預(yù)期內(nèi)地將提升半導(dǎo)體科技的科研開(kāi)支,加快實(shí)現(xiàn)高科技自立自強(qiáng)。除國(guó)家政策的大力支持外,香港政府未來(lái)亦會(huì)加大資源研發(fā)及制造第三代晶片,香港應(yīng)用科技研究院建議增撥資源,推動(dòng)國(guó)家半導(dǎo)體發(fā)展,可見(jiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要性。

第三代半導(dǎo)體外延片乃半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中的其中一個(gè)主要部分,為第三代半導(dǎo)體的半制成品,透過(guò)后續(xù)加工技術(shù)最終生產(chǎn)成為芯片;而是次外延片成功投產(chǎn)標(biāo)志著宏光半導(dǎo)體朝著量產(chǎn)芯片的終極目標(biāo)邁進(jìn)一大步。第三代半導(dǎo)體及其外延片廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、汽車電子5G、物聯(lián)網(wǎng)等終端領(lǐng)域。高速增長(zhǎng)和旺盛的市場(chǎng)需求使外延片生產(chǎn)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率進(jìn)一步提高,整個(gè)半導(dǎo)體外延片行業(yè)呈現(xiàn)高景氣度并有望延續(xù)。全球氮化鎵(GaN)外延片市場(chǎng)銷售額于2021年達(dá)到了4.2億美元,預(yù)計(jì)至2028年將達(dá)到15億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為21.2%(2022-2028)。伴隨著政府的利好政策驅(qū)動(dòng)、廣泛的下游應(yīng)用市場(chǎng)和國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇,集團(tuán)繼續(xù)加快步伐研發(fā)及拓展第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)及系統(tǒng)應(yīng)用的設(shè)計(jì)和制造,未來(lái)冀實(shí)現(xiàn)國(guó)有替代技術(shù)突圍,矢志成為以半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造為核心,集研發(fā)、制造、封測(cè)及銷售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體整合設(shè)備生產(chǎn)模式企業(yè)。

集團(tuán)管理層對(duì)其第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的發(fā)展充滿信心,認(rèn)為GaN在新興應(yīng)用領(lǐng)域如新能源汽車行業(yè)有巨大的優(yōu)勢(shì)。目前,集團(tuán)生產(chǎn)的外延片產(chǎn)品已正式投產(chǎn),加上集團(tuán)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有高執(zhí)行力以及豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),相信其半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)將逐漸步入收成期。早前,集團(tuán)已與協(xié)鑫科技控股有限公司(股份代號(hào):3800.HK)創(chuàng)辦人、主席兼執(zhí)行董事朱共山先生正式簽定股份及認(rèn)股權(quán)證認(rèn)購(gòu)協(xié)議,其后亦與朱共山先生及其家庭成員作為受益人之全權(quán)信托協(xié)鑫集團(tuán)有限公司訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,雙方將于GaN功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開(kāi)展密切合作,全速推展在GaN產(chǎn)業(yè)鏈上的布局。集團(tuán)管理層相信半導(dǎo)體行業(yè)龐大的機(jī)遇和市場(chǎng)需求可望為集團(tuán)帶來(lái)更多機(jī)遇,未來(lái)發(fā)展有望迎來(lái)增長(zhǎng)期,長(zhǎng)遠(yuǎn)為股東予以最佳的回報(bào)。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31296

    瀏覽量

    266877
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2227

    瀏覽量

    95526
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1917

    瀏覽量

    120180

原文標(biāo)題:宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”

    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體,卻在
    的頭像 發(fā)表于 04-28 14:44 ?1103次閱讀
    碳化硅 VS 氮化鎵:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的“雙雄對(duì)決”

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開(kāi)啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1154次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?587次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?419次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?619次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1164次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?494次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1592次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。GaN
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?1070次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1094次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?935次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2916次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1106次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
    河北省| 常德市| 苍梧县| 筠连县| 肇庆市| 和顺县| 苏尼特右旗| 黔东| 五寨县| 长垣县| 太湖县| 鱼台县| 蒙山县| 依兰县| 乌兰察布市| 竹北市| 垫江县| 辽中县| 五华县| 应用必备| 麻栗坡县| 龙口市| 青州市| 衡阳市| 墨脱县| 收藏| 厦门市| 蕲春县| 博客| 宣化县| 顺平县| 隆尧县| 称多县| 和田市| 澄江县| 泾川县| 昌乐县| 克拉玛依市| 贵州省| 建湖县| 环江|