日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

羅姆將于12月量產(chǎn)下一代功率半導體,可提升EV續(xù)航里程

廠商快訊 ? 來源:愛集微 ? 作者:姜羽桐 ? 2022-11-28 10:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日本共同社25日消息,羅姆(ROHM)將于12月開始量產(chǎn)碳化硅(SiC)制成的下一代功率半導體。

據(jù)悉,量產(chǎn)將在日本福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導體專用廠房實施,今后羅姆將為增產(chǎn)投資最多2200億日元,并計劃將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。

羅姆稱,其花費約20年推進(下一代功率半導體)研發(fā),運轉(zhuǎn)機器時可提高用電效率,若裝在純電動汽車(EV)上,續(xù)航里程可提升一成。

11月22日,馬自達宣布,正在開發(fā)的“e-Axle”將搭載羅姆提供的碳化硅零部件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1556

    瀏覽量

    45291
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    448

    瀏覽量

    67962
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    onsemi FFSH10120A-F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者

    onsemi FFSH10120A-F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者 在電子工程領(lǐng)域,功率半導體器件的性能直接影響著電子
    的頭像 發(fā)表于 05-06 16:20 ?29次閱讀

    安森美FFSH20120A - F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者

    安森美FFSH20120A-F085碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的功率半導體器件至關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?51次閱讀

    安森美FFSH30120ADN - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者

    安森美FFSH30120ADN - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的佼佼者 在電子工程領(lǐng)域,功率半導體的性能直接影響著整個系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?52次閱讀

    onsemi FFSH2065B - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選

    onsemi FFSH2065B - F155碳化硅肖特基二極管:下一代功率半導體的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,功率半導體器件的性能對整個系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?50次閱讀

    文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    。 2025 年 11 :聯(lián)合研制 β 相氧化鎵功率二極管取得突破,功率品質(zhì)因子超越 SiC 理論極限,驗證下一代電力電子技術(shù)路線。 03 泰科天潤
    發(fā)表于 03-24 13:48

    DirectScan 技術(shù)解析:下一代半導體電子束檢測的創(chuàng)新路徑與應用

    量產(chǎn)應用。DirectScan檢測通過核心技術(shù)創(chuàng)新破解了這行業(yè)痛點,為下一代半導體制造提供了高效、精準的檢測解決方案。本文將從技術(shù)原理、核心優(yōu)勢、應用場景及落地實
    的頭像 發(fā)表于 03-24 09:05 ?497次閱讀
    DirectScan 技術(shù)解析:<b class='flag-5'>下一代</b><b class='flag-5'>半導體</b>電子束檢測的創(chuàng)新路徑與應用

    半導體:聚焦功率與模擬半導體,把握 2026年AI與脫碳雙重機遇

    網(wǎng)策劃了《2025年半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國內(nèi)外半導體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。其中,電子發(fā)燒友特別采訪了半導體,以下是他們
    的頭像 發(fā)表于 02-03 09:07 ?2700次閱讀

    面向下一代800 VDC架構(gòu)發(fā)布電源解決方案白皮書

    ROHM(半導體)宣布,作為半導體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè),發(fā)布基于下一代800 VDC架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心用的先進電源解決方案白皮書。 本
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:45 ?938次閱讀

    AMEYA360 | 面向下一代800 VDC架構(gòu)發(fā)布電源解決方案白皮書

    ~為實現(xiàn)千兆瓦級AI基礎(chǔ)設(shè)施的800 VDC構(gòu)想提供支持~ 2025年1028日,全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)今日宣布,作為半導
    的頭像 發(fā)表于 10-29 15:32 ?600次閱讀
    AMEYA360 | <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>面向<b class='flag-5'>下一代</b>800 VDC架構(gòu)發(fā)布電源解決方案白皮書

    意法半導體推進下一代芯片制造技術(shù) 在法國圖爾工廠新建條PLP封裝試點生產(chǎn)線

    意法半導體(簡稱ST)公布了其位于法國圖爾的試點生產(chǎn)線開發(fā)下一代面板級包裝(PLP)技術(shù)的最新進展。該生產(chǎn)線預計將于2026年第三季度投入運營。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 09:39 ?1004次閱讀

    互通有無擴展生態(tài),英飛凌與達成碳化硅功率器件封裝合作

    9 28 日消息,兩家重要功率半導體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC)
    的頭像 發(fā)表于 09-29 18:24 ?2119次閱讀
    互通有無擴展生態(tài),英飛凌與<b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>達成碳化硅<b class='flag-5'>功率</b>器件封裝合作

    亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導體創(chuàng)新

    2025 年 9 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場,(ROHM)攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:35 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>亮相 2025 PCIM  碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>創(chuàng)新

    助力舍弗勒新型高電壓逆變磚實現(xiàn)量產(chǎn)

    全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應商舍弗勒集團(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫,以下簡稱“舍弗勒”)宣布,作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑,舍弗勒開始
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:37 ?902次閱讀

    邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025

    全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)宣布將于924日~26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會(以下簡稱PCIM
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:34 ?1286次閱讀

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    提高了器件的性能。據(jù)IMEC的研究,叉片晶體管相比納米片晶體管可以實現(xiàn)約10%的性能提升。 叉片晶體管被認為是未來1nm及以下技術(shù)節(jié)點的有力候選架構(gòu)。它能夠?qū)⒓{米片晶體管的微縮性進步延伸,為
    發(fā)表于 06-20 10:40
    全南县| 宣汉县| 开江县| 长海县| 临洮县| 宽甸| 栖霞市| 蕲春县| 虹口区| 东山县| 龙井市| 赣榆县| 瓮安县| 禄丰县| 荥阳市| 凤山市| 建平县| 法库县| 沾化县| 延吉市| 黎平县| 乳源| 湄潭县| 郧西县| 普安县| 闽清县| 东方市| 阿坝县| 峨眉山市| 合水县| 柘城县| 镇宁| 安图县| 乌兰浩特市| 绥德县| 砀山县| 拉萨市| 晴隆县| 兴安县| 清水河县| 东乌珠穆沁旗|