18W PD快充芯片U6615S有效縮短充電時長

為了滿足5G、大屏幕以及處理器的負載要求，智能手機勢必要搭載越來越大容量的電池。在不能過多的增長手機的體積以及重量的情況下，手機廠商都執(zhí)著于不斷發(fā)展快充技術。采用深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U6615S，可有效縮短充電時長，及時給手機續(xù)航。

低待機功率、低功耗、低電磁兼容性

和低成本的PD快充芯片U6615S

結合了一個專用的電流模式PWM

帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，

適用于18W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。

U6615S集成 650V MOSFET，±4% 恒流、恒壓精度，

待機功耗<70mW，多模式原邊控制方式，

工作無異音，優(yōu)化的動態(tài)響應，可調(diào)式線損補償，

集成線電壓和負載電壓的恒流補償，

集成有多種保護功能：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(OVP)、

逐周期限流保護 (OCP)、短路保護(SLP)和VDD箝位等。

PD快充芯片U6615S具有數(shù)字頻率

洗牌技術進行改進電磁干擾性能，

固定65k HzPWM開關頻率，

低待機功耗(<75米W@230Vac)；

軟啟動，以減少MOSFET VD S應力；

低啟動電流(<10uA@VCC=12V)。

輸出規(guī)格為5、9、12-18W，

應用于PD/QC市場，VDD-40V max18W，

引腳特征如下：1 腳GND 芯片參考地。

2 腳VDD 芯片供電管腳。

3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于

光電耦合器相連，此腳位電壓決定了

PWM驅(qū)動信號的占空比和CS管腳的關斷電壓。

4 腳CS 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

審核編輯 ：李倩