簡(jiǎn)介
固態(tài)繼電器由于其更高的可靠性、更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間、沒(méi)有開(kāi)關(guān)彈跳和更小的尺寸而取代了機(jī)械繼電器。然而,一些設(shè)計(jì)者不愿從機(jī)械繼電器轉(zhuǎn)換到其固態(tài)等效器,因?yàn)橐恍┕虘B(tài)繼電器具有較高的相對(duì)接通電阻和成本更高。解決這兩個(gè)問(wèn)題的另一種替代方案是使用光伏驅(qū)動(dòng)器和離散的mosfet的組合來(lái)形成一個(gè)固態(tài)繼電器。
有了光伏驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)者可以從廣泛的汽車(chē)級(jí)MOSFETs組合中進(jìn)行選擇,來(lái)構(gòu)建滿(mǎn)足所需的電壓和電流額定值的光隔離固態(tài)繼電器。鑒于當(dāng)今市場(chǎng)上MOSFETs的競(jìng)爭(zhēng)性?xún)r(jià)格,使用一個(gè)光伏驅(qū)動(dòng)器結(jié)合一個(gè)或兩個(gè)離散的MOSFETs來(lái)形成一個(gè)固態(tài)繼電器是替代機(jī)械繼電器的一個(gè)很好的選擇。
當(dāng)與兩個(gè)背靠背的mosfet結(jié)合時(shí),該組合形成了一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)。圖1所示的配置由兩個(gè)增強(qiáng)模式n通道MOSFET組成,形成一個(gè)1形式的a(單極,單擲,通常OFF)繼電器。配置如圖2所示,由兩個(gè)耗盡模式的n通道MOSFETs組成,形成一個(gè)1-形式的B(單極,單投,通常為ON)繼電器。
圖1。1-形式的A與兩個(gè)增強(qiáng)的NMOS
圖2。1-形式的B與兩個(gè)消耗的NMOS
光伏驅(qū)動(dòng)器的基礎(chǔ)建設(shè)
光伏驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)是一個(gè)發(fā)光二極管(LED),并使用TTL或緩沖的CMOS邏輯進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。需要一個(gè)限流電阻來(lái)限制通過(guò)LED的電流。建議的輸入電流為10mA至20mA。光伏驅(qū)動(dòng)器的探測(cè)器側(cè)由串聯(lián)連接的光電二極管組成。
當(dāng)電流被驅(qū)動(dòng)到輸入側(cè)的LED時(shí),來(lái)自LED的光會(huì)產(chǎn)生通向?yàn)閙osfet的柵極充電的光電二極管串的光電流。由此產(chǎn)生的光電壓與開(kāi)關(guān)和保持電源設(shè)備打開(kāi)所需的光電二極管的數(shù)量成正比。
圖3。ACPL-K30T基礎(chǔ)施工
開(kāi)路電壓
ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)器由一串12個(gè)光電二極管組成,產(chǎn)生一個(gè)典型的開(kāi)路電壓(VOC)為7V。這足以驅(qū)動(dòng)大多數(shù)邏輯門(mén)級(jí)MOSFETs,其閾值電壓(VTH)為4V或更小。VOC的典型溫度系數(shù)為-24mV/°C。設(shè)計(jì)人員應(yīng)該考慮最壞情況下的角條件,這是在高溫下,因?yàn)镸OSFET的溫度漂移職業(yè)是比第v.見(jiàn)圖4。在125°C,最小職業(yè)ACPLK30T驅(qū)動(dòng)程序仍然高于最大值VGS(TH)mosfet的BSP300、BSS127和BSP125。這意味著ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)程序可以在-40°C到+125°C的溫度范圍下工作。
圖4。VOCvsVGS(TH)
對(duì)于高壓mosfet,這需要更高的第v,兩個(gè)ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)程序可以串聯(lián)連接,使其增加兩倍職業(yè).見(jiàn)圖5。當(dāng)兩個(gè)ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)器串聯(lián)連接時(shí),兩個(gè)繼電器的輸入LED也必須串聯(lián)起來(lái),以使兩個(gè)部分具有相同的LED驅(qū)動(dòng)電流,并更好地匹配ISC.另一個(gè)設(shè)計(jì)考慮因素是確保繼電器開(kāi)關(guān)并保持其接通狀態(tài)。光伏驅(qū)動(dòng)器的短路電流(ISC)必須克服MOSFET柵極漏電流免疫金銀染色法).請(qǐng)注意,具有齊納二極管柵極保護(hù)的mosfet往往有更高的保護(hù)免疫金銀染色法.
圖5。兩個(gè)ACPL-K30T系列
關(guān)閉繼電器并保持關(guān)閉狀態(tài)
當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)電流關(guān)閉時(shí),探測(cè)器中的光伏堆棧會(huì)坍塌,MOSFET柵極會(huì)放電。對(duì)于ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)器,一個(gè)內(nèi)部關(guān)閉電路有助于在此放電中實(shí)現(xiàn)快速關(guān)閉時(shí)間(TOFF)。
某些事件可能會(huì)導(dǎo)致繼電器無(wú)意中打開(kāi)。一個(gè)例子是,當(dāng)一個(gè)快速的瞬態(tài)電流峰值穿過(guò)MOSFET的排水管時(shí),通過(guò)寄生電容給MOSFET門(mén)充電。對(duì)于ACPLK30T驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部電路將光伏驅(qū)動(dòng)器的輸出夾緊在最小MOSFET閾值以下,第v.這將使ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)程序處于關(guān)閉狀態(tài),并防止設(shè)備無(wú)意中打開(kāi)。圖6顯示了當(dāng)LED關(guān)閉時(shí),ACPL-K30T輸出的I-V曲線。
繼電器可能被意外打開(kāi)的另一個(gè)原因是,當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)器的泄漏電流,通過(guò)輸入的LED,產(chǎn)生低Isc。這最終會(huì)導(dǎo)致輸出的mosfet被打開(kāi)。
為了防止這種情況發(fā)生,在電路中添加一個(gè)簡(jiǎn)單的分流電阻,與ACPL-K30T驅(qū)動(dòng)器的LED并行。這將改變輸入閾值電流,并將需要一個(gè)較高的電阻值,以最小化的影響ISC.
圖6。LED關(guān)閉時(shí)的I-V曲線
切換
接通時(shí)間(TON),由短路電流(ISC)和MOSFET的柵極電荷決定。通過(guò)增加LED驅(qū)動(dòng)電流(IF)來(lái)提高ISC是生產(chǎn)的,并將使繼電器打開(kāi)得更快。大的mosfet(具有較高的擊穿電壓,較低的電阻,或兩者都有)往往有較高的柵極電荷。最壞的情況下噸將處于低LED驅(qū)動(dòng)電流(lF)和在高溫條件下(見(jiàn)圖7)。
圖7。TON與不同溫度下的IF
ACPL-K30T的關(guān)閉時(shí)間(TOFF)是一個(gè)因子如果、溫度和負(fù)載電容。有錢(qián)人在低LED驅(qū)動(dòng)電流下的最壞角,如果,和低溫,如圖9所示。有錢(qián)人與高達(dá)10uF的負(fù)載電容無(wú)關(guān)(圖8)。有錢(qián)人當(dāng)負(fù)載電容為100nF或更高時(shí)會(huì)增加。
圖8。TOFF與CLOAD
圖9.TOFF與溫度的對(duì)比圖
結(jié)論
將ACPL-K30T光伏驅(qū)動(dòng)器與mosfet結(jié)合起來(lái),形成一個(gè)固態(tài)繼電器,是取代傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)的一個(gè)很好的替代方案。固態(tài)繼電器除了具有更高的可靠性、更好的性能和更小的尺寸外,還消除了機(jī)械開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)彈跳和高壓電弧問(wèn)題。使用ACPL-K30T光伏驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)者現(xiàn)在可以靈活地從基于額定電壓、額定電流和ON電阻的MOSFET中選擇,以形成固態(tài)繼電器。一些推薦用于汽車(chē)應(yīng)用的mosfet有:BSS127(600V)和BSP300(800V)。許多AECQ101MOSFETs的額定功率為T(mén)J=175°C,因此與ACPL-K30Tdriver一起,隔離固態(tài)繼電器可以很容易地配置用于汽車(chē)應(yīng)用。
審核編輯 黃昊宇
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