隨著目前產(chǎn)品小型化的需求越來越多，且可穿戴設(shè)備的逐漸普及，工程師們對于芯片小型化的需求也越來越強(qiáng)烈，這個就涉及到了芯片的封裝工藝。這次，我們只針對NAND flash的封裝進(jìn)行介紹。
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芯片常用封裝有：DIP、QFP、PFP、PGA、BGA、TSOP、COB等封裝。這里主要介紹NAND FLASH常用的三種封裝（TSOP、BGA、COB）。

1.TSOP封裝
TSOP是“Thin Small Outline Package”的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存是在芯片的周圍做出引腳，采用SMT技術(shù)（表面安裝技術(shù)）附著在PCB板的表面，裝配高度不到1.27mm。具體到FLASH這類型芯，工藝主要是把FLASH晶圓固定在鋼板框架上，然后通過打線把晶圓上的點(diǎn)連接到框架的PIN腳上，再對表面進(jìn)行注膠。
目前的最高的封閉技術(shù)能把四顆晶圓封閉在一個TSOP 的FLASH內(nèi)。此種TSOP封裝的FLASH相對較厚。TSOP特點(diǎn)：電流大幅度變化時，引起輸出電壓較小，適合高頻應(yīng)用，操作比較方便（如方便手工貼片或拆片及反復(fù)利用），可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高。價格相對COB高，因此得到了極為廣泛的應(yīng)用。
2.COB封裝
COB(chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一。半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與PCB板是通過邦定連接的方法實(shí)現(xiàn)。NAND FLASH行業(yè)使用COB的封裝方式主要是節(jié)省成本考慮。工程師先把外圍電氣走線畫好，然后在PCB板上點(diǎn)紅膠，把晶圓按指定方向及位置貼好。
然后使用邦定機(jī)對晶圓進(jìn)行邦定。確認(rèn)邦定電氣性能良好后，對晶圓表面及PCB板部分進(jìn)行樹脂覆蓋固定。COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TSOP和BGA技術(shù)。
3.BGA封裝

BGA(ball grid array) 球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配NANDflash 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。封裝本體也可做的比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。
BGA主要特點(diǎn)：1、I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式，提高了成品率 2、雖然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能 3、信號傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高 4、組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。此封閉應(yīng)用在NAND FLASH方面，主要影響是：1、可針對一些大尺寸晶圓進(jìn)行封裝。2、減小NAND flash封裝片的面積，適用于對于主板尺寸要求嚴(yán)格的產(chǎn)品，特別是近些年來的可穿戴設(shè)備，對于產(chǎn)品尺寸的要求相當(dāng)嚴(yán)格。3、此封閉大部分為原裝片使用。黑片相對較少使用BGA。
從上面可以看出BGA的封裝是比較適合小型化需求的，以韓國ATO solution公司為例，1Gb容量的NAND flash，BGA的最小尺寸可以做到6.5 X 8 mm （48ball），普通的1Gb NAND flash的尺寸為9 X 9 mm（48ball）。對于產(chǎn)品空間要求比較苛刻的客戶可以選擇。
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