雖然有些人認為 GaN 仍是一種相對較新的技術(shù)，但卻無法否認它躋身一流技術(shù)行列的事實。GaN（又名“氮化鎵”）技術(shù)即將取代硅 LDMOS，后者一直以來都是高功率應用的首選。GaN 是一種 III-V 直接帶隙半導體技術(shù)。由于其具備更高的效率、出色的高壓可持續(xù)性、更低的功耗、更高的溫度屬性和功率處理特性，GaN 在功率電子設備領(lǐng)域的應用越來越廣泛。

這些屬性使 GaN 成為 5G 射頻的焦點，尤其是在毫米波 5G 網(wǎng)絡中。雖然我們都“聽說過”5G 的各種前景，隨著主要的無線網(wǎng)絡運營商向其客戶推出 5G 服務，如今大城市中的許多人，更確切地說大約有 500 萬人，開始了解這些前景。但其實我們尚未到那一步。完全不是那么回事。我們的目標是到 2025 年連接 28 億用戶。要實現(xiàn)這一目標，就意味著要改造整個移動基礎設施，雖然這是一項復雜的任務，但卻是能夠完成的。借助 GaN 技術(shù)，5G 將在不知不覺中達到數(shù)十億用戶。

最近，Embedded.com邀請 Qorvo 的 Roger Hall 撰寫了一系列 5G 文章，說明構(gòu)建基礎設施的復雜性，以及在普及 5G 的創(chuàng)新中哪些方面適用 GaN。下面是每篇文章的摘要，并附有鏈接，以便大家深入了解。

5G 和 GaN：全面了解 6GHz 以下大規(guī)模 MIMO 基礎設施

在這篇文章中，Roger 說明了運營商在推出 5G 時，利用大規(guī)模 MIMO 技術(shù)最小化成本和提高容量的優(yōu)勢。他還探討了 6GHz 以下技術(shù)，并說明了為什么該技術(shù)對 5G 的采用和擴展至關(guān)重要。 此外，他還談到了如何在大規(guī)模 MIMO 基礎設施應用中使用 GaN。了解更多信息>

5G 和 GaN：從 LDMOS 向 GaN 的轉(zhuǎn)變

在這篇文章中，Roger 解釋了 6GHz 以下 5G 基站的功率需求如何推動硅 LDMOS 放大器向基于 GaN 的解決方案轉(zhuǎn)變，以及 GaN 為何能成為許多射頻應用的可行技術(shù)。他還回顧了工程師需要在這兩項技術(shù)之間進行的一些權(quán)衡，以及 GaN 為何能成為許多 5G 解決方案的首選。了解更多信息>

關(guān)于 Roger Hall

Roger 是 Qorvo 高性能解決方案部門總經(jīng)理。他負責無線基礎設施、國防和航天以及電源管理市場的項目管理和應用設計。這一領(lǐng)導角色使其能夠以獨特的視角來審視和解釋射頻技術(shù)在推動未來創(chuàng)新方面發(fā)揮的重要作用。

5G 和 GaN：嵌入式設計人員需要了解的內(nèi)容

在前一篇博文的基礎上，Roger 就嵌入式設計人員如何充分發(fā)揮 GaN 的潛力發(fā)表了自己的見解。他還討論了人們對 GaN 的誤解，探討了 GaN 的特性，并提供了最大化 GaN 性能的最佳實踐。了解更多信息>

5G 和 GaN：未來創(chuàng)新

在本系列博文中的第四篇也是最后一篇文章中，Roger 展望了未來 GaN 在基站中的角色。他還簡要介紹了目前正在進行且在未來可提高線性效率、功率密度和可靠性的 GaN 創(chuàng)新，以及這些改進的影響。了解更多信息>

審核編輯黃昊宇