近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點，這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移動速度和更寬的能帶間隙，且碳化硅材料導熱能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。

PFC電路

基本半導體碳化硅功率器件憑借其優(yōu)良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的寬禁帶 (3.26eV)、高臨界場(3×106 V/cm)和高導熱系數(shù)(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設(shè)備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D06065KS的重復（非重復）峰值反向電壓為650V，工作結(jié)溫范圍是-55℃-175℃，完全滿足PFC的電路環(huán)境。

在大功率PFC電路中，二極管可能需要并聯(lián)使用以擴大容量，器件的電流均勻分配問題需要考慮，二極管的前向電壓和導通電阻的特性是關(guān)鍵。B1D06065KS所特有的正溫度系數(shù)的特性能保證器件并聯(lián)時的均流要求。

假設(shè)由于某些原因，兩個二極管出現(xiàn)電流不均勻的狀態(tài)，其中一個二極管分配的電流較大，則它的導通電阻、正向壓降就相應(yīng)的增大，阻礙電流的進一步增大，從而促進電流的再一次分配最后達到電流平衡狀態(tài)。

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS提供內(nèi)絕緣TO-220封裝封裝，是在內(nèi)部集成一個陶瓷片用于絕緣和導熱，該工藝可以簡化生產(chǎn)步驟，提高生產(chǎn)質(zhì)量和整機的長期可靠性，可有效解決產(chǎn)業(yè)界痛點的絕緣和導熱問題。內(nèi)絕緣 TO-220 封裝外形跟普通鐵封TO-220產(chǎn)品基本一致，但其背面散熱器不再是二極管的陰極，屬于懸浮電位，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。

注：如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系刪除。