日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

硬科技星球 ? 來源:硬科技星球 ? 作者:硬科技星球 ? 2023-05-04 14:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息: 【英飛凌公司正推動其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議,以確保獲得更多具有競爭力的碳化硅來源。天科合達將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料,其供應(yīng)量占到英飛凌未來長期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額?!?/p>

英飛凌是國際著名的半導(dǎo)體公司,其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,英飛凌技術(shù)實力雄厚,在功率半導(dǎo)體市場占有率國際第一。近年來,英飛凌公司不斷加強其SiC制造能力,并持續(xù)看好亞太區(qū)第三代半導(dǎo)體市場。公司制訂了遠景目標(biāo),力爭在2030年達成30%全球SiC市場份額。

基于對碳化硅發(fā)展前景的充分看好,英飛凌公司在過去幾年,與全球碳化硅材料主要供應(yīng)商紛紛簽訂長期供貨協(xié)議??赡苁浅鲇趯喬袌鲇绕涫侵袊袌龅目紤],英飛凌公司推動了這次與中國供應(yīng)商天科合達長期合作協(xié)議的簽訂。

據(jù)業(yè)一位內(nèi)人士稱,天科合達這家碳化硅材料公司是具有深厚的中科院背景和國資背景的高科技企業(yè)。公司在2006年成立,成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所,主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來源于新疆天富集團。近年來,伴隨著“雙碳”建設(shè)的深入實施以及國家對第三代半導(dǎo)體的大力支持,以新能源汽車、光伏風(fēng)電、儲能設(shè)施、軌道交通、5G通訊等為主要應(yīng)用的碳化硅市場快速擴容。以天科合達、天岳先進、爍科晶體等為代表的國內(nèi)碳化硅材料企業(yè)迎來快速發(fā)展的時機。天科合達在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域尤為出色,占據(jù)了國內(nèi)一半以上的市場份額,2021年國際市場占有率排名第四,在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。公司已經(jīng)得到國家政策基金和產(chǎn)業(yè)基金的大力支持,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時代、潤科基金都是天科合達的股東。此次雙方合作協(xié)議的簽訂,是英飛凌公司對天科合達產(chǎn)品質(zhì)量的充分肯定,也是英飛凌完善供應(yīng)鏈建設(shè)的一次關(guān)鍵選擇。英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計劃于2024年投產(chǎn),預(yù)計天科合達將會有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

本報記者就相關(guān)情況致電中科院物理研究所碳化硅團隊負(fù)責(zé)人、天科合達首席科學(xué)家陳小龍研究員。

陳小龍談起就碳化硅的重要優(yōu)勢時說:

「碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料,應(yīng)用前景廣闊,大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實施。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比,具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢,特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。比如電動汽車應(yīng)用碳化硅器件做逆變器、變壓器,甚至是車載充電樁,可以做得體積小,重量輕,這樣提高電動汽車的續(xù)航里程,同時轉(zhuǎn)換效率高,能夠有效節(jié)能。在光伏逆變器和儲能逆變器領(lǐng)域,提高電能利用率,大大降低能耗損失。未來碳化硅器件將會覆蓋更高電壓等級器件,可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。碳化硅功率器件導(dǎo)通電阻底,開關(guān)頻率高,能夠有效降低系統(tǒng)能耗,達到節(jié)能減排的目的,是為“雙碳”戰(zhàn)略服務(wù)的重要材料?!?/p>

陳教授談起我國的碳化硅技術(shù)發(fā)展,他說:

「我國碳化硅技術(shù)起步較晚,天科合達是中科院物理研究所產(chǎn)學(xué)研合作成功的典型案例,一直在推動著國內(nèi)碳化硅技術(shù)進步。碳化硅(SiC)晶體生長極其困難,上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達國家掌握SiC晶體生長和加工技術(shù),我國起步較晚。為推動SiC晶體國產(chǎn)化,避免我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”,我們團隊從1999年開始,從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究,自主研發(fā)突破了從生長設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長和加工等關(guān)鍵技術(shù)。我們形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線,進而推動國內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達成立。天科合達不斷發(fā)展壯大,取得了不錯的經(jīng)濟和社會效益,帶動了整個產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展,團隊因此獲得了中國科學(xué)院2020年度科技促進發(fā)展獎,成為中科院產(chǎn)學(xué)院合作的一個優(yōu)秀案例。」

對于這次簽約,陳教授說:

「國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約,一直是普遍的做法,英飛凌鎖定天科合達的部分產(chǎn)能,即有利于推動天科合達技術(shù)進步,也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng),是一個雙贏的選擇?!?/p>

另外,中科院物理所陳小龍教授還稱,目前物理所研發(fā)團隊還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長技術(shù),希望基礎(chǔ)研究上跟進一步,為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2564

    瀏覽量

    143190
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266754
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3557

    瀏覽量

    52674
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    《氧化鋁、碳化硅、氮化硅,誰才是工業(yè)陶瓷老大?》

    浪潮和產(chǎn)業(yè)風(fēng)頭來看,碳化硅無疑是時下最當(dāng)紅的“霸主”。它在半導(dǎo)體設(shè)備和新能源產(chǎn)業(yè)中扮演著關(guān)鍵角色,勢頭迅猛,市場規(guī)模正在快速超越。而如果從綜合力學(xué)性能和應(yīng)用潛力來看,氮化硅才是真正站在塔尖的“無冕之王
    發(fā)表于 04-29 07:23

    碳化硅MOSFET器件國產(chǎn)化替代深度分析:基于英飛凌與基本半導(dǎo)體產(chǎn)品的柵極驅(qū)動負(fù)壓閾值與開關(guān)速度校準(zhǔn)

    碳化硅MOSFET器件國產(chǎn)化替代深度分析:基于英飛凌與基本半導(dǎo)體產(chǎn)品的柵極驅(qū)動負(fù)壓閾值與開關(guān)速度校準(zhǔn) 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)演進與電力電子
    的頭像 發(fā)表于 04-23 16:01 ?54次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET器件<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>化替代深度分析:基于<b class='flag-5'>英飛凌</b>與基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)品的柵極驅(qū)動負(fù)壓閾值與開關(guān)速度校準(zhǔn)

    技術(shù)突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑

    ,市場對高性能內(nèi)膽的需求缺口正在放大。國內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)已開始布局,例如海合精密陶瓷有限公司等具備先進陶瓷制備能力的廠商,正通過優(yōu)化氮化硅-碳化硅復(fù)合材料的配方與燒結(jié)工藝,力圖在保
    發(fā)表于 03-20 11:23

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和
    發(fā)表于 01-31 08:46

    SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析

    SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 12-24 06:54 ?738次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析

    博世碳化硅功率半導(dǎo)體本土布局提速競跑

    作為全球領(lǐng)先的汽車技術(shù)供應(yīng)商,博世深知本土化是贏得中國市場的關(guān)鍵。在電動汽車核心的碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,我們秉持“深耕中國”的戰(zhàn)略,通過本地研發(fā)、本地生產(chǎn)以及本地合作的能力建設(shè),全面融入中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈,并持續(xù)布局未來發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:17 ?855次閱讀

    簡單認(rèn)識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?1048次閱讀

    固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍圖與硬件重構(gòu):國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的崛起之路

    固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍圖與硬件重構(gòu):國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的崛起之路 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷
    的頭像 發(fā)表于 12-07 15:02 ?3555次閱讀
    固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍圖與硬件重構(gòu):<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的崛起之路

    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場報告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子(Changer Tech)是
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?596次閱讀
    傾佳電子市場報告:<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?2033次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1448次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1738次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?1196次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1500次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?1051次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
    昔阳县| 乡城县| 阿拉尔市| 鸡西市| 翼城县| 潮州市| 广饶县| 广河县| 黄大仙区| 微山县| 靖江市| 天水市| 海口市| 屏南县| 平远县| 新余市| 涟源市| 德钦县| 中江县| 竹北市| 丹巴县| 正定县| 托克逊县| 蓬安县| 苏尼特右旗| 靖江市| 文成县| 枞阳县| 吉林市| 大竹县| 惠来县| 万全县| 池州市| 纳雍县| 汾西县| 西丰县| 台中市| 高平市| 密云县| 邵武市| 彭阳县|