100v p型mos管to252封裝UTT50P10參數(shù)
MOS管有兩種：一個(gè)是PMOS管，一個(gè)是NMOS管；Pmos管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道建立，一般用于管理電源的通斷，屬于無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)，柵極低電平就完全導(dǎo)通，高電平就完全截止。
100v p型mos管UTT50P10特點(diǎn)
■ VDS= -100V
■ ID = -50A
■ RDS(ON) ≤ 60 m? @ VGS= -10V, ID= -20A
■ 開關(guān)速度快
100v p mos管參數(shù)
UTT50P10 100v p mos管是一個(gè)p通道功率MOSFET， 100v p型mos采用UTC工藝技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻和高切換速度，還可以在雪崩中承受高能量。
選擇MOS管時(shí)，需要根據(jù)電路設(shè)計(jì)需求及MOS管工作場(chǎng)所來(lái)選取合適的MOS管，從而獲得好的產(chǎn)品設(shè)計(jì)體驗(yàn)，更多MOS的選型及100v p型mos管to252封裝UTT50P10 產(chǎn)品特性參數(shù)請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
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參數(shù)
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VGS： ±20V
ID：40A
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