半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：5月8日，納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能和消費(fèi)電子等要求嚴(yán)格的應(yīng)用需求。

這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS)二極管采用獨(dú)特的PiN-Schottky結(jié)構(gòu)，提供低內(nèi)置電壓偏置（低門(mén)檻電壓）以實(shí)現(xiàn)在各種負(fù)載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應(yīng)用領(lǐng)域包括服務(wù)器/電信電源的PFC電路、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、LCD/LED電視和照明。

部分GeneSiC功率器件應(yīng)用場(chǎng)景

GeneSiC MPS的獨(dú)特設(shè)計(jì)，結(jié)合了PiN和肖特基二極管結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，產(chǎn)生僅有1.3V的最低正向壓降、高浪涌電流（IFSM）和開(kāi)關(guān)損耗隨溫度變化小。專有的薄片技術(shù)進(jìn)一步降低了正向電壓，并很好地提升散熱性能GeneSiC二極管先期提供表面貼裝QFN的封裝。

為確保能在關(guān)鍵應(yīng)用中可靠運(yùn)行，第五代650 V MPS二極管具有一流的魯棒性和耐久性 ，具備高浪涌電流和雪崩能力，并通過(guò)100%雪崩（UIL）生產(chǎn)測(cè)試。

從4A到24A的容量，采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應(yīng)用范圍，并適用于多種電路，如太陽(yáng)能電池板升壓轉(zhuǎn)換器以及游戲機(jī)中的連續(xù)電流模式的功率因數(shù)校正電路（PFC）。TO-247-3封裝形式是“共陰極”配置，為交錯(cuò)式PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率密度和材料降本提供了很大的靈活性。

納微半導(dǎo)體副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示：“納微正在為類似于AI，ChatGPT等火熱應(yīng)用背后的數(shù)據(jù)中心電源提供可靠，領(lǐng)先的解決方案。高效的、溫控良好的、可靠的器件運(yùn)行能力，保證了更長(zhǎng)使用壽命，從而讓電源設(shè)計(jì)師更放心地發(fā)揮，進(jìn)一步縮短他們的原型設(shè)計(jì)周期，加快產(chǎn)品上市時(shí)間。”

審核編輯 ：李倩