盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期，總體市場(chǎng)氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱，英飛凌、意法半導(dǎo)體國(guó)外大廠IGBT交期均在50周以上，產(chǎn)能緊張或?qū)⒊掷m(xù)至2025年。而這也為國(guó)產(chǎn)IGBT的發(fā)展提供了良機(jī)。

上海陸芯電子科技有限公司于6月16日舉辦了“2023陸芯新品發(fā)布&功率半導(dǎo)體行業(yè)分享會(huì)”，邀請(qǐng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同仁共同討論新一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)革命和創(chuàng)新發(fā)展。隨著IGBT市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大以及國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)技術(shù)上取得突破，我國(guó)IGBT正在駛上發(fā)展的快車道。

IGBT供不應(yīng)求，為國(guó)產(chǎn)IGBT發(fā)展提供良機(jī)

全球范圍內(nèi)的產(chǎn)能緊張為國(guó)產(chǎn)IGBT發(fā)展提供了良機(jī)。陸芯作為專業(yè)從事最新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，2021年即發(fā)布了IGBT微溝槽Fine-Pitch系列、Hybrid系列在內(nèi)的多款產(chǎn)品，取得良好的市場(chǎng)口碑。

本次活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，陸芯再次推出系列新品，包括陸芯Gen2和Gen3工藝平臺(tái)下的IGBT產(chǎn)品，相比第一代產(chǎn)品性能上得到進(jìn)一步提升；陸芯業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的基于12英寸晶圓生產(chǎn)線的Gen2 IGBT產(chǎn)品，該產(chǎn)品已經(jīng)成功定型量產(chǎn)；通過AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)IGBT單管級(jí)產(chǎn)品。

此次陸芯推出的產(chǎn)品從性能到穩(wěn)定性，都得到了進(jìn)一步提升，比如針對(duì)特定應(yīng)用場(chǎng)景的T3系列。該產(chǎn)品為1200V短路增強(qiáng)型IGBT，進(jìn)行了特別的設(shè)計(jì)和工藝調(diào)教，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)/工業(yè)變頻等中低頻、對(duì)短路有更高要求的應(yīng)用領(lǐng)域，可滿足用戶的更高要求。

得益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各領(lǐng)域的利好，國(guó)產(chǎn)替代將會(huì)是IGBT行業(yè)未來一段時(shí)期發(fā)展的主旋律之一。

技術(shù)不斷演進(jìn)，國(guó)產(chǎn)性能不弱于國(guó)際龍頭

在技術(shù)方面，陸芯的技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有多年美國(guó)一流功率半導(dǎo)體公司的IGBT研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，所開發(fā)的IGBT產(chǎn)品與Infineon最新的第7代微溝槽TrenchFS技術(shù)相當(dāng)。陸芯目前擁有一條IGBT模塊封裝線，具備大規(guī)模批量生產(chǎn)工業(yè)級(jí)模塊的能力；產(chǎn)品種類豐富，可封裝各種類型的IGBT模塊。研發(fā)成果方面，陸芯非常重視自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利的申請(qǐng)，已陸續(xù)申請(qǐng)近100項(xiàng)。

陸芯科技總經(jīng)理張杰博士介紹了陸芯在產(chǎn)品技術(shù)上的“專精特新”四大特點(diǎn)?！皩！笔侵戈懶緦Ｗ⒂贗GBT領(lǐng)域，擁有專業(yè)的技術(shù)積累和專注的產(chǎn)品開發(fā)路線；“精”是指陸芯的精品策略，精益求精地打磨產(chǎn)品，根據(jù)應(yīng)用需求精心調(diào)教各種產(chǎn)品參數(shù)；“特”是指有陸芯的產(chǎn)品特色，之前650V和1200V單管IGBT作為陸芯的主打產(chǎn)品，最近又增加了多種類型的IGBT模塊，包括工業(yè)、電源以及車用等不同類型；新是指創(chuàng)新，在產(chǎn)品迭代中，陸芯不斷創(chuàng)新，使產(chǎn)品的性能與可靠性越來越高。

根據(jù)陸芯科技首席科學(xué)家林青博士的介紹，陸芯的產(chǎn)品技術(shù)從Gen1一直延伸到Gen4。Gen1、Gen2、Gen3技術(shù)都已經(jīng)有產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)陸芯在積極研發(fā)Gen4技術(shù)。據(jù)了解，自陸芯2017年成立以來，一直致力于完整的IGBT技術(shù)開發(fā)平臺(tái)打造，產(chǎn)品采用自主創(chuàng)新的最新一代溝槽柵場(chǎng)截止IGBT平臺(tái)設(shè)計(jì)與工藝，已具備比肩國(guó)際一線品牌的高性能與高可靠性。

陸芯科技在會(huì)議中探討了未來還將不斷開發(fā)IGBT 新一代產(chǎn)品及MOSFET，并逐步按計(jì)劃推向市場(chǎng)，同時(shí)加大對(duì)新能源汽車電子、儲(chǔ)能、光伏、逆變、UPS及變頻器等領(lǐng)域的推廣力度，持續(xù)提升公司品牌價(jià)值和影響力。

車規(guī)與光伏兩個(gè)黃金賽道，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行時(shí)

IGBT的應(yīng)用范圍非常廣泛，涉及軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等，但光伏逆變器和新能源汽車當(dāng)前IGBT最受矚目的兩大下游領(lǐng)域，也是陸芯重點(diǎn)布局的兩個(gè)市場(chǎng)。

談到新能源汽車市場(chǎng)，很多人都會(huì)想到碳化硅器件，對(duì)硅基器件的替代。但張杰表示，受限于SiC襯底復(fù)雜的生產(chǎn)過程與低良率，導(dǎo)致價(jià)格較高、產(chǎn)量不足，同時(shí)碳化硅長(zhǎng)期的可靠性還沒有得到充分的驗(yàn)證，因此在相對(duì)較長(zhǎng)的一段時(shí)期內(nèi)，碳化硅器件依然無法替代IGBT。陸芯開發(fā)的Hybrid IGBT在與碳化硅器件性能接近的情況下可以提供更有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的品牌解決方案。

而且陸芯也在將SiC產(chǎn)品及模塊業(yè)務(wù)納入發(fā)展規(guī)劃。張杰表示，陸芯在碳化硅上的布局主要是從碳化硅與IGBT的結(jié)合上切入，實(shí)現(xiàn)了高頻硅器件與碳化硅二極管的結(jié)合。相關(guān)產(chǎn)品已在新能源汽車的車載充電機(jī)OBC行業(yè)批量交付。

本次活動(dòng)上，陸芯不僅展示了最新產(chǎn)品與技術(shù)成果，也顯示出蓬勃的發(fā)展?jié)摿?。?jīng)過這些年的持續(xù)發(fā)展，國(guó)產(chǎn)IGBT的性能實(shí)際上已不弱于國(guó)際大廠。隨著市場(chǎng)的擴(kuò)大與技術(shù)的演講，中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈將具備更強(qiáng)的進(jìn)口替代能力。
責(zé)任編輯：彭菁