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滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

吳湛 ? 來(lái)源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-09 10:19 ? 次閱讀
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ROHM面向xEV車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”,而且共有13款型號(hào),擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。

為了延長(zhǎng)xEV的續(xù)航距離,要求車(chē)載充電器實(shí)現(xiàn)高輸出、高效率

近年來(lái),xEV(電動(dòng)汽車(chē)的總稱(chēng))汽車(chē)迅速普及。其中電動(dòng)汽車(chē)(EV)的普及速度尤為迅速,然而續(xù)航距離短卻成為亟需解決的課題。為了延長(zhǎng)續(xù)航距離,所配置電池的容量呈日益增加趨勢(shì),與此同時(shí),還要求縮短充電時(shí)間。為了滿(mǎn)足這種市場(chǎng)需求,比起11kW、22kW這樣的說(shuō)法,市場(chǎng)更需要更高輸出、更高效率的車(chē)載充電器,故采用SiC MOSFET的應(yīng)用案例越來(lái)越多。另外,以歐洲為中心,所配置電池的電壓也呈日益增高趨勢(shì)(800V),這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。

poYBAGPbi4qAKjVgAAC8hX_yd18729.jpg

基于這種市場(chǎng)需求,ROHM一直致力于擴(kuò)充支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容。此次新增的10款型號(hào),是采用了ROHM第三代溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET與第二代平面型SiC-MOSFET相比,導(dǎo)通電阻降低約50%,輸入電容降低約35%。這些新產(chǎn)品的加入,使包括SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)在內(nèi)的滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的分立型產(chǎn)品目前多達(dá)34款型號(hào),實(shí)屬業(yè)界頂級(jí)陣容。下面是滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET所有產(chǎn)品的陣容。如欲了解單個(gè)產(chǎn)品的規(guī)格,請(qǐng)點(diǎn)擊產(chǎn)品名稱(chēng)的鏈接。

<滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載用SiC MOSFET產(chǎn)品陣容>

通用規(guī)格:工作溫度范圍-55℃~+175℃、TO-247N封裝、支持AEC-Q101

代別
(柵極結(jié)構(gòu))
產(chǎn)品名稱(chēng) VDS
(V)
導(dǎo)通電阻(typ.)
(mΩ)
ID
(A)
PD
(W)
第3代
(溝槽柵結(jié)構(gòu))
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3017ALHR
650 17 118 427
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3022ALHR
22 93 339
SCT3030ALHR 30 70 262
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3060ALHR
60 39 165
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3080ALHR
80 30 134
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3120ALHR
120 21 103
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3022KLHR
1200 22 95 427
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3030KLHR
30 72 339
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3040KLHR
40 55 262
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3080KLHR
80 31 165
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3105KLHR
105 24 134
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3160KLHR
160 17 103
第2代
(平面柵結(jié)構(gòu))
SCT2080KEHR 1200 80 40 262

領(lǐng)先業(yè)界的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)體制

ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域始終在推進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)并打造相應(yīng)的量產(chǎn)體制。針對(duì)需求不斷擴(kuò)大的車(chē)載市場(chǎng),ROHM及時(shí)確立了支持AEC-Q101等的車(chē)載級(jí)品質(zhì)和可靠性,并從2012年起開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載充電器用的SiC SBD,從2017年起開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器用的SiC MOSFET。

pYYBAGPbi5uAI4CHAAFBarzjKo8240.jpg

另外,ROHM一直秉承“質(zhì)量第一”的理念,采用從開(kāi)發(fā)到制造全部在集團(tuán)內(nèi)進(jìn)行的“垂直統(tǒng)合型”體制,針對(duì)在SiC功率元器件,也建立了從晶圓到封裝全部在集團(tuán)內(nèi)部進(jìn)行的一條龍生產(chǎn)體制,實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)和高可靠性。

poYBAGPbi52ARcfbAAGkMWZjhyE826.jpg

未來(lái),ROHM將繼續(xù)致力于擴(kuò)充車(chē)載用SiC功率元器件的產(chǎn)品陣容。

審核編輯黃宇


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