本項(xiàng)目是一個(gè)電機(jī)電源控制板，主要功能是控制4個(gè)200W的大功率直流電機(jī)的供電電源，電機(jī)供電電源24V，4個(gè)電機(jī)的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對(duì)電機(jī)負(fù)載進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，所以最適合的就是選擇P溝道MOSFET作為電源開(kāi)關(guān)控制器件。

對(duì)于P溝道MOS器件的選型，首先需要確定的是系統(tǒng)最大的連續(xù)工作電流，在本項(xiàng)目中需要選擇連續(xù)電流大于30A的P溝道MOS；考慮到電機(jī)工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較大的瞬時(shí)電流，在P溝道MOS選型的過(guò)程中一定要留夠負(fù)載電流余量。另外在大電流負(fù)載的情況下，還需要考慮系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。通過(guò)選型對(duì)比最終選擇安森德的ASDM60P25KQ作為電機(jī)電源的控制開(kāi)關(guān)。

ASDM60P25KQ主要電氣性能參數(shù)：

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32m?

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●PD為60W(TC =25oC)

●R?JA為50oC/W (最大值)。

ASDM60P25KQ基本特征：

●高密度電池設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力●溝道功率低壓MOSFET技術(shù)●出色的散熱封裝●100%雪崩測(cè)試●提供TO-252-2L封裝通過(guò)上面的電氣參數(shù)和器件特征可以得知ASDM60P25KQ的導(dǎo)通電阻小，持續(xù)過(guò)流能力可以達(dá)到25A，當(dāng)VGS=-10V的時(shí)候?qū)娮鑂DS的典型值為32mΩ；另外對(duì)于大功率器件散熱是必須要做好的，否則一方面會(huì)有損壞器件的風(fēng)險(xiǎn)，另一方面電子產(chǎn)品長(zhǎng)期在高溫條件下工作也會(huì)影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和使用壽命。對(duì)比國(guó)外品牌萬(wàn)代的AOD407電氣性能參數(shù)：ASDM60P25KQ具有更低的導(dǎo)通電阻，更大的耗散功率，相當(dāng)于在同樣的負(fù)載電流情況下ASDM60P25KQ的發(fā)熱量會(huì)低10%左右。ASDM60P25KQ是國(guó)產(chǎn)器件，具有貨源好和更高的性價(jià)比，適合應(yīng)用于各種新產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及老產(chǎn)品的更新?lián)Q代。實(shí)際測(cè)試中，器件在30A負(fù)載條件下不做散熱處理不能長(zhǎng)期運(yùn)行，會(huì)損壞器件，工程師設(shè)計(jì)需增加一塊大的散熱器，器件溫度長(zhǎng)期穩(wěn)定在70oC左右。下圖是安森德的P溝道功率MOS管ASDM60P25KQ實(shí)物圖：

安森德ASDM60P25KQ可替代萬(wàn)代AOD407、臺(tái)灣微碧2SJ601-Z，