Vishay 新型第三代 650VSiC 二極管

器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

額定電流 4 A~ 40 A

正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

Vishay推出17款新型第三代 650V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。

日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用 MPS 結(jié)構(gòu)，器件正向壓降比上一代解決方案低 0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），相比上一代解決方案降低 17%。

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低 30%，高溫下低 70%。因此降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾，從而能夠進(jìn)一步提升效率。

與擊穿電壓相當(dāng)?shù)墓瓒O管相比，SiC 二極管熱導(dǎo)率高，反向電流低，反向恢復(fù)時(shí)間短。二極管反向恢復(fù)時(shí)間幾乎不受溫度變化的影響，可在 +175?C 高溫下工作，不會(huì)因開關(guān)損耗造成能效變化。

器件典型應(yīng)用包括發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域 FBPS 和 LLC 轉(zhuǎn)換器中的 AC/DC 功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC 超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，通過 2,000 小時(shí)高溫反偏（HTRB）測試和 2,000 次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試，測試時(shí)間和循環(huán)次數(shù)是 AEC-Q101 規(guī)定的兩倍。

新型 SiC 二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為八周。